亚洲日报 - 韩国最大中文报业集团

코인정보

KOSPI 5668.04
113.82 +2.05%
KOSDAQ 794.77
33.95 +4.46%
USD 1,333.50
11.1 -0.83%
EUR 1,501.19
6.11 -0.41%
JPY 845.16
6.15 -0.73%
CNY 199.49
1.51 -0.76%

英文越南语

2026年10月16日

youtube

时政
财经
社会
文化
产业
韩中交流
访谈

观点
体育
IT
现场
图片新闻
视频新闻
AI PICK

按日期查询查看最新新闻

weibo weixin youtube

时政
财经
社会
文化
产业
韩中交流
访谈

观点
体育
IT
现场
图片新闻
视频新闻
AI Pick

按日期查询查看最新新闻

时政
财经
产业
社会
文化
体育
访谈
观点
AI PICK

亚洲日报

新闻搜索

主页搜索

搜索

选择时间

一个星期
1个月
6个月
直接搜索
最后一次约会

搜索范围

标题
正文
标题+正文
关键词
记者
全部

全部的

‘DB 하이텍’新闻 1个

DB 하이텍全球首个8英寸SiC代工工艺验证完成，2027年量产

DB 하이텍已完成全球首个基于8英寸晶圆的1200V碳化硅(SiC)功率半导体代工工艺的可靠性验证。随着目前6英寸晶圆在SiC市场的主流地位，行业正向8英寸转型以提高成本竞争力，DB 하이텍将在2027年量产前积极拓展客户。 DB 하이텍于9日宣布，已完成8英寸1200V SiC MOSFET工艺的可靠性验证。该公司表示，已建立从设计到晶圆制造、电气特性评估及可靠性验证的全方位代工体系。 SiC材料相较于传统硅材料在高温和高电压下表现更为优越，广泛应用于电动车、新能源及工业电力设备等领域。晶圆从6英寸扩大到8英寸后，每片晶圆可生产的芯片数量增加，这被视为降低SiC价格的关键转折点。 DB 하이텍向客户提供自主开发的1·2代1200V SiC MOSFET工艺设计套件(PDK)。PDK是为客户提供的设计规则和模型的集合，帮助客户根据代工工艺设计芯片。公司认为，这将加速客户的原型制作，整体开发周期可缩短超过一年。第二代工艺的特性包括电阻率低于2.5mΩ·㎠，阈值电压高于3V。公司计划在11月发布电阻率低于2.3mΩ·㎠的第三代PDK。 SiC业务是DB 하이텍将现有8英寸代工转型为高附加值功率半导体的核心支柱。公司设定目标，到2030年将AI数据中心、汽车及工业等高附加值产品的销售占比从2025年的24%提升至60%，整体销售额也将扩大至1.8万亿韩元。 DB 하이텍计划从今年第三季度开始优先向现有合作客户提供工艺服务，并在2027年第二季度向所有客户扩展服务。最近，公司还参加了欧洲和印度的功率半导体展会，积极寻求SiC和氮化镓(GaN)的新客户。 DB 하이텍相关人士表示：“此次可靠性验证的完成，意味着我们已掌握全球首个8英寸SiC代工服务的核心工艺技术和量产基础。”他还表示：“我们将为2027年8英寸SiC量产做好充分准备，进一步增强在下一代功率半导体代工市场的竞争力。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-09-09 18:36:00

DB 하이텍全球首个8英寸SiC代工工艺验证完成，2027年量产

DB 하이텍已完成全球首个基于8英寸晶圆的1200V碳化硅(SiC)功率半导体代工工艺的可靠性验证。随着目前6英寸晶圆在SiC市场的主流地位，行业正向8英寸转型以提高成本竞争力，DB 하이텍将在2027年量产前积极拓展客户。 DB 하이텍于9日宣布，已完成8英寸1200V SiC MOSFET工艺的可靠性验证。该公司表示，已建立从设计到晶圆制造、电气特性评估及可靠性验证的全方位代工体系。 SiC材料相较于传统硅材料在高温和高电压下表现更为优越，广泛应用于电动车、新能源及工业电力设备等领域。晶圆从6英寸扩大到8英寸后，每片晶圆可生产的芯片数量增加，这被视为降低SiC价格的关键转折点。 DB 하이텍向客户提供自主开发的1·2代1200V SiC MOSFET工艺设计套件(PDK)。PDK是为客户提供的设计规则和模型的集合，帮助客户根据代工工艺设计芯片。公司认为，这将加速客户的原型制作，整体开发周期可缩短超过一年。第二代工艺的特性包括电阻率低于2.5mΩ·㎠，阈值电压高于3V。公司计划在11月发布电阻率低于2.3mΩ·㎠的第三代PDK。 SiC业务是DB 하이텍将现有8英寸代工转型为高附加值功率半导体的核心支柱。公司设定目标，到2030年将AI数据中心、汽车及工业等高附加值产品的销售占比从2025年的24%提升至60%，整体销售额也将扩大至1.8万亿韩元。 DB 하이텍计划从今年第三季度开始优先向现有合作客户提供工艺服务，并在2027年第二季度向所有客户扩展服务。最近，公司还参加了欧洲和印度的功率半导体展会，积极寻求SiC和氮化镓(GaN)的新客户。 DB 하이텍相关人士表示：“此次可靠性验证的完成，意味着我们已掌握全球首个8英寸SiC代工服务的核心工艺技术和量产基础。”他还表示：“我们将为2027年8英寸SiC量产做好充分准备，进一步增强在下一代功率半导体代工市场的竞争力。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
2026-09-09 18:36:00

上一页
1
下一页

热门新闻

剑指三星SK海力士长鑫存储4F²架构产品年底亮相
中国人形机器人亮相韩国国政监查成功抢镜
韩国金融机构遭大规模黑客袭击 26岁中国广东男子疑为幕后黑手
三星电子交出"史诗级"成绩单第三季度狂赚107.4万亿韩元
韩国成中国游客国庆出境游首选商家争抢假日消费商机

中国仙侠题材韩国升温网文网漫与电视剧多平台开花
【亚洲人之声】影视创作不应成为政治斗争的靶心
中朝新鸭绿江大桥正式开通韩国统一部高度关注
中朝新鸭绿江大桥15日开通
赴韩医疗旅游持续升温韩国功效型护肤市场加快发展

人民日报
新华社
文汇网
中新社
人民网

公司简介
个人信息处理方针
青少年保护政策
著作权规定
读者提供新闻线索
新闻稿件投诉负责人

亚洲日报|刊号 : 서울,아04336|注册日期 : 2014年12月29日|《亚洲日报》发行人及总编辑 : 郭永吉、梁圭铉|地址 : 首尔市
钟路区钟路5街13号三共大厦11楼|创刊日期 : 2007年11月15日|青少年保护负责人 : 王海纳电话 : 02-739-2171
《亚洲日报》将遵守互联网新闻委员会制定的伦理纲领。|本网站所刊登的各种新闻、信息和各种专题专栏内容, 均受《著作权法》
保护, 未经协议授权, 禁止随意转载、复制和散布使用。|邮件 : dongclub@ajunews.com

Copyright ⓒ AJUNEWS All rights reserved.