三星电子于12日（当地时间）作为最高级别的钻石赞助商参加了'OCP全球峰会2026'，发布了提升人工智能（AI）基础设施性能的下一代内存和存储技术战略及全球合作成果。 据业界消息，三星电子在此次活动中提出了三大技术方向：△第8代高带宽内存（HBM5）及定制HBM等高性能内存 △基于CXL的内存扩展技术 △利用下一代SSD的数据存储和管理技术。 心浩俊常务在主题演讲中介绍了以速度、内存扩展性和数据持久性为核心的技术战略。他强调：“为了应对日益庞大的AI模型和推理数据的增加，内存带宽的扩展、容量的保障和数据管理技术至关重要。” 同时，三星电子还展示了与全球企业的技术合作成果。三星电子与AMD共同演示了基于CXL的内存扩展解决方案，提出通过CMM-D基础的内存池技术灵活扩展AI系统的内存容量。 在展会现场，还设有两个专门区域，供参观者体验下一代内存技术。展出内容包括HBM4E、HBM5概念模型、LPDDR5X-PIM等高性能、低功耗内存，以及2纳米GAA晶圆、Grok LPU晶圆、NVIDIA Grok3 LPX系统等，全面展示了三星电子在晶圆代工和封装方面的综合技术实力。 根据市场调研机构的数据，三星电子在2023年第二季度的全球DRAM市场份额为39%（Counterpoint Research），NAND闪存市场份额为29.3%（TrendForce），均位居第一。 另一家市场调研公司Omdia预测：“今年三星电子的DRAM和NAND晶圆生产量将达到行业最高水平。”

三星电子近日公布了下一代人工智能（AI）内存——高带宽内存（HBM）的核心工艺路线图。计划在下一代HBM5中采用基于D1c工艺的核心芯片和基于2纳米的基础芯片，而HBM5E则将应用D1d工艺和2纳米工艺。 在美国加利福尼亚州圣荷西举行的“GTC 2026”大会上，三星电子内存事业部开发负责人黄相俊副总裁与记者交流时表示：“HBM5和HBM5E都采用核心芯片和基础芯片结构。” 黄副总裁进一步解释道：“HBM5的核心芯片采用D1c工艺，基础芯片则使用2纳米工艺。”他还表示：“HBM5E将应用基于D1d工艺的核心芯片和2纳米工艺的基础芯片。” HBM是通过将多个内存芯片垂直堆叠以实现高带宽的AI半导体核心部件。自最近几代起，内存核心芯片与负责运算和接口功能的基础芯片分离的结构已被采用。值得一提的是，HBM4E与HBM4一样，采用D1c工艺和4纳米工艺。 核心芯片负责存储数据的内存单元，而基础芯片则执行与GPU连接的接口和控制功能。基础芯片因需高性能逻辑而采用了先进的工艺。 此次计划显示了三星电子在下一代HBM中不仅结合内存工艺，还结合了代工技术的战略。特别是HBM5中应用2纳米代工工艺的方案确认，预计三星的先进工艺应用范围将进一步扩大。 三星电子目前正向全球AI半导体企业如英伟达等供应HBM，以增强其在AI内存市场的竞争力。业界普遍认为，下一代HBM的竞争将不仅限于内存工艺，还将扩展到代工技术和封装技术的综合技术竞争。 黄副总裁在GTC现场介绍了三星电子的AI内存战略。他表示：“在AI时代，内存不仅是简单的部件，而是决定系统性能的核心基础设施。” 业界普遍认为，此次路线图的公布是三星电子下一代AI内存战略的重要信号。尤其是同时拥有内存和代工能力的综合半导体（IDM）结构将在HBM竞争力的提升中发挥重要作用。 随着AI数据中心市场的快速增长，HBM的需求也在急剧上升。包括下一代HBM5在内的技术竞争将正式展开，全球内存企业之间的竞争也将更加激烈。

