SK海力士正在将清州生产基地打造成人工智能（AI）内存前后工序的核心。曾以NAND为主的清州，正逐步转型为以M15X和P&T7为支撑的高带宽内存（HBM）基地。这项投资被解读为SK海力士生产基地战略更加明确的举措。
据业界消息，SK海力士于23日召开董事会，批准了清州P&T7建设的设施投资额为7兆931亿韩元，占自有资本的5.88%。P&T7是负责封装和测试的后工序设施，是公司第七座封装与测试工厂，已于今年4月开工。
分析认为，此次投资使SK海力士的生产布局更加清晰。利川成为DRAM生产和技术开发的中心，清州则崛起为同时承担M15X前工序和P&T7后工序的AI内存基地。美国印第安纳则负责北美大型科技客户的应对及下一代HBM封装的研发。
清州过去主要是NAND生产基地，M11、M12和M15均设于此。随着M15X的加入，清州将承担下一代DRAM和HBM的生产能力。P&T7投入运营后，清州将转变为具备前后工序的综合生产基地。
这种重组被解读为HBM竞争性质的变化。以往DRAM竞争主要在于微细工艺和晶圆生产能力，而HBM则需要将前工序生产的DRAM多层堆叠并进行连接和验证。业内人士指出，封装良率和测试处理能力直接影响实际供应量。
因此，P&T7被解读为针对这一瓶颈的投资。即使前工序生产能力提升，如果后工序无法跟上，客户的交付量也不会增加。为了按照AI半导体客户的路线图供应HBM，必须同时具备封装和测试能力。
一位半导体行业人士表示：“HBM并不是简单地多生产晶圆就能增加供应的产品。”他指出，后工序的堆叠、连接和验证能力必须跟上，才能让客户感受到供应能力的提升。
分析人士认为，SK海力士在清州加大投入的背景正是基于此。M15X和P&T7如果位于同一清州区域，将提升前后工序之间的连接速度。预计在量产过程中，良率提升和质量验证反馈也会加快。
SK海力士的代表郭弼正也曾正式确认清州角色的扩大。郭代表在本月宣布的忠清地区投资计划中表示：“计划在清州投资100兆韩元，其中80兆韩元用于生产NAND的M17，20兆韩元用于强化先进封装的P&T7。”他表示：“将使清州重新成为推动韩国内存半导体产业竞争力的核心基地。”
业界对此次决定的反应是，HBM的主导权竞争正从产品技术转向生产体系竞争。客户不仅关注HBM的性能，更加重视能否在约定时间内稳定交付。
※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。
