AMD首席执行官丽莎·苏将在3月访问韩国后，时隔7个月再次前往韩国。 根据AMD的消息，苏首席执行官和首席副总裁杰克·胡因将于7日下午2时在首尔龙山区的龙城举行的“游戏日”活动中出席。随后，苏首席执行官还将于同日下午3时30分进行媒体问答环节。 业界普遍期待，苏首席执行官此次访问将进一步巩固与三星电子及SK海力士等韩国主要半导体企业在AI内存领域的合作关系。 特别是苏首席执行官在3月访问时曾与三星电子会长李在镕及DS事业部总裁全英贤会面，因此此次访问是否会再次与李会长会晤备受关注。 如果两家公司会晤，预计将重点讨论高带宽内存（HBM）供应链的扩展及下一代代工合作方案。 AMD正在与SK海力士加强合作，以确保在下一代AI加速器市场的主导地位。 SK海力士目前正在紧密合作，供应将搭载在AMD下一代AI加速器产品中的HBM产品。 为了降低对英伟达的依赖并扩展独立的AI生态系统，AMD将SK海力士视为核心战略合作伙伴，因为其具备独特的HBM技术和量产能力。 此次访问预计将为两家公司在下一代内存的供应及共同开发新标准等实质性合作方案带来更多动力。 ※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士再次通过台积电获得了其独特的人工智能（AI）内存技术和合作成果的官方认可。 SK海力士于23日（当地时间）参加了在美国圣克拉拉举行的‘TSMC OIP（开放创新平台）会议’，并基于台积电的先进封装工艺（CoWoS）合作成果，连续第二年获得了‘年度合作伙伴奖’。 此外，SK海力士还展示了第六代高带宽内存（HBM4）和SOCAMM2等核心AI内存产品，以及高性能eSSD系列和HBF等下一代数据中心解决方案。 在技术发布环节，讨论了为克服AI时代内存瓶颈而制定的定制化HBM开发战略，以及与台积电代工工艺的协同方案。强调了从设计初期阶段开始，逻辑半导体与内存的优化一体化团队合作体系的重要性。 SK海力士相关人士表示：“我们将进一步加强与台积电等全球核心合作伙伴的合作，以适应AI半导体市场的增长，并持续扩大客户定制化的下一代AI内存领导地位。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子近日公布了下一代人工智能（AI）内存——高带宽内存（HBM）的核心工艺路线图。计划在下一代HBM5中采用基于D1c工艺的核心芯片和基于2纳米的基础芯片，而HBM5E则将应用D1d工艺和2纳米工艺。 在美国加利福尼亚州圣荷西举行的“GTC 2026”大会上，三星电子内存事业部开发负责人黄相俊副总裁与记者交流时表示：“HBM5和HBM5E都采用核心芯片和基础芯片结构。” 黄副总裁进一步解释道：“HBM5的核心芯片采用D1c工艺，基础芯片则使用2纳米工艺。”他还表示：“HBM5E将应用基于D1d工艺的核心芯片和2纳米工艺的基础芯片。” HBM是通过将多个内存芯片垂直堆叠以实现高带宽的AI半导体核心部件。自最近几代起，内存核心芯片与负责运算和接口功能的基础芯片分离的结构已被采用。值得一提的是，HBM4E与HBM4一样，采用D1c工艺和4纳米工艺。 核心芯片负责存储数据的内存单元，而基础芯片则执行与GPU连接的接口和控制功能。基础芯片因需高性能逻辑而采用了先进的工艺。 此次计划显示了三星电子在下一代HBM中不仅结合内存工艺，还结合了代工技术的战略。特别是HBM5中应用2纳米代工工艺的方案确认，预计三星的先进工艺应用范围将进一步扩大。 三星电子目前正向全球AI半导体企业如英伟达等供应HBM，以增强其在AI内存市场的竞争力。业界普遍认为，下一代HBM的竞争将不仅限于内存工艺，还将扩展到代工技术和封装技术的综合技术竞争。 黄副总裁在GTC现场介绍了三星电子的AI内存战略。他表示：“在AI时代，内存不仅是简单的部件，而是决定系统性能的核心基础设施。” 业界普遍认为，此次路线图的公布是三星电子下一代AI内存战略的重要信号。尤其是同时拥有内存和代工能力的综合半导体（IDM）结构将在HBM竞争力的提升中发挥重要作用。 随着AI数据中心市场的快速增长，HBM的需求也在急剧上升。包括下一代HBM5在内的技术竞争将正式展开，全球内存企业之间的竞争也将更加激烈。

