三星电子已向全球客户供应了下一代AI加速器用内存HBM4E 12层样品。在HBM4量产出货之后，三星电子提前推出6代HBM4E样品，表明其希望从HBM3E时代的落后局面中扭转局势。
根据29日的行业消息，三星电子全球首发HBM4E 12层样品出货。HBM4E是HBM4的后续产品，是影响AI半导体运算性能和电力效率的关键内存。随着大规模语言模型和推理型AI服务的普及，对高性能HBM的需求迅速增长，客户争夺战也愈发激烈。
在12层的情况下，容量为48GB。三星电子计划根据客户需求扩展产品线，包括32GB 8层和64GB 16层产品。随着AI加速器厂商扩大模型规模和运算量，HBM不仅是简单的部件，更成为影响系统性能的瓶颈技术。
市场调研机构TrendForce在今年初分析称，三星电子在HBM4验证阶段通过工艺改进在稳定性方面处于领先地位，随着AI需求的扩大，主要客户有可能同时利用三星电子、SK海力士和美光的供应链。
三星电子强调的差异化优势在于将内存、代工、系统LSI和先进封装整合为一体的交钥匙能力。HBM4E采用了1c DRAM和自家4纳米逻辑芯片。由于HBM不仅依赖内存单元性能，还需基底芯片和封装质量的配合，因此三星电子将综合半导体企业结构作为其优势。
电力效率和散热改善也是主要关注点。三星电子表示，HBM4E 12层产品的能效较前作提高了16%，热阻特性也提升了14%以上。由于在AI数据中心中，电力成本和散热管理成为核心负担，因此高速运作和电力效率在客户评估中变得至关重要。
三星电子在今年2月全球首发HBM4量产出货后，正在扩大供应。由于HBM4和HBM4E均基于1c DRAM和4纳米基底芯片的组合，业界普遍看好HBM4E的量产转型可能性。
关键在于客户认证和实际出货量。HBM市场的表现受大型AI半导体客户的采用情况影响大于技术发布。随着三星电子在HBM4量产出货后加快HBM4E样品供应，HBM4时代的竞争格局可能会发生变化。
黄相俊，三星电子内存事业部开发负责人表示：“在HBM4量产成功的基础上，顺利完成下一代HBM4E样品的供应，彰显了三星电子的技术领导力。我们将基于压倒性的技术优势和前瞻性的生产基础设施投资，引领全球AI内存市场的增长。”
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
