中国内存半导体领军企业创信内存科技（CXMT）宣布其第五代技术平台已进入量产阶段，声称为在全球内存市场与三星电子、SK海力士、美光科技等行业领先企业竞争提供了技术突破。 据中国媒体《澎湃新闻》和路透社报道，CXMT在9月20日于中国安徽省合肥举行的“2026世界制造业大会”上正式宣布了第五代技术平台的量产。 CXMT表示，通过这一新平台，可以以更低的成本和电力生产出更高性能的内存芯片。 具体而言，新平台将内存芯片内部的数据存储区域更加紧凑，电路间距缩小至11.95纳米。为此，CXMT采用了多次重复相同制造工艺的“四重图案化”技术，以制造更精细的电路图案。 CXMT副总裁罗晓东表示：“目前我们的工艺技术水平与业界正在量产的最先进工艺相当。” CXMT表示，随着此次微缩工艺的进展，内存集成度也大幅提升。根据CXMT的数据，第五代平台每片晶圆的芯片产量比第四代平台至少增加了50%。因此，产品的电力效率和成本竞争力也得到了改善。 CXMT还发布了基于第五代平台的两款24Gb（千兆位）LPDDR5X产品。LPDDR5X主要用于智能手机等移动设备，是一种低功耗D램。这两款产品的存储数据量比同类产品多出50%，并已开始量产，供应给中国主要智能手机厂商的旗舰产品。 CXMT期待此次量产能够为全球内存市场的供应链多元化做出贡献。 CXMT的技术进展与美国对中国半导体出口限制的背景相吻合，中国正努力降低对外国技术的依赖。自2022年以来，美国已限制中国获取先进半导体、半导体制造设备及相关软件的途径。 CXMT近期在全球D램市场的份额迅速扩大，正加速追赶三星电子和SK海力士。市场调研机构Counterpoint Research的数据显示，CXMT在全球D램市场的份额从去年第二季度的4%上升至今年第二季度的10%。 CXMT今年上半年的营收同比增长约10倍，净利润也实现了扭亏为盈。 高盛预计，CXMT到2028年将能够供应中国D램需求的约一半，并承担中国内存高带宽（HBM）需求的最大40%。

中国创信内存科技（CXMT）已成为全球DRAM市场的第四大企业，市场份额约为8%。该公司在2023年第一季度的收入较去年增长了719%。2025年，创信内存科技实现了自成立以来的首次盈利，目前正计划通过在上海证券市场上市筹集数百亿资金。公司表示，已开始量产服务器用的DDR5和移动设备用的LPDDR5X，同时以市场价的一半出售旧款DDR4。几年前，该公司还被称为“差距五年”。半导体行业是一个难以追赶的领域，因为微细工艺的成功往往依赖于失败的经验积累。要掌握在哪个步骤上出现缺陷、在什么条件下良率曲线下滑，必须经过数千次的试验和错误。虽然可以购买设备，但无法购买操作这些设备的条件。韩国内存产业在过去30年中所建立的进入壁垒，正是这种时间的积累。因此，当后发企业的进度突然加快时，技术泄露往往被视为根本原因。当然，不能仅仅将中国的追赶归因于一次泄露。国家补贴、庞大的内需市场以及能够承受亏损的资本共同作用。然而，如果学习曲线异常缩短，自然会让人怀疑是否有人提供了跳过这一曲线的资料。实际上，这种事件屡见不鲜。曾因涉嫌将三星电子18纳米DRAM工艺信息泄露给CXMT而被判处6年4个月监禁和200万元罚款的前高管，最近在重审中被判刑。另一名曾在SK海力士工作并转至华为子公司的前员工，因涉嫌打印工艺资料而在上诉中被判处5年监禁和30万元罚款。业界普遍认为，5至6年的刑期无法有效遏制诱因。中国企业向核心人才提供数倍于现有薪水的待遇。完成合同后，即使在国内工作20年也难以获得的资产将留给他们。即使被韩国法律制裁，他们也可能会计算出服刑后仍能获利的可能性。值得注意的是，以上两起案件都因《产业技术保护法》和《反不正当竞争法》的修订而使得一审的刑罚加重。对罪行的界定标准也不够明确。虽然根据泄露文件的数量、资料的市场价值以及泄露者所获得的报酬来计算损失，但真正重要的并不是文件的数量，而是缩小技术差距所需的时间。产业技术泄露并不是个人因背叛公司而引发的离职争议，而是国家花费数十年时间、税收和人力积累的资产被转移到竞争国，个人从中获利的行为。