韩国两大芯片商三星电子和SK海力士正在其平泽和中国无锡的主要动态随机存取存储器（DRAM）生产基地提升产量，以满足不断增长的存储芯片需求。为应对通用型DRAM供应不足的风险，两家公司不仅在增加产量，还在积极提升堆叠DRAM高带宽存储器（HBM）的产量。为实现这一目标，主要生产线正加大晶圆（wafer）的投入。

据业界4日消息，三星电子平泽工厂今年第二季度的DRAM晶圆产量较前一季度增加了27%，预计达到82万片。三星内部相关人士透露，管理层已下达逐步增加DRAM晶圆投入量的指示。据预测，今年第三季度和第四季度的DRAM晶圆投入量将分别增至88万片和90万片，第四季度将达到最大产能。据悉，SK海力士也正在以中国无锡工厂和韩国利川工厂的M16生产线为中心，增加晶圆的投入量。SK海力士在HBM市场占有较高份额，随着用于HBM的DRAM数量增加，其现有通用型DRAM的销售额预计将有所减少。

两家公司目前的主要销售目标是现有的通用型DRAM市场，以及因人工智能（AI）热潮而需求激增的HBM市场。由于HBM采用堆叠最高端DRAM的方式，HBM销售额越高，DRAM供应量就越少。为弥补流向HBM的DRAM数量，两家公司正在大幅提升DRAM产量。全球市场研究机构TrendForce最新发布的报告预测，受HBM需求激增和通用型DRAM供应减少的双重影响，从今年第三季度开始，全球DRAM市场将供不应求，供应短缺状况将在第四季度进一步加剧。PC和移动设备等对DRAM需求量大的领域将首当其冲，面临明显冲击。

三星电子内部也预测，明年的DRAM生产能力将逆势增长。近期，基于这一预测，三星电子提高了DRAM生产能力。此外，三星电子正将DRAM工艺由现有的第四代10纳米级（1a）升级至第五代10纳米级（1b）。通常，在转换DRAM工艺的过渡期，生产线设备容易出现停机或需要维护、修复的情况，导致部分产能损失。

HBM的盈利能力普遍高于DRAM两到三倍以上，但通用型DRAM的销售额和营业利润也不容小觑。尽管HBM市场增长迅猛，其在整体存储芯片销售额中的占比仍维持在10%左右。市场调查机构S&P Global预测，今年SK海力士HBM业务在整体销售额中的占比最高可达15%至20%。

另外，SK海力士在扩大DRAM生产能力方面面临空间制约。与三星电子在平泽工厂增设DRAM生产线空间不同，SK海力士在明年11月计划竣工的M16X工厂建成之前，缺乏充足的空间来进一步提升DRAM产能。半导体业界相关人士表示，SK海力士去年受存储芯片市场低迷影响，陷入亏损，导致设备投资减少，洁净室建设所需投入亦被推迟。由于半导体生产需要在切断外部灰尘、维持恒温恒湿等环境条件的洁净室中进行，并随后引进设备，因此SK海力士扩大DRAM产能预计需时1至2年。
 

• #三星
• #芯片
• #SK海力士