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‘4F²技术’新闻 2个
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中国半导体追赶速度惊人，D램与闪存市场竞争加剧韩国半导体产业面临警告信号。中国的内存企业在D램和闪存技术追赶上加速发展。尽管三星电子和SK海力士在先进内存市场保持优势，但中国政府的全力支持和庞大的内需市场使得竞争愈发激烈。预计到2030年，中国的半导体竞争力将超越韩国。15日，业界消息称，韩国经济人协会对去年国内200家主要出口企业进行调查，预测到2030年中国的半导体竞争力将超过韩国。以韩国的竞争力为100，中国的竞争力预计将从去年的99.3提升至2030年的107.1。这意味着在短短五年内，竞争优势可能会发生逆转。不仅是半导体，调查还显示，韩国的显示器、造船、电气电子等十大主要出口行业都将落后于中国。这一预测与中国内存企业的最新动态密切相关。中国D램制造商长鑫科技（CXMT）正在推进下一代服务器用D램的‘4F²’技术，该技术将单元面积减少33%，并计划在今年内实现量产。这项技术能够在同一晶圆上生产更多芯片，从而降低制造成本。三星电子和SK海力士也在研究相关技术，但尚未确定商业化时间。CXMT是否能确保稳定的良率尚不确定。然而，如果成功量产，其对市场的影响将是显著的。随着AI数据中心投资的扩大，内存市场的供应短缺持续，如果中国D램的供应增加，供需失衡可能会比预期更快得到缓解。这也可能导致三星电子和SK海力士的内存繁荣提前结束。CXMT还在扩大与中国大型科技公司的合作。最近与腾讯签订了超过200亿人民币（约合4.1万亿韩元）的服务器用D램长期供应合同。阿里巴巴云、字节跳动、联想、小米等也是其主要客户。CXMT依托庞大的内需市场，稳固了销售渠道，并积累了产品验证经验。其内存业务领域也在逐步扩大。CXMT正在北京新工厂建设闪存研发（R&D）生产线。相反，中国闪存制造商长江存储（YMTC）也在向客户提供低功耗D램样品，考虑进入市场。此前分别负责D램和闪存的中国两大内存企业正在相互渗透各自的领域。在闪存市场，中国的追赶已开始显现。市场研究机构Counterpoint Research的数据显示，YMTC在2023年第二季度的全球闪存出货量市场份额为16.5%，位列三星电子和SK海力士之后，成为全球第三。尽管面临美国的半导体设备出口管制，YMTC依然凭借独特的堆叠技术‘Xtacking’增强了生产竞争力。YMTC不仅在智能手机和PC用闪存方面发力，还在进军AI数据中心企业级固态硬盘（SSD）市场。8月，该公司申请在上海证券市场上市，计划融资约330亿人民币（约合7万亿韩元），以用于生产设备扩充和研发投资。中国追赶的威胁性更在于政府层面的全力支持。中国政府通过巨额补贴和扩大国内半导体采购，支持企业的成长。即使在良率和成本竞争力上暂时落后于韩国企业，依然能够通过持续生产和销售提升技术水平。最近，曾任中国工业和信息化部部长的李乐成访问了CXMT，强调将半导体产业视为与国家安全直接相关的战略产业，并表示将给予全力支持。中国政府计划通过第十五个五年规划（2026-2030年）培育包括高密度内存在内的先进半导体技术及相关产业供应链。然而，目前仍存在至少2至3年的技术差距。CXMT需要证明下一代D램的量产良率，而YMTC则需扩大高附加值产品的比例并确保全球客户。三星电子和SK海力士也在全力开发高带宽内存（HBM）等先进内存技术，以保持技术优势。问题在于，普遍预期中国的追赶将愈加迅速。基于巨额资金和内需市场，如果中国企业扩大通用内存的供应，势必会对韩国企业的市场主导地位和盈利能力造成压力。相较于短期内的技术逆转，更需警惕的是中国持续的生产能力扩张可能改变全球内存市场的格局。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-10-16 03:04:10 -
中国预告下一代D램技术，三星电子也在开发'4F²'中国最大的内存半导体企业长鑫存储科技（CXMT）预告将推出下一代服务器用D램，三星电子也表示正在开发相关技术。随着中国技术追赶的显现，中韩内存半导体企业之间的竞争预计将更加激烈。 三星电子首席技术官（CTO）宋在赫在14日于首尔江南区的COEX举行的第28届半导体展（SEDEX 2026）上，回应了联合新闻关于三星电子是否也在开发“4F²”（四平方）技术的问题时表示：“是的”。 4F²是下一代设计技术，旨在减少D램中存储数据的最小单位——内存单元的面积。其核心在于将目前行业主要使用的6F²结构的单元面积减少约三分之一，从而在相同面积上存储更多数据。 这里的“F”是描述内存单元大小时使用的设计标准。4F²表示F的平方值的4倍面积。当这个值减小时，可以在相同面积上放置更多的内存单元，从而提高集成度。 据联合新闻报道，CXMT表示将在今年内推出应用4F²技术的服务器用DDR5内存模块。这引发了对中国内存半导体技术迅速追赶韩国企业的担忧，导致三星电子和SK海力士的股价在13日分别暴跌7.39%和10.09%。 三星电子和SK海力士也早已开始研究4F²技术。然而，技术开发与实际量产是两个不同的问题。因为在应用复杂的单元结构的同时，还需稳定地确保生产良率并降低制造成本。业界普遍认为，国内企业并非无法实现技术，而是考虑到经济性和量产稳定性等因素，正在审慎评估商业化时机。 在此次展会上，三星电子围绕“AI系统设计”主题，设置了包括下一代技术、云AI、边缘AI、物理AI、半导体集群、共生合作等六个展区。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-10-15 02:56:00
