![SK海力士开发总裁安贤在2026年10月14日于首尔COEX举行的第28届半导体展(SEDEX 2026)上发表演讲。 [照片=朴珍英记者]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/10/14/20261014115354264868.jpg)
SK海力士已明确其针对超越高带宽内存(HBM)的下一代内存市场的技术战略。随着人工智能(AI)推理市场的快速增长，内存间的数据传输成为新的瓶颈，SK海力士计划通过定制化HBM、高带宽闪存(HBF)和三维堆叠DRAM等技术，继续在AI半导体市场中保持领先地位。
SK海力士开发总裁安贤在10月14日于首尔江南区COEX举行的第28届半导体展(SEDEX 2026)主题演讲中强调：“为了实现AI基础设施的持续增长，必须超越单一内存性能的提升，优化整体内存层次。”
他特别提到，过去计算单元与内存之间的速度差异是问题，而未来HBM、DRAM和固态硬盘(SSD)等不同内存层次之间的数据传输将成为新的瓶颈。因此，除了提升现有内存的性能外，还需要在各层之间引入新的内存技术。
首先，HBM将演变为根据客户的AI系统量身定制的产品。SK海力士正在开发HBM4E和HBM5等下一代产品，并准备在基础芯片上搭载客户所需的功能。
安贤表示：“标准型HBM和定制型HBM将并行发展，但从长远来看，定制化趋势将进一步扩大，我们已准备好具备多项核心技术以充分满足客户需求。”
在HBM之后，SK海力士提出了HBF和三维堆叠DRAM技术。HBF是将HBM的堆叠技术应用于闪存的下一代内存，SK海力士的开发目标是实现与同代HBM相比，数据传输带宽降低至一半，同时存储容量提高10倍以上。
HBF的标准化也在加速进行中。SK海力士与闪迪和谷歌等全球合作伙伴合作，于今年7月在开放计算项目(OCP)上公开了初步规格，计划在明年1月制定最终规格。安贤强调：“在AI时代，多个客户和合作伙伴共同定义规格并制定标准，建立生态系统是非常必要的。”
三维堆叠DRAM技术是将DRAM直接堆叠在图形处理单元(GPU)等计算半导体上，目标是将输入输出连接数量扩大数十倍，提高数据传输性能并降低功耗。
此外，下一代企业级SSD技术“存储下一代(Storage-Next)”也在开发中。通过重新设计闪存和控制器结构，计划将输入输出处理性能提高4至8倍，并与客户共同开发。
安贤表示：“我们并不只是将内存视为单一组件，客户的技术需求各不相同，我们将通过新的内存解决方案推动AI生态系统的持续增长。”
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
