DB 하이텍已完成全球首个基于8英寸晶圆的1200V碳化硅(SiC)功率半导体代工工艺的可靠性验证。随着目前6英寸晶圆在SiC市场的主流地位，行业正向8英寸转型以提高成本竞争力，DB 하이텍将在2027年量产前积极拓展客户。
DB 하이텍于9日宣布，已完成8英寸1200V SiC MOSFET工艺的可靠性验证。该公司表示，已建立从设计到晶圆制造、电气特性评估及可靠性验证的全方位代工体系。
SiC材料相较于传统硅材料在高温和高电压下表现更为优越，广泛应用于电动车、新能源及工业电力设备等领域。晶圆从6英寸扩大到8英寸后，每片晶圆可生产的芯片数量增加，这被视为降低SiC价格的关键转折点。
DB 하이텍向客户提供自主开发的1·2代1200V SiC MOSFET工艺设计套件(PDK)。PDK是为客户提供的设计规则和模型的集合，帮助客户根据代工工艺设计芯片。公司认为，这将加速客户的原型制作，整体开发周期可缩短超过一年。
SiC业务是DB 하이텍将现有8英寸代工转型为高附加值功率半导体的核心支柱。公司设定目标，到2030年将AI数据中心、汽车及工业等高附加值产品的销售占比从2025年的24%提升至60%，整体销售额也将扩大至1.8万亿韩元。
DB 하이텍计划从今年第三季度开始优先向现有合作客户提供工艺服务，并在2027年第二季度向所有客户扩展服务。最近，公司还参加了欧洲和印度的功率半导体展会，积极寻求SiC和氮化镓(GaN)的新客户。
DB 하이텍相关人士表示：“此次可靠性验证的完成，意味着我们已掌握全球首个8英寸SiC代工服务的核心工艺技术和量产基础。”他还表示：“我们将为2027年8英寸SiC量产做好充分准备，进一步增强在下一代功率半导体代工市场的竞争力。”
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