郭诺正SK海力士总裁在人工智能（AI）时代，坚定表示将通过与全球优秀人才和专家的合作，克服半导体技术的限制。 SK海力士于9月21日宣布，2026 SK海力士全球论坛于9月18日（当地时间）在美国加利福尼亚州圣克拉拉的万豪酒店举行。 该全球论坛自2012年起每年邀请北美地区的硕士和博士级优秀人才及当地行业专家，分享公司的技术愿景并吸引优秀人才，是SK海力士的重要活动。 今年的论坛吸引了活跃于全球AI和半导体行业的众多当地专家以及美国主要大学的研究团队。郭诺正总裁及首席开发官安贤等核心管理层与技术领域的实务高管也参与其中，与将引领AI时代技术创新的人才进行了交流。 郭诺正在主旨演讲中强调：“没有内存，AI产业也无法成立。”他表示：“在高带宽内存（HBM）之后，我们将通过下一代内存开启AI的新可能性，并通过新的全球生产和研究基地巩固技术优势和市场主导地位。”这表明SK海力士将进一步扩大技术创新和基础设施投资，以保持在下一代AI内存市场的主导地位。 在主会场，论坛新增了小组讨论环节，诊断了先进半导体技术的现状。通过领域小型研讨会的圆桌会议，探讨了HBM、下一代闪存、工艺及先进封装技术、AI系统解决方案等核心领域的最新趋势。 此外，灵活和横向的组织文化被强调为主导AI内存市场的核心动力。 晋保健SK海力士副总裁（企业文化部门负责人）指出：“将个人的能力汇聚起来，产生更大协同效应的‘一体’文化，以及不断挑战的文化是技术竞争力的基础。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士CEO郭诺正将人工智能（AI）时代的内存市场比作不断变化的“曲线道路”，强调需要从客户和合作伙伴的角度寻找新的商业和技术机会。他表示，SK海力士计划跃升为提供包括高带宽内存（HBM）在内的针对AI工作负载优化的“全栈AI内存”企业。9日，SK海力士透露，郭诺正于前一天在位于伊川的超级中心举行的“2026年SK海力士未来论坛”上表示：“过去的内存市场是竞争谁跑得更快的直线道路，而现在则像是在不断变化的曲线道路上行驶。”他进一步指出：“不仅要掌握内部能力，还要了解外部环境变化的速度和方向，并灵活适应。”他强调：“要将视角从‘外向内’转变，重新审视那些被视为理所当然的事物，从客户和合作伙伴的视角出发，在AI生态系统变化中寻找新的可能性。”此次论坛以“AI时代的黄金时刻，AI内存解决方案创造者正在改变世界”为主题，集中讨论了AI普及带来的工作方式和内存技术的变化。来自国内外AI和半导体行业的相关人士及学术专家参与了论坛。与会者预测，AI将改变内存产业的工作方式。安特罗皮克产品总监塔里克·西希法尔表示，在半导体行业中，可以利用AI构建“软件工厂”，用于电路仿真、电力测量和系统优化等。他预计，AI与机器人等硬件结合后，将在制造现场的应用范围进一步扩大。SK海力士正在将AI应用于实际生产现场。公司正在系统化生产过程中工艺和设备数据的AI应用，当生产线出现异常时，AI会分析相关数据并提出原因和应对方案。同时，SK海力士还在准备用于晶圆厂（FAB）生产运营的“盖亚（GaiA）”平台，并利用安全监控机器人和高空作业用视觉语言模型（VLM）无人机等技术。