KB证券:2027年将是AI运算量激增之年,HBM与通用内存双双受益
分析指出,半导体内存价格将从今年第四季度开始显著上涨,业绩增长有望加速。 KB证券研究总部的金东源在2日的报告中表示:“第四季度通用DRAM价格预计将比上季度上涨10%至15%,NAND价格将上涨15%至20%,并将继续保持超过市场预期的两位数上涨趋势。”他指出:“内存价格将以两位数的增长率进一步上涨,进入上涨周期的加速阶段。” 金总部还表示:“预计以服务器DRAM和企业级固态硬盘(SSD)为中心的稳健需求将持续。”他判断:“受益于人工智能(AI)推理需求的快速扩展,SSD的比特需求将同比增长超过80%。” 他进一步提到:“美光公司已表示,明年高带宽内存(HBM)的供应价格将大幅上涨。”他解释道:“通常一年签订的长期固定价格合同的HBM,之前未能充分反映通用DRAM的急剧价格上涨,但从明年的合同开始,内存价格的上涨和紧张的供需关系将开始在HBM价格中得到充分体现。” 金总部预测:“如果2025年HBM和2026年通用内存主导了增长,那么2027年将出现HBM与通用内存价格上涨和出货量增加的全面增长局面。”他认为:“前沿模型的高性能化与高效型模型的普及将同时进行,令代币单价下降和使用量增加,整体AI运算量和代币消费将呈现结构性激增。” 金总部将三星电子和SK海力士列为首选股票,并表示:“预计2027年内存市场将进入价格上涨与出货量增加同时出现的强劲上涨周期的加速阶段。”※ 本报道经人工智能(AI)系统翻译与编辑。
2026-10-03 00:36:00