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‘碳化硅’新闻 2个
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DB 하이텍全球首个8英寸SiC代工工艺验证完成，2027年量产DB 하이텍已完成全球首个基于8英寸晶圆的1200V碳化硅(SiC)功率半导体代工工艺的可靠性验证。随着目前6英寸晶圆在SiC市场的主流地位，行业正向8英寸转型以提高成本竞争力，DB 하이텍将在2027年量产前积极拓展客户。 DB 하이텍于9日宣布，已完成8英寸1200V SiC MOSFET工艺的可靠性验证。该公司表示，已建立从设计到晶圆制造、电气特性评估及可靠性验证的全方位代工体系。 SiC材料相较于传统硅材料在高温和高电压下表现更为优越，广泛应用于电动车、新能源及工业电力设备等领域。晶圆从6英寸扩大到8英寸后，每片晶圆可生产的芯片数量增加，这被视为降低SiC价格的关键转折点。 DB 하이텍向客户提供自主开发的1·2代1200V SiC MOSFET工艺设计套件(PDK)。PDK是为客户提供的设计规则和模型的集合，帮助客户根据代工工艺设计芯片。公司认为，这将加速客户的原型制作，整体开发周期可缩短超过一年。 第二代工艺的特性包括电阻率低于2.5mΩ·㎠，阈值电压高于3V。公司计划在11月发布电阻率低于2.3mΩ·㎠的第三代PDK。 SiC业务是DB 하이텍将现有8英寸代工转型为高附加值功率半导体的核心支柱。公司设定目标，到2030年将AI数据中心、汽车及工业等高附加值产品的销售占比从2025年的24%提升至60%，整体销售额也将扩大至1.8万亿韩元。 DB 하이텍计划从今年第三季度开始优先向现有合作客户提供工艺服务，并在2027年第二季度向所有客户扩展服务。最近，公司还参加了欧洲和印度的功率半导体展会，积极寻求SiC和氮化镓(GaN)的新客户。 DB 하이텍相关人士表示：“此次可靠性验证的完成，意味着我们已掌握全球首个8英寸SiC代工服务的核心工艺技术和量产基础。”他还表示：“我们将为2027年8英寸SiC量产做好充分准备，进一步增强在下一代功率半导体代工市场的竞争力。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-09-09 18:36:00 -
AI推动电力半导体需求激增，政府加速培育新兴产业随着人工智能（AI）的普及，数据中心、电动车和下一代电网的需求迅速增加，政府正在加速培育下一代电力半导体产业。 产业通商部23日在首尔瑞草区的L塔举行了“下一代电力半导体论坛”，并宣布了“下一代电力半导体产业培育路线图”的进展。 该路线图是去年12月发布的“AI时代半导体产业战略”的后续措施。产业部自去年成立推进团以来，经过约4个月的制定，提出了该路线图。在论坛上，进行了中期检查，并讨论了未来的大型研发方向和南部电力半导体创新带的建设计划。 电力半导体是将供应的电力转换、分配和控制到设备所需用途的半导体。它是电动车、国防、高压直流输电（HVDC）、数据中心等领域的关键部件。特别是，基于SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）的产品在高温、高电压和高频环境下表现优异，需求快速增长。 政府计划通过中长期发展方案，确保电力半导体产业的核心技术和供应链稳定，从技术开发到验证和量产基础设施建设，以及专业人才培养。 计划超越现有的零散支持，结合电动车、国防、电网、数据中心等需求企业，策划从材料、器件、模块到系统验证的全周期整合型大型研发。 此外，将在地区核心据点建立电力半导体基础设施。计划在釜山电力半导体特化园区内升级公共晶圆厂基础设施，并支持在浦项、罗州等现有公共基础设施中获得的验证数据用于民间企业的产品量产过程。 为了培养南部电力半导体创新带内的核心人才，将联系地区重点大学，利用地区验证基础设施，制定以实战为主的教育课程，构建地区与产业共同成长的基础。 高级产业政策官崔宇赫表示：“在全球供应链重组加速的情况下，我们将化合物半导体作为重点开发项目，并以‘南部电力半导体创新带’为中心，与相关部门一起构建电力半导体产业发展的生态系统。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-04-23 20:05:03