随着AI的发展，内存业务的重心也预计将从通用产品供应转向系统优化。这是因为AI正在从简单的响应式AI进化为能够自主执行长期任务的“代理AI”，需要存储和处理的数据量不断增加。因此，SK海力士将加强针对AI工作负载的“全栈AI内存”战略，结合HBM、DRAM、CXL和SSD等多种内存。公司计划与AI服务、软件和加速器等生态系统合作伙伴共同设计系统，从系统层面优化性能、电力效率和总拥有成本（TCO），超越单纯的内存供应商，成为共同设计AI系统的企业。被视为下一代竞争力的技术是“3D内存”。随着微细工艺接近物理极限，数据传输带来的电力消耗增加，内存与逻辑垂直连接技术的重要性日益凸显。SK海力士提出，数据带宽的扩大、超短距离传输以及DRAM周边电路的逻辑代工利用等将是主要技术方向。特别是，随着3D技术的扩展，前道工序和后道工序，以及内存与代工之间的技术界限将变得模糊。SK海力士副总裁孙浩永表示：“3D技术正在改变晶圆厂与封装之间的技术界限。”他强调：“与先进封装技术的创新相结合，跨越现有领域的共同优化和新的合作体系的建立至关重要。”SK海力士计划将此次论坛中提出的讨论与各组织的商业和技术任务相结合。公司将以在HBM领域获得的竞争力为基础，致力于提供适应AI时代的内存解决方案，力争成为“全栈AI内存创造者”。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士为了应对人工智能（AI）时代日益增长的内存需求，决定在用仁和青州投资总额达54万亿韩元的新生产设施（Fab）。公司认为，包括高带宽内存（HBM）在内的下一代DRAM和企业级SSD的需求将结构性增加，因此提前采取措施确保大规模生产能力。SK海力士于7日召开董事会，决定在用仁半导体集群内的DRAM生产工厂（Y2）投资35.2万亿韩元，在青州的NAND闪存生产工厂（M17）投资19.1万亿韩元。总投资规模为54.3万亿韩元。此次投资是公司在6月发布的中长期投资战略的后续措施。公司计划在用仁半导体集群投资总额达600万亿韩元，在青州生产基地扩展投资100万亿韩元，目前正在建设用仁1号Fab（Y1）。此次决定标志着在用仁和青州的后续生产设施建设正式启动。用仁Y2是用仁四个Fab中的第二个生产设施，计划建设面积为34万1000坪的下一代DRAM生产基地。预计于明年7月开工，2029年6月开放首个洁净室，将生产包括HBM在内的下一代AI内存。目前正在建设的Y1也以明年2月开放首个洁净室为目标进行施工。SK海力士原计划在2045年完成用仁半导体集群的建设，但已将这一时间提前至2033年，目标是在此之前完成四个Fab的建设。此次Y2投资决定是支持提前完工战略的关键步骤，投资将分阶段在2031年10月之前执行。Y2投资不仅包括生产设施，还包括研发（R&D）综合中心、员工支持大楼、水处理设施和变电设施等基础设施建设费用。用仁集群的Y2所需的第一阶段电力和用水基础设施工程目前已完成99%，具备按计划建设工厂的基础。青州将推进新Fab M17的建设，以应对AI时代急剧增长的NAND需求。M17的建设面积为20万6000坪，计划于明年2月开工，2028年12月开放首个洁净室。投资期限至2031年4月。选择青州作为新生产基地是因为与现有生产设施的联动效应。青州已有NAND生产工厂M11、M12和M15在运作，电力、用水和土地等基础设施已基本建设完成，因此能够最快地扩大生产能力。公司大规模投资的背景是对AI市场结构性增长的信心。市场调研机构Omdia预计，全球DRAM和NAND市场自去年起到2030年将年均增长19%。随着生成型AI向AI推理服务的扩展，HBM、服务器用DRAM以及企业级SSD的需求也在快速增长。