国内半导体行业在人工智能（AI）投资扩大的推动下，前景乐观。随着AI推理需求的激增，高带宽内存（HBM）等高性能内存市场迅速增长，国内半导体企业也在加速应对中国技术追赶的下一代技术开发竞争。SK海力士开发总裁安贤在14日于首尔江南区COEX举行的第28届半导体展(SEDEX 2026)的主题演讲中表示：“预计到2030年，AI基础设施的性能规模将比今年增长约20倍。”安贤指出，随着AI推理的工作复杂度、处理信息量和请求量同时增加，内存需求也急剧上升。特别是，随着AI处理的信息存储和再利用的“KV缓存”增多，HBM、DRAM和固态硬盘（SSD）之间的数据移动成为新的性能瓶颈。为此，SK海力士将扩大定制化HBM的开发，同时推进高带宽闪存（HBF）的开发，目标是容量超过HBM的10倍，并在运算半导体上直接堆叠DRAM。安贤表示：“标准型HBM和定制型HBM将并行发展，但从长远来看，定制型产品将更为普及。”此外，中国的内存技术追赶也是国内企业竞争的一个变量。中国内存企业长鑫存储科技（CXMT）已预告将在下一代服务器用DRAM中应用“4F²”（四方形）技术。4F²技术可以缩小DRAM单元面积，使同一空间内存储更多数据。当天，三星电子首席技术官宋在赫在活动现场被问及4F²技术的开发进展时回答：“是的。”但对于开发进展情况，他表示：“我们正在努力。”此前，三星电子和SK海力士也一直在研究该技术，但因成本问题尚未应用于量产。随着中国技术开发速度的加快，国内企业也在全力争取下一代内存技术的掌握。在此背景下，双方在展会上分别展示了各自的下一代AI半导体技术和商业战略。三星电子展示了涵盖内存、代工和先进封装的综合半导体实力，介绍了下一代HBM4E、基于4纳米工艺的HBM4E基础芯片以及三维内存技术zHBM等AI半导体综合解决方案。在新设的“半导体集群区”中，公开了包括龙仁国家产业园区等主要生产基地和基础设施扩展计划。三星电子计划在龙仁国家产业园区投资约360万亿韩元，预计于2027年开始土地开发和建设，目标在2029年10月启动首条生产线。SK海力士则重点展示了以HBM为中心的AI内存技术和与英伟达的合作。在展位内最大规模的展台上，展示了HBM、HBF结构模型、高性能DRAM和企业用SSD等产品。特别是，展示了英伟达的“贝拉·鲁宾”超级芯片和首席执行官黄仁勋签名的HBM晶圆，以强调双方的合作关系。同时，还展示了256GB的服务器用3DS RDIMM和移动用LPDDR6等多种内存产品。 ※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士已明确其针对超越高带宽内存(HBM)的下一代内存市场的技术战略。随着人工智能(AI)推理市场的快速增长，内存间的数据传输成为新的瓶颈，SK海力士计划通过定制化HBM、高带宽闪存(HBF)和三维堆叠DRAM等技术，继续在AI半导体市场中保持领先地位。 SK海力士开发总裁安贤在10月14日于首尔江南区COEX举行的第28届半导体展(SEDEX 2026)主题演讲中强调：“为了实现AI基础设施的持续增长，必须超越单一内存性能的提升，优化整体内存层次。” 安贤在以“AI时代，内存技术的演变方向”为主题的演讲中指出，随着AI推理需求的快速增长，现有内存结构的局限性逐渐显现。他预测，到2030年，AI基础设施的规模将比今年扩大19倍。 他特别提到，过去计算单元与内存之间的速度差异是问题，而未来HBM、DRAM和固态硬盘(SSD)等不同内存层次之间的数据传输将成为新的瓶颈。因此，除了提升现有内存的性能外，还需要在各层之间引入新的内存技术。 首先，HBM将演变为根据客户的AI系统量身定制的产品。SK海力士正在开发HBM4E和HBM5等下一代产品，并准备在基础芯片上搭载客户所需的功能。 安贤表示：“标准型HBM和定制型HBM将并行发展，但从长远来看，定制化趋势将进一步扩大，我们已准备好具备多项核心技术以充分满足客户需求。” 