三星电子在展示下一代高带宽内存(HBM)技术HBM5时，明确表达了在AI内存市场的领先意图。
6月2日，三星电子在台湾Computex 2026展会上首次公开了HBM5样机及下一代热管理技术。三星电子DS部门首席技术官(CTO)宋在赫强调，涵盖内存、代工、逻辑和封装的整体解决方案竞争力正在成为AI时代的核心竞争要素。
宋在赫表示，三星电子的HBM5通过增加独立的热传导路径来降低热阻，提高了操作稳定性，这是其优势所在。三星电子已完成HBM4E产品中HPB技术的实现与验证，并确认了结构设计、可靠性和封装稳定性。
三星电子还计划在HBM5中优先应用2纳米基础芯片，结合内存、代工和封装能力，以提升下一代HBM市场的技术竞争力。
此次展会上还公开了HBM4E晶圆和芯片组。三星电子的HBM4E结合了最先进的1c DRAM核心芯片和自家代工的4纳米工艺基础芯片。该产品于上月29日首次完成样品出货，稳定工作在每引脚14Gbps，并可实现最高16Gbps，最大带宽达到4TB/s。
三星电子还强调了支持英伟达下一代AI平台“贝拉·鲁宾”的内存和存储组合。在展区中展示了搭载三星电子产品的贝拉·鲁宾系统。三星电子表示，已具备HBM4、SOCAMM2、PM1763等相关产品系列。
市场调研机构Omdia预计，HBM市场规模将在2026年达到约589亿美元，到2029年将扩大至约1983亿美元，增长超过三倍。
宋在赫表示：“我们计划基于与包括英伟达在内的全球企业的合作，持续增强下一代内存技术的竞争力。”
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