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中国半导体追赶速度惊人，D램与闪存市场竞争加剧
韩国半导体产业面临警告信号。中国的内存企业在D램和闪存技术追赶上加速发展。尽管三星电子和SK海力士在先进内存市场保持优势，但中国政府的全力支持和庞大的内需市场使得竞争愈发激烈。预计到2030年，中国的半导体竞争力将超越韩国。15日，业界消息称，韩国经济人协会对去年国内200家主要出口企业进行调查，预测到2030年中国的半导体竞争力将超过韩国。以韩国的竞争力为100，中国的竞争力预计将从去年的99.3提升至2030年的107.1。这意味着在短短五年内，竞争优势可能会发生逆转。不仅是半导体，调查还显示，韩国的显示器、造船、电气电子等十大主要出口行业都将落后于中国。这一预测与中国内存企业的最新动态密切相关。中国D램制造商长鑫科技（CXMT）正在推进下一代服务器用D램的‘4F²’技术，该技术将单元面积减少33%，并计划在今年内实现量产。这项技术能够在同一晶圆上生产更多芯片，从而降低制造成本。三星电子和SK海力士也在研究相关技术，但尚未确定商业化时间。CXMT是否能确保稳定的良率尚不确定。然而，如果成功量产，其对市场的影响将是显著的。随着AI数据中心投资的扩大，内存市场的供应短缺持续，如果中国D램的供应增加，供需失衡可能会比预期更快得到缓解。这也可能导致三星电子和SK海力士的内存繁荣提前结束。CXMT还在扩大与中国大型科技公司的合作。最近与腾讯签订了超过200亿人民币（约合4.1万亿韩元）的服务器用D램长期供应合同。阿里巴巴云、字节跳动、联想、小米等也是其主要客户。CXMT依托庞大的内需市场，稳固了销售渠道，并积累了产品验证经验。其内存业务领域也在逐步扩大。CXMT正在北京新工厂建设闪存研发（R&D）生产线。相反，中国闪存制造商长江存储（YMTC）也在向客户提供低功耗D램样品，考虑进入市场。此前分别负责D램和闪存的中国两大内存企业正在相互渗透各自的领域。在闪存市场，中国的追赶已开始显现。市场研究机构Counterpoint Research的数据显示，YMTC在2023年第二季度的全球闪存出货量市场份额为16.5%，位列三星电子和SK海力士之后，成为全球第三。尽管面临美国的半导体设备出口管制，YMTC依然凭借独特的堆叠技术‘Xtacking’增强了生产竞争力。YMTC不仅在智能手机和PC用闪存方面发力，还在进军AI数据中心企业级固态硬盘（SSD）市场。8月，该公司申请在上海证券市场上市，计划融资约330亿人民币（约合7万亿韩元），以用于生产设备扩充和研发投资。中国追赶的威胁性更在于政府层面的全力支持。中国政府通过巨额补贴和扩大国内半导体采购，支持企业的成长。即使在良率和成本竞争力上暂时落后于韩国企业，依然能够通过持续生产和销售提升技术水平。最近，曾任中国工业和信息化部部长的李乐成访问了CXMT，强调将半导体产业视为与国家安全直接相关的战略产业，并表示将给予全力支持。中国政府计划通过第十五个五年规划（2026-2030年）培育包括高密度内存在内的先进半导体技术及相关产业供应链。然而，目前仍存在至少2至3年的技术差距。CXMT需要证明下一代D램的量产良率，而YMTC则需扩大高附加值产品的比例并确保全球客户。三星电子和SK海力士也在全力开发高带宽内存（HBM）等先进内存技术，以保持技术优势。问题在于，普遍预期中国的追赶将愈加迅速。基于巨额资金和内需市场，如果中国企业扩大通用内存的供应，势必会对韩国企业的市场主导地位和盈利能力造成压力。相较于短期内的技术逆转，更需警惕的是中国持续的生产能力扩张可能改变全球内存市场的格局。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-10-16 03:04:10 -
中国预告下一代D램技术，三星电子也在开发'4F²'
中国最大的内存半导体企业长鑫存储科技（CXMT）预告将推出下一代服务器用D램，三星电子也表示正在开发相关技术。随着中国技术追赶的显现，中韩内存半导体企业之间的竞争预计将更加激烈。 三星电子首席技术官（CTO）宋在赫在14日于首尔江南区的COEX举行的第28届半导体展（SEDEX 2026）上，回应了联合新闻关于三星电子是否也在开发“4F²”（四平方）技术的问题时表示：“是的”。 4F²是下一代设计技术，旨在减少D램中存储数据的最小单位——内存单元的面积。其核心在于将目前行业主要使用的6F²结构的单元面积减少约三分之一，从而在相同面积上存储更多数据。 这里的“F”是描述内存单元大小时使用的设计标准。4F²表示F的平方值的4倍面积。当这个值减小时，可以在相同面积上放置更多的内存单元，从而提高集成度。 据联合新闻报道，CXMT表示将在今年内推出应用4F²技术的服务器用DDR5内存模块。这引发了对中国内存半导体技术迅速追赶韩国企业的担忧，导致三星电子和SK海力士的股价在13日分别暴跌7.39%和10.09%。 三星电子和SK海力士也早已开始研究4F²技术。然而，技术开发与实际量产是两个不同的问题。因为在应用复杂的单元结构的同时，还需稳定地确保生产良率并降低制造成本。业界普遍认为，国内企业并非无法实现技术，而是考虑到经济性和量产稳定性等因素，正在审慎评估商业化时机。 在此次展会上，三星电子围绕“AI系统设计”主题，设置了包括下一代技术、云AI、边缘AI、物理AI、半导体集群、共生合作等六个展区。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-10-15 02:56:00
