为了向湖南半导体产业园提供用水，决定不再加高东福坝，而是在其下方建设新坝，以确保安全性。现有的东福坝将被拆除。
根据9月28日来自全南光州综合特别市的消息，负责施工的气候能源环境部得出结论，若将东福坝的高度从目前的44米提高到59米，增加的水压将难以承受。
因此，计划在现有坝下方200米处建设一个能够承受更多水量的新结构。
新坝的高度将超过现有东福坝，达到59米，预计蓄水量将超过2亿吨，比东福坝的9950万吨多出1亿吨。
在拆除东福坝的过程中产生的石材等材料将被回收利用于新坝的建设。
气候部表示，项目计划已更改，经过设计等程序后，将于明年下半年开始施工，预计在2030年完成，以便为光州军用机场的湖南半导体提供服务。
政府计划到2030年向半导体集群供应65万吨的水，其中东福坝30万吨，主岩坝和长兴坝各15万吨，宝城江坝和那州坝各10万吨。
目前，作为光州水源的东福坝也正在推进转型为多功能坝，由国家进行管理。
随着项目的推进，坝体扩建可能导致上游地区的淹没损失和居民迁移问题将成为焦点。
如果坝体水位提高15米，预计将淹没华顺和潭阳地区的8至10个村庄，266户家庭将受到影响。
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