因此，惩罚机制也应与此性质相符。在量刑标准中，应将国家核心技术的海外泄露作为独立的加重因素，并将损失计算标准从泄露者所获得的报酬转移到重新获取技术所需的时间和成本上。只有真正执行犯罪收益的没收和追缴，才能避免“服刑后仍有利可图”的计算。对中介人和介绍组织的单独惩罚，以及对通过海外法人和合作伙伴进行的间接泄露的监控也应同步进行。技术泄露的代价是致命的。已有评估认为，通用DRAM市场的份额已相当大程度上被让出。在中国企业以半价出售DDR4并进入DDR5量产阶段的市场中，韩国企业不得不面临市场份额下降的局面。剩下的防线是高带宽内存（HBM）及其后的先进AI半导体。即使是CXMT也承认在HBM领域与韩国企业存在2至4年的差距。这种差距可能会因几份资料而消失。HBM技术涉及DRAM核心、基底芯片、堆叠和封装、热设计等多个方面。虽然可以推测出各个工艺，但同时掌握这些条件只能通过经验获得。目前正处于向定制HBM和先进封装过渡的阶段，正是泄露最为脆弱的时刻。已经泄露的技术无法通过任何判决恢复。半导体的超越差距在于如何快速生产，而不是如何保持现有的2至4年优势。

SK海力士实现了70%的营业利润率，达到了历史最高的盈利水平。这一成绩超越了全球代工龙头TSMC，但中国的追赶被认为是未来高盈利结构的最大变数。 SK海力士于29日公告，第二季度营业利润为60兆5426亿韩元，营业利润率为76%。这一数字比去年同期的41%增长了约1.8倍，证明了其在半导体行业的盈利能力处于最高水平。这不仅仅是通过扩大产量，而是建立了每售出一件产品都能获得巨额利润的高附加值结构。 TSMC的利润率也连续三个季度被超越。去年第四季度，SK海力士的营业利润率为58%，而TSMC为54%，两者之间的差距仅为4个百分点。然而，在2023年第二季度，TSMC的营业利润率仅为60.3%，差距扩大至约15个百分点。 推动SK海力士利润率大幅提升的主要因素是高带宽内存（HBM）。HBM的平均利润率在60%左右，低于通用DRAM的80%，但由于向全球大型科技公司供应量激增，实际利润增长显著。SK集团会长崔泰源在今年2月曾强调：“HBM是怪物芯片，能够带来真正的丰厚利润。” 内存整体价格的上涨和稳定的交易结构也支撑了利润的激增。DRAM和闪存价格同时上涨，通用产品的盈利能力显著改善，加上与大型科技公司签订的长期供应合同（LTA）效应开始显现。通过基于固定价格的大规模长期供应，即使在供需不稳定的情况下，也建立了高利润结构。 安基贤 韩国半导体产业协会常务理事表示：“SK海力士不仅是简单的内存半导体供应商，更是AI基础设施市场中不可或缺的核心合作伙伴。”他还指出：“在有限的生产能力下，SK海力士通过高附加值产品的结构改善，树立了行业内难以打破的盈利标杆。” 然而，有观点指出，在中国的激烈追赶下，保持持续盈利能力的实际应对措施亟需制定。创信内存科技（CXMT）和长江存储科技（YMTC）等中国半导体企业，凭借政府的巨额补贴和自身技术，迅速扩大市场份额。CXMT的全球DRAM市场份额去年第一季度仅为3%，但在短短一年内飙升至8%，显示出威胁性的增长势头。 产业研究院在今年2月发布的《先进产业的中韩竞争力分析与政策方向》报告中分析称：“在半导体领域的30个评估项目中，研发（R&D）和成品生产等19个项目（63.3%）中，中国已超过韩国。”即使SK海力士在HBM市场保持独特地位，但如果中国的低价产品冲击通用内存价格，可能会对整体盈利能力造成压力。 金阳平 产业研究院专业研究员表示：“HBM引领的超高盈利结构看似稳固，但如果作为整体业绩支柱的通用内存盈利能力受到损害，整体业绩将无法避免下滑。”他强调：“中国以价格竞争力为武器侵入市场的速度超出预期，因此需要通过提前转型和获取下一代超竞争技术，进一步拉大与中国的差距。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

