近期，国内半导体企业股价持续低迷。中东冲突加剧导致油价上涨、通胀忧虑、主要国家国债利率飙升，以及AI行业性价比策略的扩散等不利因素交织，造成市场波动加剧。 中国内存半导体企业的快速追赶也被认为是股价下跌的主要原因。长江存储（CXMT）今年第二季度全球DRAM市场份额达9.5%，较去年同期的4%翻了一番。考虑到2023年其市场份额仅在1%左右，这一成绩可谓显著。三星电子、SK海力士和美光三家公司将精力集中在高带宽内存（HBM）生产上，CXMT则趁机填补了通用DRAM市场的空白。 更为雪上加霜的是，CXMT在10日宣布将于年内推出采用4F²结构的下一代服务器用DRAM，这一消息令市场震惊。人们对中国半导体企业正在缩小技术差距的担忧加剧。4F²结构是一种将内存单元面积比现有的6F²减少33%的设计技术。若成功实现，将在数据处理能力、电力效率及生产率等方面带来革命性的提升。 最初，中国半导体企业在DRAM领域被评估落后韩国1至2年，在高带宽内存（HBM）领域则落后3年以上。然而，此次公告引发了市场对中国迅速缩小技术差距的恐慌。13日，SK海力士股价暴跌近10%，国内半导体企业股价大幅调整，反映出市场的不安情绪。 “CXMT的公告是夸大”……HBM技术差距依然存在 在半导体行业和专家之间，CXMT的公告被冷静地评估为近乎夸大的营销。由于未提供具体的产品规格或明确的量产时间，且产品性能、良率、成本竞争力等需客观验证，因此受到质疑。 4F²结构也并非新概念。三星电子和SK海力士等国内领先企业早已在相关技术上进行研究并获得专利。尚未应用于量产并非因为技术不足，而是由于极其困难的良率保障问题和巨大的生产成本负担，使得商业化的实益较小。 尤其在AI半导体的核心HBM领域，技术差距依然坚固。由于美国制裁，极紫外（EUV）光刻设备的引进受阻，这使得中国在短时间内实现高性能、高良率产品的大规模量产几乎不可能。 华尔街也分析认为，此次CXMT冲击不过是近期过热的半导体股价获利了结的借口，难以视为实质性威胁。日本瑞穗证券的TMT专业分析师乔丹·克莱因也提出了反驳CXMT主张的七个理由，指出市场的过度担忧。 接近80%的内存半导体盈利能力不可能永远持续。AI基础设施投资也面临电网不足和资本投入限制等现实制约。在这种情况下，半导体股价进入调整期是自然的过程。CXMT的公告之所以对市场产生巨大影响，也是由于积累的警惕感所致。然而，CXMT的公告是否会立即改变行业格局尚难以断言，CXMT的下一代DRAM量产声明是否能得到实际验证，仍需经过严格的检验。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

今年韩国的出口繁荣被形容为“超级周期”，这一说法同样适用于中国。包括半导体在内的高端产品出口增长率已达到中双位数，给全球市场带来了对韩国的压力。在家电、电动车和电池等领域已经失去优势的韩国，面临着最后防线——内存半导体的保卫战也变得岌岌可危。根据14日的产业界消息，今年以来，韩国和中国的出口增长主要由半导体和计算设备等高端产品主导。韩国的信息通信技术（ICT）出口在上半年达到2538.6亿美元，同比增加120.5%，7月增长140.6%，8月增长162.6%，下半年的增长幅度进一步扩大。上个月，半导体出口达466.7亿美元，激增209%，企业级固态硬盘（SSD）的需求增加推动了计算机及周边设备的增长，增幅达到383.1%。中国的高端产品出口增长同样显著。今年1~8月，高科技产品出口达到8478.3亿美元，同比增长42.9%。同一时期，半导体相关的集成电路出口增长103.9%，自动数据处理设备及零部件增长49.4%。上个月，高科技产品出口的增长率达到56.9%，超出累计增长率，集成电路增长129.8%，自动数据处理设备及零部件增长76.5%。