三星电子在全球知名的内存技术会议“FMS 2026”上获得了对其下一代内存技术的认可，并荣获两项大奖。

根据三星电子的消息，该公司在FMS 2026期间举行的“最佳展品奖（Best of Show Awards）”中，凭借“V10 BV-闪存（NAND）”获得了3D闪存创新奖（3D & NAND Innovation Award），同时凭借“LPDDR5X-PIM”获得了下一代内存奖（Next-Gen Memory Award）。

V10 BV-闪存是实现400层以上超高层结构的下一代V闪存技术。它采用了垂直粘接（Bonding Vertical）技术，将晶圆垂直连接，并通过三层堆叠结构连接V闪存单元，既提高了存储容量，又降低了功耗和发热。该技术被认为是应对人工智能时代数据存储需求激增的下一代闪存技术。

与之一起获奖的LPDDR5X-PIM是全球首款将PIM（内存内处理）技术应用于低功耗DRAM LPDDR5X的产品。该结构能够在内存内部直接进行运算，最小化数据移动，从而同时提高系统性能和电力效率。特别是在人工智能加速器和高性能计算（HPC）等大规模AI运算环境中，它被视为减少瓶颈的关键内存技术。

三星电子表示，通过此次获奖，再次确认了其在下一代闪存和AI内存领域的技术领导地位，并计划进一步巩固在人工智能时代的内存技术领导地位。

该公司将在FMS 2026上持续展示其下一代内存路线图、AI内存解决方案和下一代存储技术，并与全球客户分享未来内存技术的愿景，活动将持续到当地时间6日。