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三星发布下一代HBM5和HBM5E半导体工艺路线图三星电子近日公布了下一代人工智能（AI）内存——高带宽内存（HBM）的核心工艺路线图。计划在下一代HBM5中采用基于D1c工艺的核心芯片和基于2纳米的基础芯片，而HBM5E则将应用D1d工艺和2纳米工艺。 在美国加利福尼亚州圣荷西举行的“GTC 2026”大会上，三星电子内存事业部开发负责人黄相俊副总裁与记者交流时表示：“HBM5和HBM5E都采用核心芯片和基础芯片结构。” 黄副总裁进一步解释道：“HBM5的核心芯片采用D1c工艺，基础芯片则使用2纳米工艺。”他还表示：“HBM5E将应用基于D1d工艺的核心芯片和2纳米工艺的基础芯片。” HBM是通过将多个内存芯片垂直堆叠以实现高带宽的AI半导体核心部件。自最近几代起，内存核心芯片与负责运算和接口功能的基础芯片分离的结构已被采用。值得一提的是，HBM4E与HBM4一样，采用D1c工艺和4纳米工艺。 核心芯片负责存储数据的内存单元，而基础芯片则执行与GPU连接的接口和控制功能。基础芯片因需高性能逻辑而采用了先进的工艺。 此次计划显示了三星电子在下一代HBM中不仅结合内存工艺，还结合了代工技术的战略。特别是HBM5中应用2纳米代工工艺的方案确认，预计三星的先进工艺应用范围将进一步扩大。 三星电子目前正向全球AI半导体企业如英伟达等供应HBM，以增强其在AI内存市场的竞争力。业界普遍认为，下一代HBM的竞争将不仅限于内存工艺，还将扩展到代工技术和封装技术的综合技术竞争。 黄副总裁在GTC现场介绍了三星电子的AI内存战略。他表示：“在AI时代，内存不仅是简单的部件，而是决定系统性能的核心基础设施。” 业界普遍认为，此次路线图的公布是三星电子下一代AI内存战略的重要信号。尤其是同时拥有内存和代工能力的综合半导体（IDM）结构将在HBM竞争力的提升中发挥重要作用。 随着AI数据中心市场的快速增长，HBM的需求也在急剧上升。包括下一代HBM5在内的技术竞争将正式展开，全球内存企业之间的竞争也将更加激烈。
2026-09-28 23:40:00 -
三星电子应用2纳米工艺于HBM5，速度提升超过50%三星电子将采用基于门全环绕(GAA)的2纳米代工工艺于下一代高带宽内存(HBM) HBM5的基础芯片。基于在HBM4和HBM4E中应用的4纳米基础芯片的量产经验，三星电子旨在提升下一代HBM的性能和电力效率，同时扩大人工智能(AI)和高性能计算(HPC)客户的订单，以增强代工业务的增长动力。具子铉副社长在27日的三星电子半导体新闻室采访中表示：“HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔(TSV)。”这是负责三星电子代工工艺开发的高管首次具体公开HBM5的2纳米基础芯片战略。三星电子DS事业部内存事业部DRAM开发室长黄相俊在今年3月的英伟达年度开发者大会GTC上透露了HBM5的2纳米应用计划，并从代工的角度进行了详细说明。基础芯片是连接堆叠的DRAM核心芯片与图形处理器(GPU)、中央处理器(CPU)等外部处理器的逻辑半导体。随着HBM的数据处理速度加快和对电力效率的要求提高，自HBM4起，基础芯片开始应用代工前沿工艺，而非传统内存工艺。三星电子在HBM4和HBM4E基础芯片上应用了4纳米第四代工艺。该工艺已进入量产第三年，性能和良率得到了验证。其优势在于可以多样选择栅间距和晶体管阈值电压，从而优化产品的性能、面积和漏电流。HBM4E基础芯片采用高集成度、高性能的器件，实现了每秒超过14吉比特(Gbps)的工作速度。通过有效布置金属布线层，减少了功耗，并优化了散热路径。HBM4基础芯片从第一批样品开始就达到了性能和良率目标，工艺准备到结果产生大约耗时3个月。具副社长表示：“预计HBM5的工作速度将比HBM4E提高约50%以上，我们正在准备能够大幅改善工作速度和电力效率的最前沿工艺。”三星电子还将以HBM基础芯片为基础，扩大AI和HPC客户的订单。三星电子正在将4纳米工艺应用于HBM4基础芯片和美国AI企业的AI和HPC用LPU新产品。最近，三星电子与博通等全球企业扩大合作，将以移动为中心的代工客户基础扩大到AI、HPC、云服务提供商(CSP)、汽车电子和机器人领域。三星电子还在推动2纳米工艺的客户多元化。去年下半年，三星电子开始量产2纳米第一代工艺，今年下半年将量产基于改进了良率和性能的第二代工艺的移动产品。公司表示，在获得特斯拉的汽车电子2纳米产品订单后，已从多家AI、HPC及CSP大型客户获得订单。三星电子提供与先进封装和HBM相结合的一站式解决方案。在AI和HPC领域，三星电子将代工工艺、HBM和先进封装结合提供，在数据中心市场进入插拔式光收发器(PO)业务。还在开发基于前沿工艺和三维封装技术的共同封装光学(CPO)技术。具副社长表示：“我们将基于在4纳米HBM4基础芯片上获得的经验和技术竞争力，提前在HBM5中引入2纳米工艺，并通过移动、HBM以及AI、HPC、汽车电子、机器人等领域的客户合作，增强代工技术的领导力。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-07-27 19:08:00 -