韩国的ICT产品与中国的高科技产品在品类分类上有所不同，简单比较出口额或增长率并不容易。然而，半导体和计算设备等高端产品正在推动两国的出口增长，重叠的主要出口品类也在增加。在半导体之外的市场，韩国的主导地位已经变得模糊。根据韩国电子信息通信产业振兴会（KEA）的数据，去年电视、冰箱、洗衣机、空调和机器人吸尘器等五大主要家电的销售数量上，中国在全球市场的份额均超过韩国。电视方面，中国企业的市场份额为36.1%，超过韩国的30.6%；冰箱方面，中国为41.7%，韩国仅为15.0%，差距明显。在韩国曾占绝对优势的半导体领域，两国间的竞争正在加剧。市场研究机构Counterpoint Research的报告显示，今年第二季度，全球DRAM市场中，长江存储（CXMT）的市场份额达10%。这一数字较去年同期的4%上升至两位数，成为第四大厂商，三星电子占38%，SK海力士占25%，美光占24%。最近，长江存储还开始量产下一代移动DRAM——LPDDR6。在NAND领域，长江存储的增长势头迅猛。Counterpoint Research的数据显示，第二季度长江存储的全球NAND销售市场份额为14%，较一年前的11%上升3个百分点。三星电子占28%，SK海力士占19%，美光占15%，与东芝持平。在出货量方面，长江存储已跃升至三星电子和SK海力士之后的第三位。目前，高带宽内存（HBM）和SSD等高附加值市场仍由国内企业主导。然而，CXMT和长江存储在通用产品上建立的生产基础正在向移动、服务器和人工智能产品扩展，竞争范围正在扩大。业界普遍认为，韩国与中国之间的技术差距已从原来的4~5年缩短至3年左右。过去从低价家电起步，逐步进入高端产品的中国企业在内存市场的增长趋势也引发了担忧。首尔大学教授全在成在最近的报告中指出：“考虑到中国CXMT等自主技术的内化速度，未来12~18个月内，韩国在HBM等领域的竞争优势可能不会迅速崩溃，而是逐渐减弱。”他建议：“韩国应在保持HBM技术优势的同时，加大对下一代高端产业核心技术的投资。”

日本闪存制造商Kioxia否认了SK海力士会长崔泰源提到的半导体生产合作传闻。 Kioxia首席执行官太田浩在9日接受彭博社采访时表示，与SK海力士共同生产半导体可能会违反反垄断法，并且与Kioxia目前与闪迪共同运营的生产设施难以兼容。 这是对崔会长在2日接受《朝日新闻》采访时提到的联合生产方案的回应。当时崔会长表示，与Kioxia的联合生产是“一个选择”，并称“Kioxia是一家拥有众多优势的公司”。他还表示，不仅限于联合生产，还可以在研发和供应链共享等多种形式上进行合作。 正如Kioxia与美国闪迪合作生产主力产品一样，崔会长也暗示与SK海力士建立新的合作关系的可能性。他表示：“如果Kioxia的未来战略中包含SK海力士，我随时愿意成为合作伙伴。” 此外，太田首席执行官还提到Kioxia、SK海力士和闪迪之间的三方合作可能性，表示“不能简单地说‘那就三家公司一起生产吧’”，并称“我不知道崔会长为什么会这么说”。 SK海力士上个月成为Kioxia的最大股东之一，双方的合作可能性一直备受关注。在此背景下，主张韩日经济合作的崔会长正式提及与Kioxia的联合生产可能性，引发了外界的关注。Kioxia从SK海力士采购部分用于其固态硬盘（SSD）的DRAM。 然而，彭博社援引SK海力士一位高管的话称，崔会长提到的联合生产是一般性层面的讨论。 这一联合生产方案是在全球人工智能（AI）热潮引发的内存供应不足背景下提出的。作为全球第三大闪存制造商，Kioxia受到内存半导体供应不足的影响，第二季度的闪存销售平均价格较前一季度上涨了70%，其股价在过去一年中上涨了18倍，并在6月时成为日本股市市值第一的公司。 与此相关，太田首席执行官在4月上任后，曾指示销售团队不要大幅提高价格，以免抑制AI领域的投资热情。他指出，需要寻找应对内存半导体价格急剧上涨的其他方案。他表示：“（闪存）价格已经上涨得足够高，如果我们过度提高价格，最终会对我们自己的市场造成损害。” 此外，太田首席执行官表示，为了应对中国最大内存半导体公司YMTC（长江存储）的追赶，Kioxia将不再单纯追求“市场份额”，而是将致力于技术开发，以满足企业的需求。