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DB 하이텍全球首个8英寸SiC代工工艺验证完成，2027年量产
DB 하이텍已完成全球首个基于8英寸晶圆的1200V碳化硅(SiC)功率半导体代工工艺的可靠性验证。随着目前6英寸晶圆在SiC市场的主流地位，行业正向8英寸转型以提高成本竞争力，DB 하이텍将在2027年量产前积极拓展客户。 DB 하이텍于9日宣布，已完成8英寸1200V SiC MOSFET工艺的可靠性验证。该公司表示，已建立从设计到晶圆制造、电气特性评估及可靠性验证的全方位代工体系。 SiC材料相较于传统硅材料在高温和高电压下表现更为优越，广泛应用于电动车、新能源及工业电力设备等领域。晶圆从6英寸扩大到8英寸后，每片晶圆可生产的芯片数量增加，这被视为降低SiC价格的关键转折点。 DB 하이텍向客户提供自主开发的1·2代1200V SiC MOSFET工艺设计套件(PDK)。PDK是为客户提供的设计规则和模型的集合，帮助客户根据代工工艺设计芯片。公司认为，这将加速客户的原型制作，整体开发周期可缩短超过一年。 第二代工艺的特性包括电阻率低于2.5mΩ·㎠，阈值电压高于3V。公司计划在11月发布电阻率低于2.3mΩ·㎠的第三代PDK。 SiC业务是DB 하이텍将现有8英寸代工转型为高附加值功率半导体的核心支柱。公司设定目标，到2030年将AI数据中心、汽车及工业等高附加值产品的销售占比从2025年的24%提升至60%，整体销售额也将扩大至1.8万亿韩元。 DB 하이텍计划从今年第三季度开始优先向现有合作客户提供工艺服务，并在2027年第二季度向所有客户扩展服务。最近，公司还参加了欧洲和印度的功率半导体展会，积极寻求SiC和氮化镓(GaN)的新客户。 DB 하이텍相关人士表示：“此次可靠性验证的完成，意味着我们已掌握全球首个8英寸SiC代工服务的核心工艺技术和量产基础。”他还表示：“我们将为2027年8英寸SiC量产做好充分准备，进一步增强在下一代功率半导体代工市场的竞争力。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-09-09 18:36:00 -
AI推动电力半导体需求激增，政府加速培育新兴产业
随着人工智能（AI）的普及，数据中心、电动车和下一代电网的需求迅速增加，政府正在加速培育下一代电力半导体产业。 产业通商部23日在首尔瑞草区的L塔举行了“下一代电力半导体论坛”，并宣布了“下一代电力半导体产业培育路线图”的进展。 该路线图是去年12月发布的“AI时代半导体产业战略”的后续措施。产业部自去年成立推进团以来，经过约4个月的制定，提出了该路线图。在论坛上，进行了中期检查，并讨论了未来的大型研发方向和南部电力半导体创新带的建设计划。 电力半导体是将供应的电力转换、分配和控制到设备所需用途的半导体。它是电动车、国防、高压直流输电（HVDC）、数据中心等领域的关键部件。特别是，基于SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）的产品在高温、高电压和高频环境下表现优异，需求快速增长。 政府计划通过中长期发展方案，确保电力半导体产业的核心技术和供应链稳定，从技术开发到验证和量产基础设施建设，以及专业人才培养。 计划超越现有的零散支持，结合电动车、国防、电网、数据中心等需求企业，策划从材料、器件、模块到系统验证的全周期整合型大型研发。 此外，将在地区核心据点建立电力半导体基础设施。计划在釜山电力半导体特化园区内升级公共晶圆厂基础设施，并支持在浦项、罗州等现有公共基础设施中获得的验证数据用于民间企业的产品量产过程。 为了培养南部电力半导体创新带内的核心人才，将联系地区重点大学，利用地区验证基础设施，制定以实战为主的教育课程，构建地区与产业共同成长的基础。 高级产业政策官崔宇赫表示：“在全球供应链重组加速的情况下，我们将化合物半导体作为重点开发项目，并以‘南部电力半导体创新带’为中心，与相关部门一起构建电力半导体产业发展的生态系统。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-04-23 20:05:03