三星Exynos 2600芯片AI技术改变竞争格局【经济日报】三星电子推出了Exynos 2600芯片，旨在超越移动应用处理器市场的长期竞争对手高通。该芯片首次采用AI图形技术，显示出在某些关键性能指标上领先竞争对手的结果，预示着市场格局的变化。根据三星电子的消息，Exynos 2600的核心是被称为ENSS（Exynos Neural Super Sampling）的AI图形优化技术。该技术结合了通过AI分析低分辨率图像并重构为高质量图像的升级技术，以及预测帧间并生成新帧的技术。在运行复杂计算的高规格游戏或高清视频时，该技术减少了GPU的负担，提高了电力效率，实现了更流畅和清晰的画面。技术博主公布的基准测试结果显示，Exynos 2600在3D图形性能测试中比高通AP高出约15%。特别是在光线追踪性能方面，Exynos 2600比竞争对手高出约59%，显示出明显的技术优势。这种性能的背后是三星的技术突破。Exynos 2600是由三星电子代工部门采用业界首创的GAA基础2纳米工艺制造的移动AP。超微细工艺转换是实现性能和电力效率的关键。长期以来在高端智能手机市场上被高通骁龙压制的Exynos，正试图通过工艺技术和AI图形实现复兴。当然，也有观点认为基准测试结果并不完全代表实际用户体验，因为在实际智能手机环境中，热管理能力是保持性能的关键因素。三星电子也意识到这一点，并计划在后续产品Exynos 2700中大幅改善热管理性能。通过将AP和DRAM并排放置在同一基板上，而不是像以前那样将DRAM垂直堆叠在移动AP上，以更有效地分散热量。移动AP市场的竞争已从简单的计算速度转向利用AI提高效率的竞争。三星电子率先推出ENSS这一技术，意义重大。谁将主导AI时代的移动体验？Exynos 2600是三星对此问题的首次回应。
2026-04-28 23:35:28
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三星发布下一代HBM5和HBM5E半导体工艺路线图
三星电子近日公布了下一代人工智能（AI）内存——高带宽内存（HBM）的核心工艺路线图。计划在下一代HBM5中采用基于D1c工艺的核心芯片和基于2纳米的基础芯片，而HBM5E则将应用D1d工艺和2纳米工艺。 在美国加利福尼亚州圣荷西举行的“GTC 2026”大会上，三星电子内存事业部开发负责人黄相俊副总裁与记者交流时表示：“HBM5和HBM5E都采用核心芯片和基础芯片结构。” 黄副总裁进一步解释道：“HBM5的核心芯片采用D1c工艺，基础芯片则使用2纳米工艺。”他还表示：“HBM5E将应用基于D1d工艺的核心芯片和2纳米工艺的基础芯片。” HBM是通过将多个内存芯片垂直堆叠以实现高带宽的AI半导体核心部件。自最近几代起，内存核心芯片与负责运算和接口功能的基础芯片分离的结构已被采用。值得一提的是，HBM4E与HBM4一样，采用D1c工艺和4纳米工艺。 核心芯片负责存储数据的内存单元，而基础芯片则执行与GPU连接的接口和控制功能。基础芯片因需高性能逻辑而采用了先进的工艺。 此次计划显示了三星电子在下一代HBM中不仅结合内存工艺，还结合了代工技术的战略。特别是HBM5中应用2纳米代工工艺的方案确认，预计三星的先进工艺应用范围将进一步扩大。 三星电子目前正向全球AI半导体企业如英伟达等供应HBM，以增强其在AI内存市场的竞争力。业界普遍认为，下一代HBM的竞争将不仅限于内存工艺，还将扩展到代工技术和封装技术的综合技术竞争。 黄副总裁在GTC现场介绍了三星电子的AI内存战略。他表示：“在AI时代，内存不仅是简单的部件，而是决定系统性能的核心基础设施。” 业界普遍认为，此次路线图的公布是三星电子下一代AI内存战略的重要信号。尤其是同时拥有内存和代工能力的综合半导体（IDM）结构将在HBM竞争力的提升中发挥重要作用。 随着AI数据中心市场的快速增长，HBM的需求也在急剧上升。包括下一代HBM5在内的技术竞争将正式展开，全球内存企业之间的竞争也将更加激烈。
2026-09-28 23:40:00 -
三星电子应用2纳米工艺于HBM5，速度提升超过50%