在全球人工智能（AI）热潮推动半导体行业进入新一轮“超级周期”之际，中国半导体出口快速增长。韩国银行（央行）分析认为，当前中韩两国凭借紧密的半导体供应链共同受益，但长期来看，随着中国加快构建自主半导体产业生态，韩国面临的竞争压力或进一步加大。 据央行2日发布的《中国半导体出口向好的背景及对韩国经济的启示》报告，今年1月至7月，中国半导体出口同比大增99.3%，对同期中国出口增量的贡献率达到27.3%，成为拉动出口增长的重要动力。 报告指出，中国进口全球约40%的半导体中间产品，经加工后再出口，是全球半导体加工贸易的重要枢纽，中韩半导体产业也由此形成紧密的分工体系。 韩国平泽、利川等地生产的晶圆出口至中国后，在苏州、无锡等地完成后续加工，再销往海外。同时，三星电子西安NAND闪存工厂、SK海力士无锡DRAM工厂等韩国企业在华生产基地的出货量也明显增加。 随着全球AI需求扩大，中韩半导体贸易进一步升温。今年1月至8月，韩国对华半导体出口额达1308亿美元，同比激增206.4%，对同期韩国整体出口增量的贡献率达到37%。 中国对韩国存储芯片的进口也大幅增加，从2025年的569亿美元增至今年上半年的785亿美元，同比增长239.3%。今年上半年，韩国对华半导体月均贸易顺差也由2018年至2025年的20亿美元扩大至62亿美元。 不过，随着中国加快推进半导体产业自主化，中韩目前以分工合作为主的产业关系也可能发生变化。 央行预计，未来3至5年，韩国凭借生产能力和技术优势仍有望保持领先。但长期来看，中国持续完善自主半导体产业生态，可能对高度依赖存储芯片的韩国半导体产业构成结构性威胁。 报告显示，2014年至2023年，中国政府累计向半导体产业投入1420亿美元政策资金，远高于同期韩国的55亿美元和美国的39亿美元。中国企业的全球市场份额也在快速扩大。有分析预计，中国在28纳米及以上成熟制程领域的全球市场份额将从目前约三分之一升至2030年的48%。 与此同时，长鑫存储（CXMT）、长江存储（YMTC）等中国企业也在先进存储芯片领域加速追赶，其全球产能占比已升至15%，整体规模跃居全球第四。 央行指出，在中美科技竞争持续的背景下，目前让中韩双方共同受益的半导体供应链关系，长期来看也可能成为韩国经济的风险因素。 对此，央行建议，韩国应保持存储芯片领域的技术优势，同时提升系统半导体竞争力，完善材料、零部件和设备产业生态，并增强AI模型开发及产业应用能力。

中国存储芯片厂商长江存储（YMTC）正加快扩大NAND闪存生产规模，并提出最快于明年底冲击全球市场第一的目标。与此同时，三星电子和SK海力士目前将投资重点放在高带宽内存（HBM）等DRAM产品，全球NAND市场竞争或进一步加剧。 据业内30日消息，市场研究机构Omdia预计，长江存储NAND晶圆产量将从今年的201万片增至明年的249.6万片，增加48.6万片。其中，年底进入初期运营的武汉第三工厂明年将正式投产，晶圆产量预计从今年的9万片增至57.5万片，成为推动长江存储产能增长的重要来源。 相比之下，三星电子NAND晶圆产量预计从今年的477万片增至明年的484.5万片；SK海力士（含Solidigm）则从279万片增至286.5万片，均仅增加7.5万片，增幅明显低于长江存储。两家公司当前投资重点主要集中在HBM等高附加值DRAM产品。 随着产能扩大，长江存储市场份额持续提升。今年第二季度，公司首次超过铠侠，以出货量计算升至全球第三。