三星电子公布了通过三维结构创新突破人工智能（AI）时代内存限制的‘CUBE’战略。该战略不仅仅是提高内存的堆叠高度，还旨在提升容量、数据利用率、带宽以及电力和热效率。三星电子计划扩展产品线，包括HBM5、下一代zHBM以及填补DRAM和NAND之间的zNAND-O，以增强AI内存的主导权。 三星电子在台北举行的‘半导体台湾2026’内存执行峰会上，常务崔长石宣布了这一内存技术战略。CUBE代表容量（Capacity）、优化（Utilization）、带宽（Bandwidth）和效率（Efficiency）。 核心在于，随着AI对内存性能的要求不断提高，单靠传统平面结构的微型化已难以应对，因此积极采用三维结构。崔常务表示：“现在不再受限于PCB面积，而是可以通过垂直扩展来增加内存容量。” 如何有效利用每一层也变得至关重要。崔常务指出：“3D不仅仅是堆叠，关键在于如何利用每一层。”他表示，三星正在优化逻辑与内存的布局，以消除数据处理延迟。 影响AI运算性能的数据移动速度也是CUBE战略的一个重要方面。崔常务表示：“通过大幅缩短芯片之间的距离，可以形成垂直高速通道，从而显著改善带宽。”这意味着通过垂直连接芯片来缩短数据移动距离，提高处理能力。 电力和发热也是需要解决的课题。随着AI系统运算量的增加，移动数据所需的电力也在增加。崔常务指出：“3D的最终目标是减少移动单比特数据所需的能量，提升结构效率，以最大化每瓦特的性能。” 三星电子计划将这一战略应用于下一代HBM产品。目前正在开发的HBM5目标是将性能提高至HBM4E的两倍，瓦特性能提升20%，热阻降低20%。 三星电子还在开发针对HBM之后的zHBM，目标是将性能提高至HBM4E的8倍，瓦特性能提高3倍，热阻降低75%至90%。随着AI加速器的运算性能迅速提升，内存也必须在带宽、电力和发热方面进行改进。 针对DRAM和NAND之间的性能和容量差距，三星电子还准备了zNAND-O。zNAND-O的目标是将比特密度提高10倍，以容纳大规模语言模型（LLM）所需的大容量数据，同时在读取带宽和电力效率上提高7倍。三星电子计划在2028年开始提供样品。 三星电子在开发下一代产品的同时，也将其在现有内存市场中获得的生产基础视为AI内存竞争的优势。根据Counterpoint Research的数据，三星电子在2023年第二季度全球DRAM市场的销售额占比为39%，位居第一，SK海力士为26%，美光为25%。 在NAND市场上，三星电子同样保持第一。根据TrendForce的数据，三星电子第二季度NAND市场占有率为29.3%。随着AI服务器用企业级固态硬盘（SSD）销售的增加，销售额较上季度增长了70.7%。 生产能力也处于行业最高水平。Omdia预计，三星电子在2023年的DRAM生产能力将达到300mm晶圆约817.5万片。三星电子计划在通用DRAM和NAND的生产基础上，结合HBM、企业级SSD以及下一代3D内存，进一步扩大AI内存市场的产品组合。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子公开了在人工智能加速器上直接堆叠高带宽内存（HBM）的下一代三维内存结构。这一新结构突破了传统HBM的水平布局方式，旨在减少数据移动距离和电力消耗，同时提供AI半导体的设计、生产和封装一体化解决方案。 三星电子在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的“FMS 2026”展会上首次展示了下一代3D内存“zHBM”和“zNAND-O”的样品，并发布了堆叠超过400层的第10代V NAND“V10 BV-NAND”。 zHBM采用了将内存垂直堆叠在加速器上方的新方式，旨在缩短运算设备与内存之间的数据移动距离，从而提高带宽和电力效率。 根据三星电子的说法，基于zHBM的系统性能可比HBM5提高最多8倍，电力效率提升可达3倍，热阻预计降低至一半以下。 在加速器与内存之间，将应用定制功能的中间层，以便根据客户开发的AI处理器调整内存容量、运算功能和数据处理结构。 不过，此次发布的产品为样品，并非实际量产产品。