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三星电子与SK海力士提前推出HBM4E样品,半导体后工序生态系统震荡

金那胤 기자 2026-06-22 18:20
韩美半导体计划在年内建立混合键合器量产体系 韩华半导体将向SK海力士供应集成集群 专家称“半导体设备市场是蓝海”
韩华半导体第二代混合键合器'SHB2 Nano'图片
韩华半导体第二代混合键合器'SHB2 Nano'图片 [照片=韩华半导体]


三星电子与SK海力士提前开始供应第七代高带宽内存(HBM4E)样品,半导体后工序生态系统也随之发生剧变。国内外企业在争夺下一代封装核心技术——混合键合器设备市场的竞争愈发激烈。

据业内消息,国内半导体设备制造商的混合键合器供应时间将大幅提前。HBM4E开始后,混合键合技术的应用将直接影响芯片性能的成败。混合键合器与传统的热压键合器(TC键合器)不同,它在芯片堆叠之间不使用微小凸点进行堆叠。这一技术被视为在减少堆叠厚度的同时,极大提升速度和电流效率,实现高性能HBM的关键。

韩美半导体计划在今年下半年进入混合键合器的量产体系。该公司希望凭借在TC键合器市场积累的精密控制技术,在下一代市场中继续保持领先地位。

韩华半导体则计划在与荷兰运动控制专业公司ProDrive的合作基础上,年内完成混合键合器的开发。该公司将原定时间缩短数月,力争在年内进入供应链。最近,韩华半导体将其自有设备'SHB2 Nano'与等离子体激活模块、Zeus清洗模块等整合为“混合键合集成集群系统”,并已运送至SK海力士的生产线进行质量测试。

三星电子的子公司SEMS也在集团的全力支持下完成了混合键合器的供应合同。特别是,该公司开发了将晶圆与晶圆整体结合的“晶圆对晶圆(W2W)”技术,受到广泛关注。与逐个堆叠芯片的传统“芯片对晶圆(D2W)”工艺不同,W2W方式能够将芯片间的物理距离缩至极限,从而在减小封装厚度的同时提升信号传输速度。

全球以前工序为中心的企业也在进入后工序的换代阶段,加速扩展市场。由于在晶圆上绘制电路的前工序微缩已遇到物理极限,后工序的芯片堆叠与封装成为影响内存性能的新竞争力。

应用材料公司与荷兰贝希公司合作,推出混合键合集群“Kinex”,开始进军市场。该公司已与台湾TSMC建立合作关系,并最近从其核心客户SK海力士获得了实际量产线投入的订单。

业内人士表示:“混合键合器是一项超越传统TC键合器方式的高端技术,将彻底改变封装的范式。HBM4E以及下一代HBM5市场的成败将取决于这一关键变量,设备行业的竞争将比以往任何时候都更加激烈。”





※ 本报道经人工智能(AI)系统翻译与编辑。

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