不过，由于高附加值数据中心企业级固态硬盘（eSSD）占比较低，按销售额计算仍位居全球第五。业内预计，随着NAND价格上涨带动盈利能力改善，长江存储的市场份额仍有进一步提升空间。 长江存储近期在筹备首次公开募股（IPO）过程中提出，最快于明年底进一步提升其全球NAND市场地位。公司计划最快于今年第四季度推进上市，并通过募集资金扩大设备投资和生产能力。在武汉第三工厂投产基础上，公司还计划继续推进新增产能建设，目标将整体产能提升至目前的两倍以上。 业内认为，在韩国厂商聚焦HBM等DRAM产品之际，包括长江存储在内的中国厂商持续扩大NAND产能，可能进一步加剧市场份额争夺，并对产品价格形成压力。 市场调研机构集邦咨询（TrendForce）预计，随着新增产能自2027年下半年起陆续投产，加之消费电子需求疲软，NAND市场供需关系可能逐渐趋于宽松，价格下行压力也将随之加大。

日前，中国前国务院总理朱镕基在即将迎来百岁之际因病去世。众所周知，朱镕基是20世纪90年代与时任中国国家主席江泽民一道，为中国经济高速增长奠定制度基础的重要人物之一。 我在研究中国半导体产业发展史时，多次遇到朱镕基这个名字。围绕他的评价至今褒贬不一，但有一点很难否认：他推动的一系列改革，改变了中央与地方之间的经济权力结构，并为后来中国大规模国家资本动员能力奠定了基础。 其中最具代表性的，是1994年的分税制改革。1993年以前，中国中央财政收入占全国财政收入的比重仅约22%。大部分税收掌握在地方政府手中，中央财政长期捉襟见肘。1994年分税制改革后，重要税源更多向中央集中，中央财政收入占比迅速提高。 这项改革后来成为中央政府实施大规模产业政策、财政补贴和长期战略投资的重要财政基础。今天中国能够推动国家集成电路产业投资基金等巨型产业资金，背后都可以追溯到这一时期形成的财政动员能力。 与分税制并行的还有国企和国有银行改革。“抓大放小”改革推动大量中小国企退出，同时强化大型国有企业体系。国有银行改革则切断地方政府对部分信贷资源的过度影响，通过剥离不良资产、银行资本重组等方式，逐步建立由中央掌握的金融资源配置体系。由此，中国形成了一套以中央财政、国有企业和国有银行为核心的国家资本动员机制。 不过，这套体系也付出了不小代价。财政收入向中央集中后，地方政府承担的公共支出责任并未同步减少。地方财政由此长期承压，并逐渐更加依赖土地财政、房地产开发和地方融资。 从长期来看，中国近年来面临的房地产低迷、地方债务膨胀等问题，与当年形成的中央—地方财政结构并非毫无关系。换句话说，朱镕基改革一方面增强了中央政府进行长期产业投资的能力，另一方面也埋下了地方财政结构性失衡的种子。 从半导体产业来看，这种制度遗产尤其明显。2014年，中国设立国家集成电路产业投资基金。此后，中央资本与地方产业基金共同进入半导体产业，形成一种“中央定方向、地方下注”的投资模式。 长鑫存储（CXMT）背后有合肥地方政府支持，长江存储（YMTC）与湖北地方力量密切相关，中芯国际（SMIC）的早期发展也离不开上海地方政府。因此，中国半导体产业并非完全由中央政府单方面打造，而是中央和地方共同推动的结果。 这种模式确实创造出一批成功企业，但副作用同样明显。在中央确定重点产业后，各地方政府往往争相进入，容易造成重复投资、产能过剩甚至技术骗局。武汉弘芯等失败案例，就暴露出地方政府在缺乏技术和产业基础情况下盲目投资的风险。 对于半导体这样的产业而言，问题更加突出。先进制程需要持续十年以上的大规模投资，而且必须长期承受亏损。地方政府无论从财政周期还是官员任期来看，都很难独立承担这种“耐心资本”角色。因此，中央财政和国有金融机构的重要性更加凸显。 即使掌握税收，也需要有能够把资金转化为长期战略资本的机构。中国国有银行体系经过改革后，逐渐承担起这种角色，成为支持大型基础设施和战略产业的重要金融渠道。 进入AI时代，这套逻辑正在再次上演。