三星电子将采用基于门全环绕(GAA)的2纳米代工工艺于下一代高带宽内存(HBM) HBM5的基础芯片。基于在HBM4和HBM4E中应用的4纳米基础芯片的量产经验，三星电子旨在提升下一代HBM的性能和电力效率，同时扩大人工智能(AI)和高性能计算(HPC)客户的订单，以增强代工业务的增长动力。具子铉副社长在27日的三星电子半导体新闻室采访中表示：“HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔(TSV)。”这是负责三星电子代工工艺开发的高管首次具体公开HBM5的2纳米基础芯片战略。三星电子DS事业部内存事业部DRAM开发室长黄相俊在今年3月的英伟达年度开发者大会GTC上透露了HBM5的2纳米应用计划，并从代工的角度进行了详细说明。基础芯片是连接堆叠的DRAM核心芯片与图形处理器(GPU)、中央处理器(CPU)等外部处理器的逻辑半导体。随着HBM的数据处理速度加快和对电力效率的要求提高，自HBM4起，基础芯片开始应用代工前沿工艺，而非传统内存工艺。三星电子在HBM4和HBM4E基础芯片上应用了4纳米第四代工艺。该工艺已进入量产第三年，性能和良率得到了验证。其优势在于可以多样选择栅间距和晶体管阈值电压，从而优化产品的性能、面积和漏电流。HBM4E基础芯片采用高集成度、高性能的器件，实现了每秒超过14吉比特(Gbps)的工作速度。通过有效布置金属布线层，减少了功耗，并优化了散热路径。HBM4基础芯片从第一批样品开始就达到了性能和良率目标，工艺准备到结果产生大约耗时3个月。具副社长表示：“预计HBM5的工作速度将比HBM4E提高约50%以上，我们正在准备能够大幅改善工作速度和电力效率的最前沿工艺。”三星电子还将以HBM基础芯片为基础，扩大AI和HPC客户的订单。三星电子正在将4纳米工艺应用于HBM4基础芯片和美国AI企业的AI和HPC用LPU新产品。最近，三星电子与博通等全球企业扩大合作，将以移动为中心的代工客户基础扩大到AI、HPC、云服务提供商(CSP)、汽车电子和机器人领域。三星电子还在推动2纳米工艺的客户多元化。去年下半年，三星电子开始量产2纳米第一代工艺，今年下半年将量产基于改进了良率和性能的第二代工艺的移动产品。公司表示，在获得特斯拉的汽车电子2纳米产品订单后，已从多家AI、HPC及CSP大型客户获得订单。三星电子提供与先进封装和HBM相结合的一站式解决方案。在AI和HPC领域，三星电子将代工工艺、HBM和先进封装结合提供，在数据中心市场进入插拔式光收发器(PO)业务。还在开发基于前沿工艺和三维封装技术的共同封装光学(CPO)技术。具副社长表示：“我们将基于在4纳米HBM4基础芯片上获得的经验和技术竞争力，提前在HBM5中引入2纳米工艺，并通过移动、HBM以及AI、HPC、汽车电子、机器人等领域的客户合作，增强代工技术的领导力。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-07-27 19:08:00 -
三星Exynos 2600芯片AI技术改变竞争格局
【经济日报】三星电子推出了Exynos 2600芯片，旨在超越移动应用处理器市场的长期竞争对手高通。该芯片首次采用AI图形技术，显示出在某些关键性能指标上领先竞争对手的结果，预示着市场格局的变化。根据三星电子的消息，Exynos 2600的核心是被称为ENSS（Exynos Neural Super Sampling）的AI图形优化技术。该技术结合了通过AI分析低分辨率图像并重构为高质量图像的升级技术，以及预测帧间并生成新帧的技术。在运行复杂计算的高规格游戏或高清视频时，该技术减少了GPU的负担，提高了电力效率，实现了更流畅和清晰的画面。技术博主公布的基准测试结果显示，Exynos 2600在3D图形性能测试中比高通AP高出约15%。特别是在光线追踪性能方面，Exynos 2600比竞争对手高出约59%，显示出明显的技术优势。这种性能的背后是三星的技术突破。Exynos 2600是由三星电子代工部门采用业界首创的GAA基础2纳米工艺制造的移动AP。超微细工艺转换是实现性能和电力效率的关键。长期以来在高端智能手机市场上被高通骁龙压制的Exynos，正试图通过工艺技术和AI图形实现复兴。当然，也有观点认为基准测试结果并不完全代表实际用户体验，因为在实际智能手机环境中，热管理能力是保持性能的关键因素。三星电子也意识到这一点，并计划在后续产品Exynos 2700中大幅改善热管理性能。通过将AP和DRAM并排放置在同一基板上，而不是像以前那样将DRAM垂直堆叠在移动AP上，以更有效地分散热量。移动AP市场的竞争已从简单的计算速度转向利用AI提高效率的竞争。三星电子率先推出ENSS这一技术，意义重大。谁将主导AI时代的移动体验？Exynos 2600是三星对此问题的首次回应。
2026-04-28 23:35:28