在HBM之后，SK海力士提出了HBF和三维堆叠DRAM技术。HBF是将HBM的堆叠技术应用于闪存的下一代内存，SK海力士的开发目标是实现与同代HBM相比，数据传输带宽降低至一半，同时存储容量提高10倍以上。 HBF的标准化也在加速进行中。SK海力士与闪迪和谷歌等全球合作伙伴合作，于今年7月在开放计算项目(OCP)上公开了初步规格，计划在明年1月制定最终规格。安贤强调：“在AI时代，多个客户和合作伙伴共同定义规格并制定标准，建立生态系统是非常必要的。” 三维堆叠DRAM技术是将DRAM直接堆叠在图形处理单元(GPU)等计算半导体上，目标是将输入输出连接数量扩大数十倍，提高数据传输性能并降低功耗。 此外，下一代企业级SSD技术“存储下一代(Storage-Next)”也在开发中。通过重新设计闪存和控制器结构，计划将输入输出处理性能提高4至8倍，并与客户共同开发。 安贤表示：“我们并不只是将内存视为单一组件，客户的技术需求各不相同，我们将通过新的内存解决方案推动AI生态系统的持续增长。”

SK海力士宣布已向主要客户供应下一代AI超高性能DRAM新产品——第七代高带宽内存（HBM4E）12层样品。SK海力士表示：“我们能够向客户展示HBM4E 12层样品，得益于我们在HBM前沿开发能力和生产经验的积累。”并强调：“我们将与核心客户紧密合作，确保及时量产。”此次样品供应的开始，预计将进一步巩固SK海力士在面向英伟达的下一代AI内存市场中的独占地位。新产品在性能和能效方面均较前代HBM4有了显著提升。其每引脚最大数据处理速度达到16Gbps，能效提升超过20%，大幅提高了人工智能（AI）学习和推理所需的数据处理性能。此外，HBM4E通过最新的接口和设计优化，减少了数据传输延迟，并在高带宽环境下实现了稳定运行。公司预计，这将进一步提升下一代AI数据中心和大规模计算系统的处理效率。特别是HBM4E采用了先进的MR-MUF工艺，实现了12层堆叠的48GB容量，同时提高了结构稳定性。与HBM4相比，其热阻降低了约17%，确保内存在高性能计算环境下的稳定运行。SK海力士开发总裁安贤

NHN于11日宣布，任命杨哲雄为首席技术官(CTO)。NHN将应对日益重要的人工智能(AI)原生转型和未来技术竞争力的市场环境，加速集团层面的技术创新。 据NHN介绍，杨哲雄CTO拥有韩国科学技术院(KAIST)计算机科学博士学位，在互联网基础设施、流量优化、网络、安全和云计算领域拥有超过20年的经验。自2022年加入NHN云计算后，他担任安全开发实验室的研究所所长，主导安全技术的研发和平台的升级。 杨CTO将通过利用AI推动开发创新，提高组织的执行速度。同时，他将系统化技术路线图和研发方向，提升集团的技术竞争力。他将主导集团内部AI应用的推广和技术合作，专注于人工智能转型(AX)的推进。 由于杨CTO在云安全领域的专业性，预计他将在引入日益先进的AI技术过程中，帮助建立数据安全基础设施，创造可信赖的AX环境。 在10日举行的NHN员工市政厅会议上，杨CTO提出了AI时代技术组织的核心关键词“速度与方向”。他强调，通过AI提高组织的生产力和执行力，同时在技术路线图和业务方向上进行选择与集中将变得更加重要。 杨CTO表示：“AI不仅是一个简单的工具，它正在成为我们工作的伙伴。快速行动固然重要，但正确的方向同样关键。我将基于技术战略和执行力，连接集团层面的技术能力，创造协同效应。” NHN在首席执行官(CEO)郑宇镇的领导下，建立了以杨哲雄CTO、安贤植首席财务官(CFO)、黄善英首席法律官(CLO)、李承灿首席人事官(CHRO)和游戏业务部门代表金相浩(游戏业务总监)为核心的C级领导体系。 NHN计划在现有领导体系的基础上，扩大集团共同研发，巩固作为技术企业的地位，并增强未来的增长基础。预计游戏、支付、电子商务等多个业务部门将实现有机连接。 NHN相关人士表示：“我们将以此为基础，强化应对AX时代的中长期技术战略，巩固作为技术企业的竞争力和地位。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

