中国公开EUV核心部件光源系统…仍处于样品阶段
中国公开了用于先进半导体生产的极紫外线(EUV)光刻设备的核心部件光源系统样品。 半导体光源开发公司朗道燧岩于10月12日在上海举行的第26届中国国际工业博览会上首次展示了EUV光源系统样品,中国官方媒体《解放日报》于15日报道。现场相关人士表示,该系统的国产化率达到90%,大部分核心部件为自主开发。 EUV光源是制造7纳米(nm)以下先进半导体所需的核心技术。它通过高功率激光照射锡滴形成等离子体,并利用在此过程中产生的波长为13.5nm的极紫外线。光源是EUV光刻设备的核心组成部分。除了光源系统外,聚光的精密反射光学系统、掩模、晶圆传输与对准系统等也是EUV光刻设备的关键部件。 朗道燧岩的光源系统采用激光产生等离子体(LPP)方式,这与荷兰ASML在其商业EUV光刻设备中使用的方式相同。公司公开的低功率光源系统‘FlintNano LPP-OXXO’的EUV输出超过15W,连续工作时间超过100小时。而ASML的商业EUV光刻设备通常要求数百瓦的光源输出。必须提高输出、长期稳定性和运行率,才能在工业现场应用。 博览会现场相关人士表示,“该光源系统达到量产阶段还需3至5年。”此次公开被认为具有重要意义,标志着中国在EUV光源技术上从理论研究阶段迈向样品验证阶段。 另一方面,朗道燧岩成立于2024年,由王豪博士研究团队基于清华大学气体放电等离子体研究成果创办。该公司获得了张江高科技园区下属投资公司和中芯聚源等的投资。※ 本报道经人工智能(AI)系统翻译与编辑。
2026-10-15 19:32:00