尤其是在AI推理过程中，KV缓存存储需求以及代理AI、物理AI的扩散将进一步扩大NAND的应用范围。SK海力士认为，在AI时代，技术实力和能够在客户所需时间内提供所需数量的生产能力是核心竞争力。因此，Fab建设将按计划进行，但洁净室的增建和设备的引入将根据客户需求逐步扩大，以提高投资效率。公司期待此次投资不仅能为未来的增长奠定基础，还能提升国内半导体生态系统的竞争力，促进地方经济的活跃。用仁和青州两地同时进行的大规模投资将为合作伙伴提供共同成长的机会，促进就业创造和地方商业活跃，从而为国家经济的可持续增长做出贡献。SK海力士相关人士表示：“此次投资是为了抓住AI市场增长速度带来的机会的战略性决定，旨在通过提前建立生产基础，成为全球AI半导体供应链稳定的核心合作伙伴。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

在人工智能（AI）时代，日益严重的内存瓶颈问题正在通过高带宽闪存（HBF）这一新一代内存技术得到解决。尤其是谷歌DeepMind将HBF称为“AI推理时代的最佳内存解决方案”，引发了业界的广泛关注。在6日（当地时间）于美国加利福尼亚举行的全球最大内存会议FMS 2026上，SK海力士、谷歌DeepMind和闪迪共同进行了以“HBF突破内存瓶颈”为主题的专题讨论。此次会议是在4日SK海力士与闪迪发布HBF首个标准规格后，AI服务企业与内存企业共同探讨商业化方向的场合。HBF是一种新的内存层，位于超高速DRAM HBM与大容量SSD之间。它的特点是能够实现与HBM相当的数据传输速度，同时基于闪存大幅提升容量。HBF并不是取代HBM，而是与HBM并存，以补充不足的内存容量。此次讨论的意义在于，谷歌DeepMind作为直接开发和运营AI模型的企业，公开提及HBF的必要性，增强了市场扩展的可能性。谷歌DeepMind的研究员肖宇马指出，AI产业正在迅速从以学习（Training）为中心转向以推理（Inference）为中心。他预测，从2024年到2034年，AI推理芯片市场规模将增长超过10倍，并表示仅凭现有内存结构难以满足这一需求。他解释说，随着AI模型参数的快速增加，以及处理图像、视频、音频的多模态AI的普及，随着对话的延长，KV缓存的处理量也急剧增加，因此必须同时确保内存容量和带宽。肖宇马表示：“过去，增加内存容量会降低带宽，而提高带宽则会增加成本和电力消耗，这是一种矛盾关系。HBF是一个新的替代方案，能够同时实现高带宽和能效。”闪迪强调了HBF在AI推理系统中的经济性。副总裁拉吉夫·纳加比拉巴表示，应用HBF可以有效管理KV缓存，从而将系统的KV识别率提高两倍以上，最终缩短令牌生成时间，降低GPU使用率和运营成本。此外，由于HBF基于闪存，具有断电后数据仍能保持的非易失性特性，能够长期存储数据，并且在读取比例较高的AI推理环境中，闪存的耐用性问题也能得到有效解决。SK海力士强调，为了实现HBF的商业化，不仅需要内存本身的创新，还需要整个系统的创新。SK海力士副总裁任义哲表示：“闪存在结构上存在延迟时间长和写入性能低的局限性，因此需要采用预取（Prefetching）、移动窗口内存（Moving Window Memory）、混合内存架构等硬件与软件共同设计的协同设计（Co-design）方法。”他进一步指出：“为了在实际AI系统中充分利用HBF，xPU设计公司、LLM开发者和软件工程师等多方生态参与者需要共同制定高质量的标准。”早前，SK海力士与闪迪于今年2月成立了HBF标准化联盟，并在6个月内发布了首个标准规格。该规格基于8层和16层闪存堆叠，支持最大512GB的容量，带宽分为三个等级，规定可实现每秒0.4TB至3.0TB的传输速度。目前，参与该联盟的有SK海力士、闪迪、谷歌、天数科技等。 ※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