未来将通过与客户的共同设计和热管理技术验证，确定商业化时间表。 在NAND闪存方面，三星电子也扩大了垂直堆叠的范围。zNAND-O结合了V NAND技术和硅通孔电极，将NAND芯片打包为4层或8层，预计将在智能手机和PC等设备中提高数据加载速度和空间效率。 三星电子还发布了400层以上的V10 BV-NAND。该技术采用了将单元和周边电路分开后，垂直结合晶圆的键合技术，以及连接三个单元结构的堆叠方式。 通过这一技术，三星电子表示在相同面积上可存储的数据量比上一代提高了约58%。同时，读取、写入和输入输出性能也得到了改善，计划应对AI数据中心的高容量存储市场。 东芝在6月也公布了400层以上的第10代BiCS闪存开发计划，预计NAND竞争将朝着降低集成度、功耗和生产成本的方向发展，而不仅仅是堆叠层数的竞争。 在此次展会上，三星电子还展示了HBM4E、HBM5以及在内存内部执行部分运算的LPDDR5X-PIM。同时，通过企业级SSD PM1763和超高容量产品BM1773，满足AI学习和推理所需的存储需求。 此次技术发布被解读为三星电子在内存产品性能竞争之外，拓展半导体系统结构设计的业务范围。随着AI加速器与内存结合的加强，代工、逻辑设计和先进封装能力在市场竞争中的影响也将日益增加。 三星电子计划利用其在内存、系统半导体设计、代工和封装方面的综合业务结构，从产品设计阶段到量产全程支持客户。要使下一代3D内存实际应用于客户产品，稳定管理良率、发热和封装成本将是关键。

三星电子将采用基于门全环绕(GAA)的2纳米代工工艺于下一代高带宽内存(HBM) HBM5的基础芯片。基于在HBM4和HBM4E中应用的4纳米基础芯片的量产经验，三星电子旨在提升下一代HBM的性能和电力效率，同时扩大人工智能(AI)和高性能计算(HPC)客户的订单，以增强代工业务的增长动力。具子铉副社长在27日的三星电子半导体新闻室采访中表示：“HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔(TSV)。”这是负责三星电子代工工艺开发的高管首次具体公开HBM5的2纳米基础芯片战略。三星电子DS事业部内存事业部DRAM开发室长黄相俊在今年3月的英伟达年度开发者大会GTC上透露了HBM5的2纳米应用计划，并从代工的角度进行了详细说明。基础芯片是连接堆叠的DRAM核心芯片与图形处理器(GPU)、中央处理器(CPU)等外部处理器的逻辑半导体。随着HBM的数据处理速度加快和对电力效率的要求提高，自HBM4起，基础芯片开始应用代工前沿工艺，而非传统内存工艺。三星电子在HBM4和HBM4E基础芯片上应用了4纳米第四代工艺。该工艺已进入量产第三年，性能和良率得到了验证。其优势在于可以多样选择栅间距和晶体管阈值电压，从而优化产品的性能、面积和漏电流。HBM4E基础芯片采用高集成度、高性能的器件，实现了每秒超过14吉比特(Gbps)的工作速度。通过有效布置金属布线层，减少了功耗，并优化了散热路径。HBM4基础芯片从第一批样品开始就达到了性能和良率目标，工艺准备到结果产生大约耗时3个月。具副社长表示：“预计HBM5的工作速度将比HBM4E提高约50%以上，我们正在准备能够大幅改善工作速度和电力效率的最前沿工艺。”三星电子还将以HBM基础芯片为基础，扩大AI和HPC客户的订单。三星电子正在将4纳米工艺应用于HBM4基础芯片和美国AI企业的AI和HPC用LPU新产品。最近，三星电子与博通等全球企业扩大合作，将以移动为中心的代工客户基础扩大到AI、HPC、云服务提供商(CSP)、汽车电子和机器人领域。三星电子还在推动2纳米工艺的客户多元化。去年下半年，三星电子开始量产2纳米第一代工艺，今年下半年将量产基于改进了良率和性能的第二代工艺的移动产品。公司表示，在获得特斯拉的汽车电子2纳米产品订单后，已从多家AI、HPC及CSP大型客户获得订单。