中国创信内存科技（CXMT）已成为全球DRAM市场的第四大企业，市场份额约为8%。该公司在2023年第一季度的收入较去年增长了719%。2025年，创信内存科技实现了自成立以来的首次盈利，目前正计划通过在上海证券市场上市筹集数百亿资金。公司表示，已开始量产服务器用的DDR5和移动设备用的LPDDR5X，同时以市场价的一半出售旧款DDR4。几年前，该公司还被称为“差距五年”。
半导体行业是一个难以追赶的领域，因为微细工艺的成功往往依赖于失败的经验积累。要掌握在哪个步骤上出现缺陷、在什么条件下良率曲线下滑，必须经过数千次的试验和错误。虽然可以购买设备，但无法购买操作这些设备的条件。韩国内存产业在过去30年中所建立的进入壁垒，正是这种时间的积累。
因此，当后发企业的进度突然加快时，技术泄露往往被视为根本原因。当然，不能仅仅将中国的追赶归因于一次泄露。国家补贴、庞大的内需市场以及能够承受亏损的资本共同作用。然而，如果学习曲线异常缩短，自然会让人怀疑是否有人提供了跳过这一曲线的资料。
实际上，这种事件屡见不鲜。曾因涉嫌将三星电子18纳米DRAM工艺信息泄露给CXMT而被判处6年4个月监禁和200万元罚款的前高管，最近在重审中被判刑。另一名曾在SK海力士工作并转至华为子公司的前员工，因涉嫌打印工艺资料而在上诉中被判处5年监禁和30万元罚款。
业界普遍认为，5至6年的刑期无法有效遏制诱因。中国企业向核心人才提供数倍于现有薪水的待遇。完成合同后，即使在国内工作20年也难以获得的资产将留给他们。即使被韩国法律制裁，他们也可能会计算出服刑后仍能获利的可能性。值得注意的是，以上两起案件都因《产业技术保护法》和《反不正当竞争法》的修订而使得一审的刑罚加重。
对罪行的界定标准也不够明确。虽然根据泄露文件的数量、资料的市场价值以及泄露者所获得的报酬来计算损失，但真正重要的并不是文件的数量，而是缩小技术差距所需的时间。
产业技术泄露并不是个人因背叛公司而引发的离职争议，而是国家花费数十年时间、税收和人力积累的资产被转移到竞争国，个人从中获利的行为。因此，惩罚机制也应与此性质相符。在量刑标准中，应将国家核心技术的海外泄露作为独立的加重因素，并将损失计算标准从泄露者所获得的报酬转移到重新获取技术所需的时间和成本上。只有真正执行犯罪收益的没收和追缴，才能避免“服刑后仍有利可图”的计算。对中介人和介绍组织的单独惩罚，以及对通过海外法人和合作伙伴进行的间接泄露的监控也应同步进行。
技术泄露的代价是致命的。已有评估认为，通用DRAM市场的份额已相当大程度上被让出。在中国企业以半价出售DDR4并进入DDR5量产阶段的市场中，韩国企业不得不面临市场份额下降的局面。剩下的防线是高带宽内存（HBM）及其后的先进AI半导体。即使是CXMT也承认在HBM领域与韩国企业存在2至4年的差距。
这种差距可能会因几份资料而消失。HBM技术涉及DRAM核心、基底芯片、堆叠和封装、热设计等多个方面。虽然可以推测出各个工艺，但同时掌握这些条件只能通过经验获得。目前正处于向定制HBM和先进封装过渡的阶段，正是泄露最为脆弱的时刻。
已经泄露的技术无法通过任何判决恢复。半导体的超越差距在于如何快速生产，而不是如何保持现有的2至4年优势。
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