华尔街的金融机构对SK海力士的美国存托股票（ADR）纷纷发表买入意见，认为人工智能（AI）内存市场的增长潜力和SK海力士的技术竞争力尚未充分反映在当前股价中。 根据路透社在4日的报道，包括美银（BofA）在内的至少6家金融机构近期开始对SK海力士ADR进行企业分析，并提出了买入或增持的建议。 美银对美国大型科技公司的强劲订单、AI基础设施投资的扩大以及SK海力士在高带宽内存（HBM）市场的领先地位给予了积极评价。基于此，美银预计内存行业将长期繁荣，业绩将持续增长。 罗森布拉特证券在新分析的金融机构中提出了最高的目标股价320美元，较前一交易日收盘价142.72美元高出124%。斯蒂费尔则将目标股价定为240美元。 瑞银在给出买入意见的同时，设定了204美元的目标股价。分析指出，内存供应短缺可能持续到2028年，公司的盈利能力、自由现金流和股东回报能力也显著改善。 随着华尔街的乐观预期持续，SK海力士ADR在当天的纳斯达克市场上收盘上涨8.2%，报154.38美元。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子公开了在人工智能加速器上直接堆叠高带宽内存（HBM）的下一代三维内存结构。这一新结构突破了传统HBM的水平布局方式，旨在减少数据移动距离和电力消耗，同时提供AI半导体的设计、生产和封装一体化解决方案。 三星电子在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的“FMS 2026”展会上首次展示了下一代3D内存“zHBM”和“zNAND-O”的样品，并发布了堆叠超过400层的第10代V NAND“V10 BV-NAND”。 zHBM采用了将内存垂直堆叠在加速器上方的新方式，旨在缩短运算设备与内存之间的数据移动距离，从而提高带宽和电力效率。 根据三星电子的说法，基于zHBM的系统性能可比HBM5提高最多8倍，电力效率提升可达3倍，热阻预计降低至一半以下。 在加速器与内存之间，将应用定制功能的中间层，以便根据客户开发的AI处理器调整内存容量、运算功能和数据处理结构。 不过，此次发布的产品为样品，并非实际量产产品。未来将通过与客户的共同设计和热管理技术验证，确定商业化时间表。 在NAND闪存方面，三星电子也扩大了垂直堆叠的范围。zNAND-O结合了V NAND技术和硅通孔电极，将NAND芯片打包为4层或8层，预计将在智能手机和PC等设备中提高数据加载速度和空间效率。 三星电子还发布了400层以上的V10 BV-NAND。该技术采用了将单元和周边电路分开后，垂直结合晶圆的键合技术，以及连接三个单元结构的堆叠方式。 通过这一技术，三星电子表示在相同面积上可存储的数据量比上一代提高了约58%。同时，读取、写入和输入输出性能也得到了改善，计划应对AI数据中心的高容量存储市场。 东芝在6月也公布了400层以上的第10代BiCS闪存开发计划，预计NAND竞争将朝着降低集成度、功耗和生产成本的方向发展，而不仅仅是堆叠层数的竞争。 在此次展会上，三星电子还展示了HBM4E、HBM5以及在内存内部执行部分运算的LPDDR5X-PIM。同时，通过企业级SSD PM1763和超高容量产品BM1773，满足AI学习和推理所需的存储需求。 此次技术发布被解读为三星电子在内存产品性能竞争之外，拓展半导体系统结构设计的业务范围。随着AI加速器与内存结合的加强，代工、逻辑设计和先进封装能力在市场竞争中的影响也将日益增加。 三星电子计划利用其在内存、系统半导体设计、代工和封装方面的综合业务结构，从产品设计阶段到量产全程支持客户。要使下一代3D内存实际应用于客户产品，稳定管理良率、发热和封装成本将是关键。