三星电子提供与先进封装和HBM相结合的一站式解决方案。在AI和HPC领域，三星电子将代工工艺、HBM和先进封装结合提供，在数据中心市场进入插拔式光收发器(PO)业务。还在开发基于前沿工艺和三维封装技术的共同封装光学(CPO)技术。具副社长表示：“我们将基于在4纳米HBM4基础芯片上获得的经验和技术竞争力，提前在HBM5中引入2纳米工艺，并通过移动、HBM以及AI、HPC、汽车电子、机器人等领域的客户合作，增强代工技术的领导力。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子与SK海力士提前开始供应第七代高带宽内存（HBM4E）样品，半导体后工序生态系统也随之发生剧变。国内外企业在争夺下一代封装核心技术——混合键合器设备市场的竞争愈发激烈。 据业内消息，国内半导体设备制造商的混合键合器供应时间将大幅提前。HBM4E开始后，混合键合技术的应用将直接影响芯片性能的成败。混合键合器与传统的热压键合器（TC键合器）不同，它在芯片堆叠之间不使用微小凸点进行堆叠。这一技术被视为在减少堆叠厚度的同时，极大提升速度和电流效率，实现高性能HBM的关键。 韩美半导体计划在今年下半年进入混合键合器的量产体系。该公司希望凭借在TC键合器市场积累的精密控制技术，在下一代市场中继续保持领先地位。 韩华半导体则计划在与荷兰运动控制专业公司ProDrive的合作基础上，年内完成混合键合器的开发。该公司将原定时间缩短数月，力争在年内进入供应链。最近，韩华半导体将其自有设备'SHB2 Nano'与等离子体激活模块、Zeus清洗模块等整合为“混合键合集成集群系统”，并已运送至SK海力士的生产线进行质量测试。 三星电子的子公司SEMS也在集团的全力支持下完成了混合键合器的供应合同。特别是，该公司开发了将晶圆与晶圆整体结合的“晶圆对晶圆（W2W）”技术，受到广泛关注。与逐个堆叠芯片的传统“芯片对晶圆（D2W）”工艺不同，W2W方式能够将芯片间的物理距离缩至极限，从而在减小封装厚度的同时提升信号传输速度。 全球以前工序为中心的企业也在进入后工序的换代阶段，加速扩展市场。由于在晶圆上绘制电路的前工序微缩已遇到物理极限，后工序的芯片堆叠与封装成为影响内存性能的新竞争力。 应用材料公司与荷兰贝希公司合作，推出混合键合集群“Kinex”，开始进军市场。该公司已与台湾TSMC建立合作关系，并最近从其核心客户SK海力士获得了实际量产线投入的订单。 业内人士表示：“混合键合器是一项超越传统TC键合器方式的高端技术，将彻底改变封装的范式。HBM4E以及下一代HBM5市场的成败将取决于这一关键变量，设备行业的竞争将比以往任何时候都更加激烈。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

黄仁勋：AI工厂需求激增，SK、现代汽车、LG、斗山建立合作关系 黄仁勋，英伟达首席执行官，在访问韩国的最后一天（8日）与国内主要企业高管举行了一系列会晤，推动全面的“AI联盟”建设。黄CEO在当天上午于首尔钟路区SK世林大厦表示：“我们需要建设更多的人工智能（AI）工厂”，总结了他为期四天的访问目的。他特别强调：“我们正在目睹全球对更多AI工厂的巨大需求，业务正在蓬勃发展。” 黄CEO当天与SK、LG、现代汽车、斗山等国内主要集团的管理层接连会面，协调具体的AI合作方案。上午，他在SK世林大厦会见了SK集团会长崔泰源，随后访问了位于首尔汝矣岛的LG双子塔，与LG集团会长郭广昌会晤。下午，他在现代汽车集团的阳财大厦与现代汽车集团会长郑义宣会面，而在前一天，他则在蚕室棒球场与斗山集团会长朴正源会面，拓宽了合作的接触点。 双方的合作讨论根据各集团的核心能力进行了具体化。SK与英伟达决定将以高带宽内存（HBM）为中心的现有合作扩大到下一代AI工厂基础设施领域。