崔泰源SK集团会长在9日表示，将尽快在霍南地区建设半导体集群，并表示如有必要，将与龙仁半导体集群的建设并行进行。他计划即使电力和用水供应延迟，也会优先启动基础施工。
 
崔会长当天与SK海力士首席执行官郭弼正等主要管理层一同前往全南光州综合特别市的光州军机场和弹药库地块，检查工业园区建设计划和基础设施准备情况。

 
现场有全南光州综合特别市市长闵亨培等相关人员出席，介绍了地块及电力、用水、交通网络建设计划。崔会长在现场检查结束后，要求管理层“与政府及地方自治团体紧密合作，尽快推进西南地区半导体集群的建设”。
 
崔会长解释了此次访问的背景，表示“亲自确认比千言万语更为重要”，并称此行是为了检查在全南光州建设工厂的速度。
 

由于全球人工智能(AI)的普及，内存半导体的需求预计将比预期更快增长，因此SK认为必须加快生产设施的扩充。
 
崔会长表示：“预计需求将持续以相当快的速度增长，因此必须大幅提高扩张速度”，并指出“虽然将龙仁集群的整体完工时间提前了12年，但仍然感到不足”。
 
他还表示：“需要在其他地块建设生产设施，如有必要，可能会在龙仁和全南光州同时建设工厂”。
 
崔会长在最近的内部外部座谈会上强调，为应对AI时代，未来五年内必须将内存半导体的生产能力扩大到当前的两倍以上。
 
具体的开工时间将在审查政府和地方政府的基础设施建设计划后决定。崔会长表示：“需要重新计算国家的用水和电力供应计划与施工日程的衔接”，并认为“具体的时间点可能会很快公布”。
 
不过，他表示，如果基础设施建设稍有延迟，但可以开始施工，他会优先启动建设。
 
崔会长强调：“即使用水和电力供应延迟，只要可以开始基础施工等建设工作，我们会以最快的速度优先进行”，并表示“对这里的建设费用并没有节省的想法”。
 
霍南地区集群的规模目前计划为龙仁半导体集群的三分之二。崔会长表示：“如果地块更多，半导体需求增加，这里有可能会更大”，但并未透露具体的半导体生产厂（FAB）数量。
 
闵亨培市长表示：“将全力支持SK海力士稳定建设和运营世界一流的半导体工厂，不仅在地块和电力、用水方面，还包括人才培养和居住条件的保障”。
 
SK海力士在6月宣布将在霍南地区投资约400万亿韩元建设新的半导体集群。此后，主要管理层已十余次前往光州现场，与地方政府协商地块建设及基础设施供应方案。
 
霍南地区半导体集群是三星电子和SK海力士共同投资800万亿韩元建设四座内存半导体FAB的政府“韩国大跃进三大超级项目”之一。
 
政府在7月选择了约250万坪的光州军机场地块作为集群选址。由于大部分为国有土地，并且机场特性使其已经平整，因此考虑到可以缩短土地补偿和地块建设时间。
 
未来的项目进度将受军机场功能转移和电力、用水基础设施建设的影响。政府计划在2028年中期将军机场功能临时转移到其他机场，并推动在转移之前先在可利用的邻近地块开始施工。