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中国CXMT半导体追赶冲击……三星、SK海力士及美国科技巨头紧张

赵成俊 기자 2026-10-13 18:04
CXMT销售暴增,年底将推出4F²服务器用DDR5 K-半导体超越通用,AI DRAM及未来HBM竞争忧虑加剧
合肥长鑫存储CXMT半导体工厂照片
合肥长鑫存储(CXMT)半导体工厂 [照片=联合新闻网]

中国内存企业长鑫存储科技(CXMT)的技术追赶已延伸至三星电子和SK海力士的高附加值DRAM领域。尽管在量产良率和先进产品方面仍存在差距,但CXMT从消费类DRAM起步,正逐步扩展到服务器用DDR5和高带宽内存(HBM),市场警惕性随之上升。

13日,韩国股市中,三星电子和SK海力士的股价分别下跌超过7%和8%。此前,美国费城半导体指数下跌2.67%,美光科技股价下跌3.88%。SK海力士的美国存托股票(ADR)也下跌了4.02%。

市场对此敏感反应的原因在于CXMT已明确了进入服务器市场的时间点。CXMT总裁赵汉宇在10日于中国上海表示,计划在年底前推出自家开发的4F²单元结构的服务器用“DDR5 RDIMM”。4F²结构相比当前主流的6F²,减少了单元面积,使得同一晶圆上可以放置更多内存。虽然实际的大规模生产和客户认证仍待确认,但中国企业从专注消费类DRAM转向服务器用高附加值产品,意义非凡。

增长速度也非常快。根据Counterpoint Research的数据显示,CXMT在2026年第二季度的DRAM销售额同比暴增716%。其全球市场份额为7%,位列三星电子39%、SK海力士26%和美光25%之后,排名第四。

三星电子和SK海力士需要关注的是CXMT所瞄准的市场。国内企业已逐步提高服务器用DDR5和HBM的比重,这些产品的盈利能力高于通用DRAM。

问题在于从现在开始。CXMT正在开发和客户验证的服务器用DRAM和HBM是三星电子和SK海力士的主要业务。虽然目前普遍认为在HBM3E或HBM4领域,CXMT尚未达到与国内企业直接竞争的水平,但其从通用产品向高附加值产品的转型速度过快。

在美国AI市场,作为内存最大需求方,围绕巨额投资的争议也在加剧。谷歌、亚马逊、微软和Meta等四大科技巨头的设备投资规模预计比去年增长77%。虽然并未减少对AI的投资,但随着内存和电力等成本的急剧上升,市场开始关注投资的盈利性和回收期等投资效率。

华尔街对全球内存市场的看法趋于悲观。花旗在12日将CXMT评估为“中期价格威胁”,认为三星电子和SK海力士的通用DRAM比重较大,暴露程度高于美光。8月时,花旗将美光的目标股价从1400美元下调至1150美元,并提出明年第二季度可能达到顶峰的观点,同时指出中国企业的DRAM和NAND扩产也是主要风险因素。

金阳平,产业研究院专业研究员表示:“很难确定与中国的技术差距究竟还有多少年”,并指出“如果美国允许向中国出口先进半导体制造设备,差距可能会迅速缩小”。他强调:“国内企业最终需要继续保持超越差距的战略,不断创造出中国企业难以追赶的新产品和市场。”



※ 本报道经人工智能(AI)系统翻译与编辑。

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