与LG的合作将加强在机器人技术、AI基础设施和自主制造领域的合作，而与现代汽车集团则深入讨论了在自动驾驶和机器人等物理AI领域的合作方案。与斗山的合作潜力则集中在AI工厂基础设施的升级和机器人领域。 业界分析认为，黄CEO此次访问标志着与韩国企业的伙伴关系从单纯的内存半导体供应链扩展到AI工厂、机器人、自动驾驶和自主制造等整个产业。英伟达与韩国制造业巨头的直接接触，显示出AI半导体之后的增长重心正从数据中心转向现实世界的工业现场。 李在明会见四大部门负责人，称选举委员会虽为独立机构但问题严重 李在明总统在8日于青瓦台就6·3地方选举投票用纸不足事件表示：“无论数字是多少，是否影响结果，未能保障投票权和充分的国民主权的实现，都是一个非常严重的问题。” 李总统在当天与四大部门负责人举行的会议上指出了这一问题。 会议上，李总统与除选举委员会主席外的国会议长赵正熙、总理金敏锡、宪法法院院长金相煥和大法院院长赵熙大等人出席。四大部门负责人达成共识，制定选举管理大改革方案。 李总统对四大部门负责人表示：“大家都忙于公务，但我突然联系大家召开会议，正是因为现在的情况无法就此轻易过去。” 李总统指出：“选举委员会是宪法规定的独立机构，任何人都不能正式对其工作进行干预，甚至在犯错的情况下也无法进行审计，这也是现行宪法的解释，因此现在发生的事情也很难正式确认。” 他接着说：“但这并不意味着可以放任不管，选举是基本宪政秩序的核心，是国民主权实现的过程。” 李总统表示：“今天独立的宪法机构负责人们齐聚一堂，首先希望就如何处理这个问题进行正式讨论，虽然可能不会有明确的方法，但首先需要明确事实。” 他补充道：“无论以何种形式，都需要从国民的角度承担相应的责任，并讨论可能的替代方案和对策。” 习近平抵达平壤，强调中朝友谊始终坚固 中国国家主席习近平于8日抵达朝鲜首都平壤，在朝鲜国务委员会委员长金正恩及其夫人的热情欢迎下，开始为期1天2夜的国宾访问。习近平主席时隔7年再次访问朝鲜，他重申：“无论国际局势如何变化，中朝之间的传统友谊始终坚固。” 根据中国官方的新华社报道，习近平主席及其夫人彭丽媛乘坐的中国国际航空专机于当天中午（朝鲜时间）抵达平壤顺安机场。金正恩及其妻子李雪主亲自迎接了习近平主席夫妇。习近平主席的访朝随行团包括“序列第五”的中央办公厅主任蔡奇和中央政治局委员兼外交部长王毅等人。 正式欢迎仪式在金日成广场举行。广场中央悬挂着两国领导人的大型肖像，并挂有“朝中友谊万岁”、“朝中两国人民友谊团结万岁”等口号的红色横幅，朝鲜国旗和中国五星红旗并肩飘扬。 平壤市民们高呼“朝中友谊”的口号，热烈欢迎两位领导人。广场上奏响了两国国歌，并发射了21响礼炮以示最高敬意，习近平主席与金正恩共同检阅了朝鲜人民军仪仗队。 习近平此次访朝是对金正恩去年9月访华参加中国胜利日阅兵的回访，实际上具有宣告中朝关系正常化的象征意义。由于新冠疫情期间人际交流中断，朝鲜加强了与俄罗斯的合作，导致中国对朝鲜的影响力相对减弱。然而，自去年9月金正恩访华以来，两国间的国际客运列车和航班恢复，交流活动逐渐活跃，关系恢复的动向已开始显现。 与黄仁勋会面的全景电子副会长讨论HBM4E和HBM5的中长期合作 三星电子半导体业务总负责人全英贤代表董事长兼设备解决方案（DS）部门副会长于8日与英伟达首席执行官黄仁勋会面，讨论下一代高带宽内存（HBM）HBM4E和HBM5的供应方案。 全副会长当天在首尔中区新罗酒店与黄仁勋CEO及英伟达主要管理层进行了会谈。会谈结束后，针对与英伟达的合作讨论，全副会长对媒体表示：“与黄CEO长期以来保持合作，今天的交流非常愉快。” 关于未来的路线图，全副会长表示：“从明年开始，我们将讨论HBM4E、代工（半导体委托生产）业务、HBM5等长期合作的事宜，并且短期内需要从今年开始充分供应HBM4或SOCAMM（服务器用低功耗内存模块）。” 关于代工领域的合作扩展，全副会长表示：“我们在4纳米和8纳米的自主驾驶芯片以及英伟达的加速器芯片Grok芯片方面进行合作，并讨论下一代的合作。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