中国内存半导体企业创信内存（CXMT）在上市首日暴涨。然而，国内在线上却出现了“是否存在泡沫”的担忧，同时对未来AI内存市场的竞争格局也引起了关注。 27日（当地时间），创信内存在中国股市上市，股价较发行价上涨超过500%。受此影响，市值迅速跃升至中国股市第一位。 创信内存是中国主要的DRAM半导体企业，在美国对中国半导体的监管背景下，得到了中国政府的重点支持。最近，该公司还在积极进军AI服务器内存和高带宽内存（HBM）市场。 市场分析认为，此次股价暴涨的原因之一是苹果可能会采用中国制造的内存。外媒报道称，苹果正在考虑在部分产品中扩大使用中国内存，而对此，美国内存厂商美光则表示强烈反对。 尽管有这样的期待，但对于实际的商业竞争力和企业价值，负面意见占据主导。 社区网友们表示：“创信的股价真的是泡沫。既不便宜，量也不大，质量也不好”，“股票最大的利好是预期而非业绩”，“这样上涨以后，后面怎么承受”，“苹果的一个问题就让股价过度上涨了”等等。 此外，近期外资投资者在国内股市持续净卖出，网上也出现了“外资资金是否转向中国半导体股”的猜测。 然而，创信在上市首日的暴涨是否能转化为长期的企业价值仍然未知。半导体行业分析认为，创信内存在全球内存市场的份额和技术实力上，与三星电子、SK海力士、美光等仍存在差距，因此当前股价在很大程度上反映了未来的成长预期。 目前，全球DRAM市场实际上由三星电子、SK海力士和美光三家公司主导。三星电子占约40%的市场份额，SK海力士约占35%，美光约占20%，三者合计占据全球市场90%以上。相比之下，创信内存（CXMT）在全球市场的份额仍被估计为个位数，业内普遍将其评估为“全球第四位候选者”。 在技术实力方面，差距依然很大。SK海力士在AI半导体核心部件HBM（高带宽内存）市场几乎占据全球第一，向包括英伟达在内的全球AI企业供应HBM3E。三星电子虽然在HBM领域被视为后起之秀，但在DRAM制造技术和生产能力上仍保持着全球最高水平的竞争力。相对而言，创信内存在中国政府的大力支持下迅速成长，但在先进工艺技术、HBM量产经验和全球客户信任度方面，仍难以追赶三星电子和SK海力士。尤其是由于美国对半导体设备出口的监管，创信在获取最先进的EUV设备方面也受到限制，短期内缩小技术差距的难度较大。 未来的展望分为中国内需市场和全球市场。由于中国政府强力推动半导体国产化，创信内存在中国内需市场的份额有望持续扩大。然而，在全球AI内存市场，仍面临许多挑战。目前，AI服务器市场由英伟达、AMD、微软、亚马逊等全球大型科技公司主导，这些公司所需的HBM供应链仍以SK海力士和三星电子为中心。 股价也可能会同时反映这些期待与现实。创信内存在上市首日上涨超过500%，反映了市场的高期待，但如果未来的实际业绩和技术实力无法支撑这一点，可能会出现较大的波动。相反，如果中国政府的支持和内需市场的扩大持续，保持高企业价值的可能性也不能排除。SK海力士在AI内存需求持续扩大的情况下，预计中长期将是最大的受益者，但短期内则面临获利了结和估值压力的变数。三星电子在HBM竞争力恢复方面被视为未来股价的关键变量。 综合来看，创信内存在中国市场有快速增长的潜力，但考虑到当前的技术实力和市场份额，业内普遍认为其在全球市场短期内难以对三星电子和SK海力士构成威胁。然而，如果中国政府持续投资并推动AI内存技术的发展，创信内存在长期内有可能成为全球内存市场的新竞争者。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。