为全国人民提供创业机会的‘全民创业’第二次招募吸引了超过9万名申请者，热度超过第一次。青年和非首都圈参与者的比例有所增加，‘全民创业’能否成为‘创业生态’发展的助推器备受关注。 根据中小企业部的消息，从8月20日至9月17日进行的第二次全民创业项目申请中，普通和技术领域申请者为8万764人，地方领域申请者为1万2074人，总申请人数达到9万2838人。 这一数字比第一次全民创业项目51天内的6万2944人增加了约3万人。 特别是，在所有申请者中，非首都圈的比例为63.3%，较第一次的53.4%增加了约10个百分点，显示出创业热潮正在向各地区扩散。 中小企业部建立了区域创业社区，以便全民创业的参与者、前辈创业者和投资机构等创业生态系统的所有成员能够持续交流。 以四个区域为中心，运营‘创业俱乐部’，由前辈创业者向后辈参与者传授创业见解和实际挑战过程的经验，同时也设立了支持参与者自主创业的‘共同创建俱乐部’。 此外，为提高运营的稳定性，指定了管理和监督各地区孵化机构的区域中心机构，并建立了创业振兴院与区域中心机构之间的常态沟通机制。 第一次项目时有119个孵化机构，而第二次项目则增加到170多个。包括韩亚银行、信诚广场大邱等大型和中型企业，以及京畿内容振兴院、韩国水资源公社等公共机构也新加入了孵化机构。 京畿大进科技园、江原设计振兴院、春川中年技术创业孵化中心、大田就业经济振兴院、全北创业产业发展协议会、全州信息文化产业振兴院、大邱庆北尖端医疗产业振兴基金会、庆北科技园等全国各地的多样化孵化机构也是此次的一个特点。 中小企业部表示，支持规模扩大到1万人，考虑到多样化的导师机构，增加了孵化机构的数量，以便不同领域的创意能够转化为实际业务。 青年群体的创业挑战也有所增加。10代（15.4%）和20代（36.4%）占总参与者的过半，39岁以下青年群体的比例达到71.8%，较第一次的68.0%有所上升。 在中小企业部部长职位空缺的情况下，第一副部长罗永锡和第二副部长李炳权在大田的忠南大学和仁川的仁荷大学举办了‘第二次全民创业校园巡展’，与青年创业者和大学生进行了交流。 在座谈会上，第一次全民创业项目第二轮入围者和学生创业者分享了他们将模糊的创意发展为具体商业计划的过程，以及在学业与创业之间的真实困惑。 ‘全民创业’能否成为‘创业生态’发展的助推器备受关注。今年‘全民创业’的预算为628亿韩元，加上追加预算2003亿韩元，总计投入2631亿韩元，而明年的政府预算案则比今年增加1780亿韩元（67.7%），达到4411亿韩元。 中小企业部创业政策局局长赵景元表示：“创业热潮在全国范围内跨越了各个年龄段，尽管招募时间短，但仍有超过9万名国民参与。”他还表示：“我们将加大支持力度，确保挑战能够转化为实际创业和成长，培养下一代的创新创业者。” ※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子与SK海力士在高带宽内存（HBM）之后的市场布局上出现了明显分歧。三星电子采取了针对客户人工智能（AI）芯片的“定制化”策略，而SK海力士则致力于占领多个客户可共同使用的“开放标准”。 根据5日的半导体行业消息，三星电子与SK海力士在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的“FMS 2026”上展示了下一代AI内存技术，技术方向明显分化以争夺HBM之后的市场主导权。 三星电子推出的技术是zHBM。与传统HBM将内存贴近AI加速器不同，zHBM将内存垂直叠加在AI加速器上。这样可以缩短处理器与内存之间的距离，从而加快数据传输速度并降低功耗。 三星电子表示，zHBM的性能可比HBM5高出最多8倍，功率与性能比最高可提高3倍，热阻可降低50%以上。随着AI模型的增大，数据传输瓶颈也随之加剧，因此采用将内存更靠近的方式来解决这一问题。 定制化设计也是关键。三星电子表示，可以在内存与AI加速器之间的中介层中加入客户特定的IP。