尽管三星电子实现了超出市场预期的业绩惊喜，但金融界对“半导体峰值过后”的担忧依然未能平息。然而，由于新厂的投产实际内存产量的扩大要到2028年以后才能显现，因此以内存为中心的有利供需环境在短期内不会动摇，这是业界的冷静判断。
根据7月9日的外媒和相关行业消息，美国财政部的分析师们最近撰写了一份内部报告，警告称基于大型科技公司的投资收益，人工智能（AI）数据中心过热的可能性。该报告以财政部长斯科特·贝森特等人为收件人，指出如果AI基础设施投资的收益未能达到预期，可能会对半导体、云计算和电力行业造成比过去互联网泡沫更广泛的冲击。
摩根士丹利在2021年曾提出所谓的“半导体寒冬论”，预见到行业的下行周期，被市场称为“死神”。在2024年，由于高带宽内存（HBM）供给过剩，摩根士丹利将SK海力士的目标价砍半，引发股价暴跌，显示出周期性的悲观情绪。
然而，半导体行业指出，资本市场的投资情绪萎缩并不意味着短期内需求的中断。三星电子每月65万至70万片的DRAM晶圆生产能力（CAPA）远超竞争对手，但在应对爆炸性增长的HBM和服务器用高容量DRAM需求方面显得捉襟见肘。SK海力士的新工厂青州M15X厂也在全力以赴，但面对涌入的客户订单，及时消化显得十分困难。
由于长期的产量不足，全球大型科技公司如英伟达、微软、谷歌和苹果等正在与国内两大内存公司扩大下一代HBM和服务器产品的供应伙伴关系，以提升自家AI芯片的运算速度。
尤其是考虑到三星电子和SK海力士最近公布的新生产线的完工时间和设备引进时间等物理指标，市场普遍认为，部分人担心的过剩供应现象短期内难以发生。
三星电子正在建设的平泽校园第四工厂（P4）最快要到明年上半年才能投产。SK海力士的龙仁半导体集群一期厂也要到明年年底才能首次投产。考虑到从洁净室建设到良率稳定所需的交付时间，市场上有意义的实际供应量预计要到2028年以后才能释放。
特别是从第六代HBM（HBM4）开始，先进的代工工艺和高难度封装技术将被引入，量产难度将呈几何级数增加。因此，即使投入相同的晶圆，实际芯片的纯生产量也必然会显著低于现有的通用DRAM。尽管设备投资使外部生产能力增加，但先进内存的实际供应量却难以轻易增加。
李钟焕，尚美大学系统半导体工程系教授表示：“宏观经济指标或心理因素可能会导致短期波动，但AI内存市场的核心在于技术瓶颈和物理供应限制。”他指出：“拥有先进工艺技术和量产能力的韩国企业的市场影响力将在一段时间内保持稳固。”
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