全英贤三星电子首席执行官兼设备解决方案(DS)部门副会长于8日与英伟达首席执行官黄仁勋会面，讨论了下一代高带宽内存(HBM) HBM4E和HBM5的供应方案。 全副会长当天在首尔中区新罗酒店与黄仁勋首席执行官及英伟达主要管理层进行了会谈。会谈结束后，针对与英伟达的合作讨论，全副会长表示：“与黄首席执行官合作已久，今天的交流非常愉快。” 关于未来的路线图，全副会长表示：“从明年开始，我们将讨论HBM4E、代工(半导体委托生产)业务、HBM5等长期合作的事宜。同时，短期内我们需要从今年开始充分供应HBM4和SOCAMM（服务器用低功耗内存模块）。” 关于代工领域的合作扩展，全副会长回答：“我们在4纳米和8纳米中与英伟达合作开发所需的自动驾驶芯片，以及英伟达的加速器芯片Grok，并讨论下一代的合作。” 此外，针对黄仁勋首席执行官之前提到的SK海力士是“英伟达最大的内存合作伙伴，未来也将继续是最大的内存合作伙伴”的言论，全副会长也发表了看法。 全副会长表示：“我们会努力做好自己的工作，未来会以结果来证明。” 当被问及三星电子是否计划与英伟达签署长期内存供应合同时，全副会长回答：“我们会尽最大努力，作为最佳合作伙伴，尽力支持英伟达的成功。” 会谈结束后，全副会长立即参加了英伟达主办的“韩国人工智能生态系统”座谈会。此次座谈会还邀请了三星电子半导体部门的核心管理层，包括代工事业部总裁韩振满、DS部门经营战略总裁金勇官、DS部门人工智能中心主任宋勇浩等。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子在展示下一代高带宽内存(HBM)技术HBM5时，明确表达了在AI内存市场的领先意图。 6月2日，三星电子在台湾Computex 2026展会上首次公开了HBM5样机及下一代热管理技术。三星电子DS部门首席技术官(CTO)宋在赫强调，涵盖内存、代工、逻辑和封装的整体解决方案竞争力正在成为AI时代的核心竞争要素。 三星电子提出的HBM5技术方向的核心是热管理。三星电子介绍了应用HPB(热路径块)技术的产品结构，以减少高性能AI内存中产生的热量问题。HPB是一种旨在有效分散和释放物理层(Physical Layer)区域产生的热量的技术。 宋在赫表示，三星电子的HBM5通过增加独立的热传导路径来降低热阻，提高了操作稳定性，这是其优势所在。三星电子已完成HBM4E产品中HPB技术的实现与验证，并确认了结构设计、可靠性和封装稳定性。 三星电子还计划在HBM5中优先应用2纳米基础芯片，结合内存、代工和封装能力，以提升下一代HBM市场的技术竞争力。 此次展会上还公开了HBM4E晶圆和芯片组。三星电子的HBM4E结合了最先进的1c DRAM核心芯片和自家代工的4纳米工艺基础芯片。该产品于上月29日首次完成样品出货，稳定工作在每引脚14Gbps，并可实现最高16Gbps，最大带宽达到4TB/s。 三星电子还强调了支持英伟达下一代AI平台“贝拉·鲁宾”的内存和存储组合。在展区中展示了搭载三星电子产品的贝拉·鲁宾系统。三星电子表示，已具备HBM4、SOCAMM2、PM1763等相关产品系列。 市场调研机构Omdia预计，HBM市场规模将在2026年达到约589亿美元，到2029年将扩大至约1983亿美元，增长超过三倍。 宋在赫表示：“我们计划基于与包括英伟达在内的全球企业的合作，持续增强下一代内存技术的竞争力。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。