【经济日报】SK海力士在AI内存市场取得主导地位后，开始向管理层发放长期绩效奖励，以加强与企业价值的责任经营。根据6日金融监督院的电子公告系统，SK海力士总裁郭鲁正截至4日持有公司股票1万4312股，比上月7日的8434股增加了5878股。这是由于公司根据长期绩效奖励计划发放的股票，按当天收盘价计算，价值约94亿韩元。同期，开发总监安贤的持股从6834股增加到8319股，增加了1485股，价值约23亿韩元。SK海力士上月22日宣布，将对在高带宽内存市场做出贡献的管理层进行股票奖励，以提升企业价值和责任经营。郭总裁、安总监以及前副会长朴正浩等人都在奖励名单中，总计发放1万2271股，价值约196亿韩元。业内人士认为，此次奖励是对SK海力士在HBM市场取得主导地位的认可。公司通过扩大对英伟达等主要客户的供应，巩固了HBM市场的领先地位，推动了业绩反弹。此外，朴正浩的持股变动未在当天单独公告。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士宣布在国际电气电子工程师学会（IEEE）主办的2026年IEEE颁奖典礼上获得企业创新奖。IEEE是全球顶尖的技术专家组织，其颁奖典礼已有百年历史，表彰在技术创新和社会进步方面的杰出贡献。企业创新奖自1986年起颁发，表彰通过创新技术推动产业和社会发展的企业。SK海力士首次获得此奖项。SK海力士表示，公司通过稳定量产各代高带宽内存（HBM），促进全球AI计算生态系统的发展，并提供突破AI平台性能限制的关键内存解决方案，成为全球AI市场的可信赖伙伴。此次获奖是对HBM创新和应用推动AI计算扩展的认可，SK海力士在全球AI市场中率先提供创新HBM解决方案，并及时响应客户需求。在崔泰源SK集团会长强调长期技术竞争力的管理方针下，公司持续扩大与美国大型科技公司的AI基础设施合作，这也是获奖的重要因素。安贤开发总裁代表公司出席颁奖典礼并领奖。他表示：“代表不断挑战技术极限并取得突破的SK海力士员工领奖感到荣幸。我们将继续与全球客户和合作伙伴紧密合作，创造市场所需的价值，成为引领AI创新的一流企业。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士在TSMC主办的技术活动中，展示了其在下一代高带宽内存（HBM）市场的具体路线图。 SK海力士于22日在美国加州圣何塞的“TSMC 2026技术研讨会”上，展示了第六代HBM的开发进展和下一代封装技术。 在此次研讨会上，SK海力士重点介绍了AI时代的核心组件HBM4，强调了从HBM4开始采用TSMC的先进逻辑工艺生产“基底芯片”的变化。 基底芯片是连接GPU并控制整个内存的关键组件，采用超微细工艺后可集成客户定制功能。 两家公司不仅是部件供应合作，还在定制HBM市场展开战略合作。SK海力士计划结合TSMC的“CoWoS”技术和自身HBM技术，提供符合全球大科技公司需求的解决方案。 当天，SK海力士还展示了256GB 3DS RDIMM和GDDR7等AI基础设施所需的最新产品，彰显技术领导力。 SK海力士计划在2026年量产HBM4，建立紧密的客户-代工厂-内存合作生态系统，巩固其作为AI内存提供商的地位。 安贤 SK海力士开发总裁表示：“目前AI技术的瓶颈在于内存带宽限制，无法快速处理不断增长的数据。我们将超越标准HBM，提供满足客户特定需求的‘定制HBM’，并扩展到包括DRAM和NAND闪存的全套解决方案。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。