科斯皮连续两日暴跌，投资者的目光转向8月股市。 29日，科斯皮收盘下跌360.42点（5.98%），报5663.24点。科斯达克指数也在前一天暴跌（-7.72%）后，今日再跌43.17点（6.12%），收于662.68点。 盘中，指数一度下跌超过8%，持续1分钟，触发了熔断机制。这是科斯皮和科斯达克连续两日触发熔断机制的首次情况。熔断机制启动后，股市所有股票交易暂停20分钟。 此次暴跌的主要原因是半导体股。28日，科斯皮因中国内存半导体企业创信内存科技（CXMT）成功上市及中国半导体设备技术进展的消息，暴跌10.84%，收于6023.66点。 三星电子和SK海力士的股价分别下跌超过14%。这两只股票在科斯皮市值中占比超过一半，半导体股的下跌拖累了整体指数。当天，外资在证券市场上净卖出约5万亿韩元。 29日，SK海力士的业绩发布成为进一步下跌的催化剂。尽管SK海力士的利润大幅增长，但市场对AI热潮的期待未能得到满足，导致股价暴跌。 市场开始质疑，当前的业绩是否能够持续，AI投资的扩展是否能以目前的速度继续。一些大型半导体股如三星电子和SK海力士的买盘过于集中，也加大了下跌幅度。 对于8月市场，反弹可能性与额外波动的预期同时存在。 国内证券业界认为，科斯皮短期内下跌过快，股价下跌的速度远超企业业绩预期的下调速度。 市场稳定措施也将成为8月股市的变量。金融监管机构将个人投资者在单一股票杠杆ETF的现金存款要求提前至7月31日。个人投资者需保持至少3000万韩元的现金存款才能交易该产品。 然而，监管加强可能在短期内促使杠杆产品的头寸整理，增加卖压。监管效果是否能带来市场稳定，或引发资金流出仍然不确定。 美国大型科技公司的业绩也是重要变量。市场关注微软、Meta、亚马逊、苹果等美国大型科技公司的业绩及AI投资计划。 特别是定于8月26日的英伟达业绩发布，被视为影响AI和半导体股投资情绪的关键日程。如果业绩和未来展望未能满足市场预期，韩国半导体股可能再次面临卖压。 相反，如果确认AI相关的销售和订单增长，将为过度下跌的半导体股带来反弹的机会。 美国货币政策和国际油价也需关注。 8月将公布美国就业报告和消费者物价等主要经济指标。从27日至29日，美国联邦储备系统官员将召开杰克逊霍尔会议，讨论未来的货币政策方向。 由于中东地缘政治紧张，国际油价可能再次上涨，这将加大物价不安，并削弱美国降息的预期。如果利率和美元上涨，将对外资占比较高的韩国股市造成压力。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

中国内存半导体企业创信内存科技(CXMT)正在迅速扩大生产和市场份额，预计将追赶三星电子、SK海力士和美国美光。然而，由于未能获得生产先进半导体所需的极紫外光(EUV)光刻设备，缩小技术差距的难度也被提出。 根据26日（当地时间）彭博社的报道，野村证券对CXMT给予买入评级，并将目标股价定为116元。这一价格比发行价8.66元高出1239%。 CXMT的股价在当天上海证券市场上市首日一度飙升至55.03元，较发行价上涨535%。野村的目标股价比当天的最高价高出约111%。 野村分析师唐尼·滕表示：“未来几年，全球内存半导体供应将无法跟上需求，CXMT的市场份额将更快提升。” 他特别指出，随着“代理AI”的普及，预计到2030年全球内存半导体的使用量将增加超过7倍。 野村预计，CXMT的内存半导体生产量到2030年将每年增长40%至45%。全球DRAM市场份额也预计将从当前约10%提升至2028年底的18%。 野村的目标股价是基于CXMT在2028年预计的利润计算的，认为CXMT的企业价值可能是美国竞争对手美光的近两倍。 然而，晨星将CXMT的合理股价定为14.90元，仅为野村目标股价的八分之一，且远低于上市首日的股价。 晨星分析师郑杰伟指出，CXMT未能获得EUV设备是最大的风险。EUV是制造更小、更精确半导体电路所需的先进设备。 晨星认为，CXMT在没有EUV设备的情况下，继续提升DRAM性能将面临困难，且技术水平落后于三星、SK海力士和美光，导致其产品只能以更低的价格出售，盈利能力也较低。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。