三星电子正在积极申请与下一代人工智能（AI）内存相关的高带宽闪存（HBF）商标。

据业界消息，三星电子近期申请了'zHBF'商标。这是为了未来布局而提前申请的商标，实际开发则是在FMS上公开的zNAND-O进行的。

HBF是一种新型内存，与垂直堆叠的HBM不同，它通过叠加闪存实现大容量和高数据传输速度的双重目标。HBF被视为填补HBM与固态硬盘（SSD）之间性能和容量差距的新内存层。

随着AI市场从学习向推理扩展，对像HBF这样的高容量、高带宽内存的需求也在增加。由于AI模型的规模和处理数据急剧增加，仅依靠价格昂贵的HBM已难以满足所需的内存容量。HBF利用闪存的大容量特性，能够比现有SSD更快地提供数据，从而缓解AI加速器的内存瓶颈。

三星电子还在专注于其下一代闪存解决方案zNAND-O的开发。该产品在本月初于美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的'FMS 2026'上首次公开，旨在应对AI推理过程中对大容量数据处理的需求，是针对下一代AI内存市场的高性能闪存解决方案。

三星电子还在扩大下一代AI内存技术的开发范围。在FMS上，三星还展示了将运算单元和内存垂直堆叠的下一代3D内存'zHBM'概念。与传统HBM放置在AI加速器旁边不同，该设计将内存堆叠在加速器上方，以缩短物理距离，降低数据传输过程中的延迟和能耗。

不过，此次'zHBF'商标的申请并不意味着会立即开发或商业化新的产品。由于下一代AI内存市场的技术和产品名称尚未确定，因此可以理解为三星电子提前确保知识产权以应对未来的潜在应用。