三星电子开发优化了设备内人工智能的UFS 5.0,成为业界首个
三星电子首次开发了优化设备内人工智能(AI)的下一代移动存储器。 据三星电子23日透露,该公司开发了可在智能手机等各种移动设备中作为数据存储装置使用的业界最高性能的“UFS 5.0”存储器,计划于今年第四季度开始大规模生产。 UFS是一种高性能的内置闪存,不仅作为数据存储装置,还能快速将AI模型和大容量数据传送至RAM,以帮助应用处理器(AP)进行AI运算。 对于需要在设备内处理大量数据的设备内AI设备来说,像UFS这样的半导体是必不可少的。 此次开发的三星电子UFS 5.0存储器具有快速数据传输和电力效率的双重特点。 基于三星电子先进的第九代V NAND(V9)开发,具备业界最高的每秒10.8吉比特(GB/s)数据传输带宽,速度比现有的UFS 4.1提高了约两倍。这意味着可以更快地存储和处理超过4K、8K等高清电影的大容量数据。 电力效率也得到了显著提升。UFS 5.0采用了阻断未使用电路的“时钟门控”和为每个电路应用最佳电压的“多电压技术”,使得电力效率比前作提高了40%以上。在传输相同数据量时,显著降低了能耗,从而延长了移动设备的电池使用时间。 产品尺寸也有所缩小。三星电子实现了宽7.5毫米,长13毫米,高0.9毫米的封装,面积比前作缩小约16.7%。这提高了智能手机、智能手表、AI可穿戴设备、扩展现实(XR)设备等多种形态设计的灵活性,计划提供最大1TB的存储容量。 此外,该产品采用了国际半导体标准组织(JEDEC)最新的内置闪存标准UFS 5.0接口。 三星电子存储事业部产品规划团队长最长石表示:“在设备内AI时代,存储装置不仅是简单的数据存储空间,更是决定AI体验的核心要素。三星电子通过首次完成UFS 5.0的开发,将为下一代移动存储设定新的标准,并继续引领AI移动创新。”
2026-06-23 17:48:00