这意味着可以根据客户的需求调整内存容量、加速器性能和功率条件。 在NAND方面，三星电子也强调了3D策略，展示了400层以上的第10代V NAND，即V10 BV-NAND。通过应用晶圆粘合技术，集成度比上一代提高了约58%。同时还展示了用于设备内AI的zNAND-O。 SK海力士的方向则是标准化。与闪迪合作，公开了高带宽闪存（HBF）的首个标准规格。HBF是一种新一代存储技术，能够像HBM一样快速传输数据，同时基于NAND扩大容量。 HBF是位于HBM与固态硬盘（SSD）之间的新层。随着AI推理的普及，数据量将增加并需要更频繁地调用。仅靠HBM会增加容量负担，而仅靠SSD则速度不足。SK海力士计划通过HBF填补这一空白。 此次标准的容量设定为最大512GB，带宽分为每秒约0.4TB至3.0TB的三个等级。与处理器的连接采用开放芯片接口UCIe，确保与GPU和CPU等不同芯片的连接。 SK海力士在FMS上首次展示了第10代375层4D NAND，产品的功率与性能比比上一代提高了2.5倍。公司计划在明年初基于此推出高性能、高容量的eSSD量产。 半导体行业人士表示：“后HBM竞争不仅是单一产品规格的较量，更是AI系统架构谁先掌控的斗争。”他指出：“三星通过客户定制化优化，SK海力士则通过开放生态系统，针对AI内存瓶颈采取了不同的策略。”

SK海力士于4日宣布，与闪迪共同发布了下一代存储技术HBF的首个标准规格。 SK海力士在美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行的'FMS 2026'上，将HBF介绍为解决人工智能时代内存瓶颈的关键技术。 HBF是一种新的内存层，位于高带宽内存(HBM)和大容量存储设备(SSD)之间。它保持了与HBM相同的快速数据处理速度，同时基于NAND闪存大幅提升容量，被认为是解决人工智能(AI)数据激增导致速度下降的关键技术。 自今年2月成立联盟以来，经过约6个月的努力，首次取得成果。公开的规格实现了将NAND芯片堆叠为8层和16层，最大容量可达512GB。带宽（每秒数据传输量）最高可达3.0TB/s。 采用下一代连接标准UCIe，使其能够与图形处理器(GPU)和中央处理器(CPU)等多种半导体灵活连接。 通过全球最大的开放数据中心合作体OCP（开放计算项目）发布，未来将作为行业共同标准使用。目前，谷歌和Tenstorrent等公司已参与该联盟。 在FMS 2026的展览中，SK海力士还将展示多项下一代技术。解决方案开发部门副部长金千成与下一代产品规划负责人姜旭成将共同发表关于AI基础设施效率提升的主题演讲。 特别是，全球首次公开了电力效率提高2.5倍的第10代(V10)375层4D NAND晶圆及相关产品。SK海力士计划在明年初开始量产基于该NAND的企业级SSD(eSSD)，以增强在AI内存市场的主导地位。 金千成副部长表示：“随着AI应用的快速普及，数据处理结构的全面重设计成为必要。”他强调：“通过HBF，我们将扩展内存与存储之间的界限，提出提升系统整体效率的新架构。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

一名10代少女因在家中厕所产子后遗弃致死，被判处有期徒刑。据韩联社5月2日报道，水原地方法院刑事11部（审判长宋炳勋）以虐待儿童致死罪判处被告A某有期徒刑2年6个月，缓刑2年，并要求其完成40小时的儿童虐待治疗课程。A某在17岁时于京畿道的家中厕所产下一名婴儿，因未能及时救助导致婴儿溺亡。法院表示，被告未能告知家人怀孕事实，未做好准备，且未得到男友帮助，导致仓促分娩后未能妥善处理，最终酿成悲剧。法院指出，生命无价，刚出生的婴儿生命也不例外。尽管被告尚未成年，但作为母亲有责任保护和抚养孩子，却未采取最低限度的措施，导致婴儿死亡。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。