三星电子率先向全球客户出货HBM4E样品，重夺技术主导权
三星电子在下一代高带宽内存（HBM）市场中加强了技术主导权。继去年中旬获得1c D램（D1c）量产批准，为HBM4竞争奠定基础后，三星电子又实现了HBM4（第五代）量产出货，并率先向全球客户供应HBM4E（第六代）12层样品，进一步扩大了在AI内存市场的地位。 29日，业界消息称，三星电子当天向全球客户出货了HBM4E 12层样品。自HBM4量产出货以来，仅过数月便开始供应后续产品样品，业界普遍认为三星电子在HBM4时代开始扭转了在HBM3E竞争中的劣势。 此次HBM4E的核心在于1c D램与4纳米逻辑芯片的组合。三星电子将10纳米级的第六代D램工艺1c D램应用于HBM4，提升了良率和性能稳定性，并将相同基础延续至HBM4E。由于HBM不仅依赖于D램堆叠技术，还受到单个D램芯片的微细工艺竞争力的影响，因此1c D램的获取成为HBM4后产品竞争力的起点。 早在去年6月30日，本媒体独家报道三星电子完成1c D램量产批准，正式启动HBM4竞争。当时业界认为，1c D램的开发不仅是简单的通用D램工艺转换，更是HBM4用芯片生产的关键变量。实际上，三星电子随后成功实现了HBM4量产出货，并此次向客户供应HBM4E样品，提前推进了技术路线图。 HBM4E 12层产品实现了48GB的容量，稳定运行速度为每引脚14Gbps，最高速度可支持16Gbps。单个堆叠的带宽达到每秒3.6TB。三星电子表示，通过设计和工艺优化，相比前作能效提高了16%，热阻特性也提升了14%以上。 然而，样品出货并不意味着立即进入量产。HBM需要经过客户认证和封装单元验证，才能真正转化为实际供应量。特别是用于AI加速器的HBM，不仅要评估性能，还需考虑长期运行稳定性、发热管理、能效及封装完整性等因素。 业界认为，三星电子在HBM4量产过程中获得的1c D램良率管理和4纳米基础芯片联动经验，将对HBM4E的量产转化产生积极影响。由于HBM4和HBM4E均基于1c D램和4纳米逻辑芯片，因此之前的工艺稳定化和封装经验可以延续到后续产品。 三星电子正在将HBM4量产过程中获得的1c D램良率管理和4纳米基础芯片联动经验应用于HBM4E客户验证阶段，内部也在将样品供应后的量产转化进度与客户的路线图相匹配。 三星电子计划以HBM4E 12层为起点，逐步扩展至32GB 8层和64GB 16层产品。随着AI服务器和加速器市场对内存带宽和容量需求的快速增长，HBM4E有望成为下一代AI基础设施的核心产品。 三星电子的优势在于其同时拥有内存、代工、系统LSI和先进封装的业务结构。HBM4后续产品的竞争力不仅仅依赖于D램自身性能，基础芯片、封装及客户定制设计的响应能力也变得愈发重要。 业界普遍认为，三星电子在HBM3E中相对滞后的形象在HBM4时代得到了显著改善。尤其是1c D램的早期稳定化直接促成了HBM4量产和HBM4E样品出货，这次出货不仅是产品发布，更意味着三星电子的下一代HBM战略已实际进入供应阶段。 三星电子内存事业部开发负责人黄相俊表示：“在HBM4量产成功的基础上，顺利完成下一代HBM4E样品供应，充分彰显了三星电子的独特技术领导力。未来，我们将继续以压倒性的技术优势和前瞻性的生产基础设施投资，强力引领全球AI内存市场的增长。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-05-29 19:22:00