近年来，中国大量地方政府建设人工智能数据中心和智能算力中心，但部分项目也出现设备利用率不足、重复建设等问题。 这与过去半导体、汽车等领域出现的地方政府投资竞赛非常相似。因此，中国中央政府近期一方面继续加大AI产业基金和算力基础设施投入，另一方面也开始强调全国统一大市场、整治“内卷式”竞争，试图控制地方无序扩张。这意味着， 中国现有产业政策正在进入一个新的阶段。一方面，朱镕基时代建立的中央集中国家资本动员体系依然发挥着巨大作用；另一方面，仅依靠中央自上而下的资本配置，已经越来越难适应半导体和AI这种技术变化极快、创新高度分散的产业。更重要的是，今天的中国经济环境与20世纪90年代已经完全不同。 朱镕基时代，中国处于高速增长期，人口红利明显，西方资本大量进入，外部产业竞争压力也远低于今天。而现在，中国面临经济增速放缓、人口下降、房地产和地方债务压力，同时还要面对美国在半导体和AI领域的技术限制以及全球供应链重组。 在这种情况下，中央与地方之间如何重新分配资本和产业决策权，很可能成为中国下一阶段经济政策的重要课题。这一变化对韩国而言并不是“别人的故事”。韩国正在重点投入的半导体、AI、制造业AX、Physical AI等领域，也正是中国中央政府和地方政府大规模投资的领域。 中国产业政策出现的成功与失败，都值得韩国认真观察。如果中国在AI和半导体领域出现重复投资、资本效率下降或地方财政难以承受等问题，这不仅可能反映中国自身制度的局限，也可能意味着相关产业存在结构性的过度投资风险。 对韩国来说，这可以成为一种重要的预警信号。越是半导体、AI以及所谓“七大SEED产业”这样的国家战略领域，韩国越有必要深入研究中国过去数十年的产业政策演变。 不能只关注中国又成立了多大的基金、建设了多少座工厂，更应该关注这些资金如何筹集、由谁配置、中央与地方如何分担风险，以及这种资本动员模式正在发生怎样的变化。 从这个意义上说，朱镕基时代留下的制度遗产，不仅解释了今天中国半导体和AI产业为何能够获得如此庞大的资本支持，也为韩国思考下一代产业投资战略提供了一个值得研究的案例。

今年第二季度，全球NAND闪存市场出货量排名出现变化。中国长江存储（YMTC）首次超越日本铠侠，升至全球第三，全球主要NAND厂商之间的市场份额也出现新的变化。 市场调研机构Counterpoint Research日前公布的数据显示，今年第二季度，三星电子占全球NAND闪存出货量的25%，排名第一。不过，随着公司将更多资源集中于盈利能力较高的DRAM业务，其NAND出货量市场份额较两年前的32%下降7个百分点，领先优势有所收窄。 SK海力士包括旗下Solidigm在内，以22%的市场份额位居第二，与三星电子相差3个百分点。其中，Solidigm第二季度出货量环比增长40%，成为推动SK海力士整体市场份额扩大的重要因素。 中国长江存储则以14%的出货量市场份额超过日本铠侠，首次升至全球第三。第二季度，长江存储NAND出货量同比增长22%，环比增长5%。分析认为，在全球NAND供应相对紧张的背景下，长江存储进一步扩大出货规模，市场份额随之提升。随着长江存储进入全球前三，全球NAND市场的厂商排名也出现新的变化。 不过，出货量增长尚未同步反映在营收排名上。尽管长江存储按出货量计算已升至全球第三，但由于数据中心用企业级固态硬盘（eSSD）等高附加值产品占比相对较低，其营收规模仍排在美国美光和日本铠侠之后，位居全球第五。 与此同时，人工智能（AI）需求正在推动NAND市场产品结构发生变化。随着AI应用从模型训练加快向推理场景扩展，数据中心需要处理和存储的数据量持续增加，服务器用企业级固态硬盘需求快速增长，eSSD逐渐成为NAND市场的重要增长领域。 今年第二季度，服务器用eSSD已占全球NAND出货量的48%，较去年同期的26%提高22个百分点，接近整体出货量的一半。与此同时，服务器eSSD相关营收升至历史高位，达到去年同期的5倍，显示AI服务器需求对NAND市场的带动作用进一步增强。 Counterpoint Research预计，到今年年底，服务器用eSSD占全球NAND出货量的比重将超过50%。随着AI推理需求持续扩大，全球NAND市场竞争将进一步向高附加值产品延伸。除了扩大出货规模外，如何提高eSSD等产品的市场份额，也将成为影响主要厂商营收和盈利能力的重要因素。

