根据5日的半导体行业消息，三星电子与SK海力士在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的“FMS 2026”上展示了下一代AI内存技术，技术方向明显分化以争夺HBM之后的市场主导权。
三星电子推出的技术是zHBM。与传统HBM将内存贴近AI加速器不同，zHBM将内存垂直叠加在AI加速器上。这样可以缩短处理器与内存之间的距离，从而加快数据传输速度并降低功耗。
三星电子表示，zHBM的性能可比HBM5高出最多8倍，功率与性能比最高可提高3倍，热阻可降低50%以上。随着AI模型的增大，数据传输瓶颈也随之加剧，因此采用将内存更靠近的方式来解决这一问题。
定制化设计也是关键。三星电子表示，可以在内存与AI加速器之间的中介层中加入客户特定的IP。这意味着可以根据客户的需求调整内存容量、加速器性能和功率条件。
SK海力士的方向则是标准化。与闪迪合作，公开了高带宽闪存（HBF）的首个标准规格。HBF是一种新一代存储技术，能够像HBM一样快速传输数据，同时基于NAND扩大容量。
HBF是位于HBM与固态硬盘（SSD）之间的新层。随着AI推理的普及，数据量将增加并需要更频繁地调用。仅靠HBM会增加容量负担，而仅靠SSD则速度不足。SK海力士计划通过HBF填补这一空白。
此次标准的容量设定为最大512GB，带宽分为每秒约0.4TB至3.0TB的三个等级。与处理器的连接采用开放芯片接口UCIe，确保与GPU和CPU等不同芯片的连接。
SK海力士在FMS上首次展示了第10代375层4D NAND，产品的功率与性能比比上一代提高了2.5倍。公司计划在明年初基于此推出高性能、高容量的eSSD量产。
半导体行业人士表示：“后HBM竞争不仅是单一产品规格的较量，更是AI系统架构谁先掌控的斗争。”他指出：“三星通过客户定制化优化，SK海力士则通过开放生态系统，针对AI内存瓶颈采取了不同的策略。”
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
