三星电子在下一代高带宽内存（HBM）市场中加强了技术主导权。继去年中旬获得1c D램（D1c）量产批准，为HBM4竞争奠定基础后，三星电子又实现了HBM4（第五代）量产出货，并率先向全球客户供应HBM4E（第六代）12层样品，进一步扩大了在AI内存市场的地位。 29日，业界消息称，三星电子当天向全球客户出货了HBM4E 12层样品。自HBM4量产出货以来，仅过数月便开始供应后续产品样品，业界普遍认为三星电子在HBM4时代开始扭转了在HBM3E竞争中的劣势。 此次HBM4E的核心在于1c D램与4纳米逻辑芯片的组合。三星电子将10纳米级的第六代D램工艺1c D램应用于HBM4，提升了良率和性能稳定性，并将相同基础延续至HBM4E。由于HBM不仅依赖于D램堆叠技术，还受到单个D램芯片的微细工艺竞争力的影响，因此1c D램的获取成为HBM4后产品竞争力的起点。 早在去年6月30日，本媒体独家报道三星电子完成1c D램量产批准，正式启动HBM4竞争。当时业界认为，1c D램的开发不仅是简单的通用D램工艺转换，更是HBM4用芯片生产的关键变量。实际上，三星电子随后成功实现了HBM4量产出货，并此次向客户供应HBM4E样品，提前推进了技术路线图。 HBM4E 12层产品实现了48GB的容量，稳定运行速度为每引脚14Gbps，最高速度可支持16Gbps。单个堆叠的带宽达到每秒3.6TB。三星电子表示，通过设计和工艺优化，相比前作能效提高了16%，热阻特性也提升了14%以上。 然而，样品出货并不意味着立即进入量产。HBM需要经过客户认证和封装单元验证，才能真正转化为实际供应量。特别是用于AI加速器的HBM，不仅要评估性能，还需考虑长期运行稳定性、发热管理、能效及封装完整性等因素。 业界认为，三星电子在HBM4量产过程中获得的1c D램良率管理和4纳米基础芯片联动经验，将对HBM4E的量产转化产生积极影响。由于HBM4和HBM4E均基于1c D램和4纳米逻辑芯片，因此之前的工艺稳定化和封装经验可以延续到后续产品。 三星电子正在将HBM4量产过程中获得的1c D램良率管理和4纳米基础芯片联动经验应用于HBM4E客户验证阶段，内部也在将样品供应后的量产转化进度与客户的路线图相匹配。 三星电子计划以HBM4E 12层为起点，逐步扩展至32GB 8层和64GB 16层产品。随着AI服务器和加速器市场对内存带宽和容量需求的快速增长，HBM4E有望成为下一代AI基础设施的核心产品。 三星电子的优势在于其同时拥有内存、代工、系统LSI和先进封装的业务结构。HBM4后续产品的竞争力不仅仅依赖于D램自身性能，基础芯片、封装及客户定制设计的响应能力也变得愈发重要。 业界普遍认为，三星电子在HBM3E中相对滞后的形象在HBM4时代得到了显著改善。尤其是1c D램的早期稳定化直接促成了HBM4量产和HBM4E样品出货，这次出货不仅是产品发布，更意味着三星电子的下一代HBM战略已实际进入供应阶段。 三星电子内存事业部开发负责人黄相俊表示：“在HBM4量产成功的基础上，顺利完成下一代HBM4E样品供应，充分彰显了三星电子的独特技术领导力。未来，我们将继续以压倒性的技术优势和前瞻性的生产基础设施投资，强力引领全球AI内存市场的增长。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子对美国人工智能模型“克劳德”的开发公司安特罗匹克进行了重大投资。这次投资不仅提升了三星在高带宽内存（HBM）供应方面的潜力，还为其代工（半导体委托生产）业务争取到了大科技客户的机会。 安特罗匹克于28日（当地时间）宣布通过系列H投资轮融资650亿美元（约合97.5万亿韩元）。此次融资使安特罗匹克的企业价值评估达到9650亿美元（约合1440万亿韩元），超越竞争对手OpenAI（8520亿美元），成为全球最具价值的人工智能初创公司。 值得注意的是，全球三大内存制造商三星电子、SK海力士和美光均被列为“战略基础设施合作伙伴”。 安特罗匹克在官方声明中表示：“这些公司的技术在全球内存、存储设备和逻辑芯片的供应中发挥着关键作用”，并正式确认了与其在计算能力扩展方面的合作。 业界对安特罗匹克提到的“逻辑芯片”一词表示关注。与专注于内存的SK海力士和美光不同，三星电子独立运营着基于先进微细工艺的代工业务。因此，有观点认为，安特罗匹克下一代克劳德人工智能模型所需的核心芯片生产将由三星电子的代工部门负责。 实际上，三星电子最近成功获得了多家全球大科技公司的人工智能芯片订单，为代工业务的复兴奠定了基础。继特斯拉的下一代人工智能芯片“AI5”和“AI6”订单之后，三星还与英伟达合作，获得了推理专用语言处理单元（LPU）“Grok”芯片的订单，形成了强大的产品组合。 如果三星电子的代工部门能够将安特罗匹克纳入客户名单，将进一步证明其在先进微细工艺技术方面的实力，并在全球代工市场中占据更强的竞争地位。

由于人工智能（AI）需求激增，全球半导体供应短缺的局面可能会持续一段时间。除了AI数据中心的投资外，卫星和机器人等领域的半导体需求也在同时增长，导致生产能力无法跟上。 据路透社报道，ASML首席执行官克里斯托夫·普克在比利时安特卫普举行的IMEC技术论坛上表示：“AI需求非常强劲”，并指出“半导体市场在相当长的时间内可能会保持供应短缺状态”。他还提到，全球半导体市场预计到2030年将达到1.5万亿美元（约合2246万亿韩元），并警告供应链各处可能出现瓶颈。 ASML是先进半导体光刻设备市场的核心企业。光刻设备用于在半导体原料晶圆上刻画电路，是生产先进逻辑芯片（运算用半导体）和高性能存储器的必备设备。台积电、三星电子、SK海力士、美光和英特尔等主要半导体公司均使用ASML的设备。 普克首席执行官还指出，特斯拉首席执行官埃隆·马斯克构想的大规模AI半导体工厂“特拉法”以及星链卫星业务也是推动半导体需求增长的因素。他透露与马斯克讨论过相关项目，并表示：“马斯克对这些项目非常认真”。如果大型AI工厂和卫星互联网网络的扩展真正转化为投资，半导体设备和生产能力的竞争将更加激烈。 ASML也在提升设备性能以应对不断增长的需求。公司正在提供下一代光刻设备高NA EUV（极紫外光），该设备能够制造更精细的电路。同时，ASML还在推进先进封装领域的相关设备开发。预计利用高NA EUV设备生产的半导体产品将在数月内问世。英特尔、三星电子和SK海力士等公司正在进行相关设备的引进。 强劲的需求也反映在ASML的业绩预期上。ASML在上个月根据强劲的AI需求将2026年的营收预期上调至360亿至400亿欧元（约合56万亿至62万亿韩元）。普克首席执行官表示：“当时半导体需求已经超过了供应”，并指出“客户正在加快生产能力扩展计划”。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。