三星电子今年第一季度进一步拉开与SK海力士的差距，继续稳居全球DRAM市场首位；SK海力士则凭借高带宽存储器（HBM）产品，以接近六成的市场份额继续领跑全球HBM市场。 据市场调研机构Counterpoint Research25日发布的数据，按今年第一季度销售额计算，三星电子以38%的市场份额位居全球DRAM市场第一，SK海力士和美光分别以29%和22%的市场份额位列第二、第三。 去年第一、第二季度，SK海力士曾超越三星电子排名第一；第三季度双方市场份额均为33%，并列第一。自去年第四季度起，三星电子重新夺回领先地位，并已连续两个季度保持第一，与SK海力士的市场份额差距也由去年第四季度的4个百分点扩大至今年第一季度的9个百分点。 与此同时，中国长鑫存储（CXMT）市场份额由去年的3%大幅提升至8%。 受市场需求回暖带动，今年第一季度全球DRAM市场销售额环比增长80%，同比增长260%。 HBM市场方面，SK海力士以58%的市场份额继续保持领先，三星电子和美光均为21%，并列第二。尽管较去年同期的69%有所回落，但SK海力士仍占据超过一半的市场份额。 Counterpoint Research表示，三星电子已首次向英伟达供应HBM4产品，预计随着HBM4下半年逐步放量，其市场份额有望进一步提升。 NAND闪存市场方面，三星电子以29%的市场份额继续位居第一，SK海力士、铠侠分别为18%和14%，美光、闪迪及长江存储均为13%。 Counterpoint Research指出，长江存储（YMTC）去年同期市场份额仅为8%，今年已升至13%，主要受益于存储器供应趋紧及价格上涨。

美国总统唐纳德·特朗普与中国国家主席习近平自去年10月在釜山会晤后，时隔约半年再次举行会谈，双方在贸易扩展方面的讨论引发了韩国企业获得一定反弹利益的期待。 据业内消息，特朗普总统暗示，14日举行的美中领导人会谈的核心议题是扩大两国间的贸易。他在当天通过社交媒体表示，将向习近平主席要求开放中国市场。 此次特朗普的中国之行，除了他本人外，还包括特斯拉和SpaceX首席执行官埃隆·马斯克、英伟达首席执行官黄仁勋、苹果首席执行官蒂姆·库克、波音首席执行官凯利·奥特伯格、黑石首席执行官拉里·芬克等多位在中国有较大业务或投资的美国企业高管。 从社交媒体的发言和访华代表团的组成来看，特朗普总统很可能会直接或间接地请求习近平主席在相互征收关税后，开放被封闭的中国市场给美国企业。 例如，美国禁止向中国出口英伟达的图形处理器（GPU），中国则以提供使用中国人工智能（AI）芯片的电费减半的间接补贴政策进行回应，导致英伟达在中国的市场份额急剧下降，而华为等公司的AI芯片市场份额则迅速上升。 专家认为，若要部分打开“铁幕”，美国也不得不提出放宽对中国的出口管制作为回报。 半导体就是一个典型例子。预计美国对中国的半导体设备出口管制将会在一定程度上放宽，以便向中国出口美国制造的半导体。 为了阻止中国的半导体崛起，从前任总统拜登到特朗普政府一直以来都严格限制对中国的先进半导体设备出口，极紫外光（EUV）光刻机等设备就是其中的代表。 问题在于，随着对中国的出口管制日益严格，三星电子、SK海力士等在中国运营半导体工厂的韩国企业遭受了相当大的损失。由于三星电子西安工厂和SK海力士无锡、 大连工厂无法引进先进半导体制造设备，导致NAND闪存工艺的微缩变得困难，业务不确定性加大。 中国在允许进口美国GPU的条件下，可能会要求放宽对CXMT（长鑫存储）、YMTC（长江存储）等所需的半导体设备进口限制，因此三星电子和SK海力士在中国的工厂有望加速先进化，获得反弹利益。 如果双方谈判顺利，波音、特斯拉和SpaceX等公司希望的中国稀土以及电池正极材料和负极材料的出口量也有望扩大。自半导体设备出口管制以来，中国将稀土等高科技产业的核心材料列为“出口许可制”，以此进行反击。中国占全球稀土生产的约60%至70%，精炼和加工的80%以上，因而一旦关闭出口，便会引发供应链危机。 若稀土出口管制放宽，国内半导体设备和军工物资制造所需的稀缺矿物的采购将更加顺畅，结合此前推进的供应链多元化，相关业务的竞争力将进一步增强。 电池正极材料的供应链多元化已取得进展，依赖中国的程度较低，但负极材料的依赖程度则绝对较高。美国国际贸易委员会（ITC）最近甚至认为，中国的负极材料质量优于美国的负极材料，认为不需要征收约160%的高关税。 如果对中国负极材料的管制放宽，LG能源解决方案等在美国本土生产电池的韩国企业将加速原材料的采购，从而为电动汽车（EV）和储能系统（ESS）业务注入更多活力。 明治大学国际贸易学教授金泰煌表示：“在伊朗战争导致全球不确定性加大的背景下，希望美中领导人通过此次会谈缓解经济和贸易领域的波动性和不确定性。然而，正如去年10月的会谈一样，期待此次会晤能显著改善两国关系的可能性不大，应理解为缓解不确定性的一个转折点。”

随着人工智能（AI）服务器需求激增，由三星电子与SK海力士主导的高附加值服务器内存市场，正面临来自中国企业的挑战。韩国企业将生产重心集中于高带宽存储器（HBM）后形成的DDR5供应空白，正被中国厂商迅速填补。 据科技媒体Wccftech12日报道，中国半导体企业嘉合劲威（POWEV）旗下子公司神可（SINKER）近日正式启动服务器专用DDR5 RDIMM内存量产。这意味着中国企业开始进入此前由三星电子、SK海力士及美光等全球“三巨头”主导的服务器内存供应链。 神可此次量产的DDR5 RDIMM产品具备64GB容量与5600MT/s高速传输性能，并遵循国际半导体标准化组织（JEDEC）标准。首批产品已交付主要数据中心客户。公司方面表示，未来将在满足中国内需的同时，进一步扩大海外供应。 此前，在长鑫存储（CXMT）、长江存储（YMTC）等企业带动下，中国内存产业持续扩大产能，但由于服务器专用RDIMM技术门槛较高，市场普遍认为中国企业短期内难以进入该领域。不过，此次量产被视为中国半导体自主化进程加速的重要信号。尤其是在韩国企业为扩大HBM产能而缩减普通DRAM产量后，DDR5供应趋紧，也为中国企业提供了切入市场的机会。 分析认为，在美国主导的极紫外（EUV）光刻设备出口限制持续背景下，中国半导体产业正逐步转向以“性价比”和实际需求为核心的务实路线，重点布局分布式AI及特定应用场景硬件等细分市场。 半导体业界指出，近期韩国产内存价格持续上涨，也在一定程度上提升了中国DDR5产品的市场吸引力。以上月为基准，企业级固态硬盘（SSD）价格环比上涨63%，普通内存上涨29%，HBM上涨19%。在成本压力加大的情况下，部分数据中心运营商已开始将价格更低、供货更稳定的中国产DDR5产品纳入采购考量。 有证券业人士表示，在中国庞大内需市场支撑下，即便中国企业仅取得5%至10%的服务器内存市场份额，也可能对三星电子与SK海力士的通用DRAM盈利结构形成明显压力。 业内普遍认为，中国半导体企业当前的攻势已不再只是单纯技术追赶，而是围绕市场需求展开的战略性突破。未来全球云服务企业是否采用中国RDIMM产品、韩国企业何时恢复DDR5供应，以及美国是否扩大对成熟制程设备的限制范围，都将成为影响全球内存市场格局的重要变量。