中国最大的D램制造商长鑫科技(CXMT)宣布将进行约7万亿韩元规模的大规模投资。CXMT已开始小规模生产HBM3E，意在加快其在HBM领域的竞争力。 CXMT于28日晚通过交易所公告，发布了总额349亿人民币（约7万亿韩元）的新投资计划。其中241亿人民币将用于技术研发项目，108亿人民币将用于后工序测试基地的建设。 特别是在技术研发项目的总投资额241亿人民币中，223亿9800万人民币被分配用于设备采购，占总额的92.94%。项目建设周期为30个月，CXMT计划通过此举加速产品和工艺技术的更新，提高内存密度、能效和性能。 CXMT已经进入HBM3E的开发和生产阶段。HBM是一种通过垂直堆叠多片D램制造的高带宽内存，其微细工艺、良率以及堆叠、封装和测试技术都至关重要。 因此，此次241亿人民币的下一代D램技术投资可能会用于提升HBM所需的高性能D램的工艺技术和生产良率。特别是通过大规模设备投资，预计将增强下一代D램工艺的研发和量产转化能力。 投入108亿人民币的后工序测试基地也与HBM相关。CXMT计划在此建设测试工厂，负责D램测试和模块组装。公司表示，随着生产能力的扩大和产品种类的增加，外部后工序厂商的测试能力可能不足，因此需要建立自有测试能力。自有后工序生产线的建立也是为了应对HBM生产的扩大。 因此，此次投资不仅仅是扩大D램生产能力，更是为了应对HBM3E之后HBM4的高性能内存竞争。 另一方面，美国信息技术专业媒体《信息》在8月31日引用两位知情人士的消息称，CXMT已开始小规模生产HBM3E。生产的HBM3E正在与阿里巴巴旗下的AI半导体设计公司平头哥及中国AI半导体公司Cambricon进行测试。如果测试通过，CXMT的HBM有望在2027年推出的产品中搭载。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

随着美中领导人会晤的临近，市场对受益股的关注度不断上升。这场时隔11年的最大外交事件的焦点是围绕人工智能（AI）产业霸权的美中博弈。在美国总统唐纳德·特朗普暗示对中国AI技术盗窃施加压力的背景下，深度参与美中半导体供应链的韩国半导体及相关企业预计将获得中长期的收益。 根据21日韩国交易所的数据，韩国股指较前一交易日上涨1.65%（113.49点），收于7007.72点。这是自10日（7033.92点）以来，时隔11个交易日重返7000点。尽管个人投资者卖出29790亿韩元，外国投资者也卖出1719亿韩元，但机构投资者买入14924亿韩元，金融投资者买入12471亿韩元，其他法人买入16585亿韩元，推动了指数的上涨。 当天，半导体及相关企业因对中国AI监管加强和内存市场改善的预期而表现强劲。在证券市场上，三星电子较前一交易日上涨4.98%（13000韩元），收于274000韩元；作为高带宽内存（HBM）主导股的SK海力士较前一交易日上涨0.59%，收于1868000韩元。被归类为HBM及半导体后工序股的韩美半导体较前一交易日上涨0.21%，收于236500韩元。 科斯达克市场的相关企业也表现良好。由于美中AI竞争导致半导体需求激增，设备投资增加，前工序和后工序设备企业有望受益。拥有激光设备和HBM先进封装技术的伊欧科技较前一交易日上涨6.73%（35000韩元），收于484000韩元；AI加速器公司ISC上涨6.87%（12800韩元），收于199100韩元；去除晶圆缺陷的热工艺公司HPSP上涨1.48%（800韩元），收于54700韩元。 被归类为材料股的Solbrain较前一交易日上涨3.02%（10000韩元），收于341000韩元；东进半导体化学品较前一交易日上涨3.28%（1350韩元），收于42550韩元。 此次领导人会晤被视为美中AI博弈的序幕，可能成为长期牛市的动力。此前，中国AI企业如DeepMind等通过开放权重模型模仿美国的AI技术，采取了“快速跟随者”策略，而美国则将这种行为视为“技术盗窃”，并加快了对中国AI的监管。实际上，美国财政部长斯科特·贝尔森在美中领导人会晤前的高层谈判中暗示，相关讨论将是主要议题。 对中国半导体的监管与韩国市场上三星电子和SK海力士的出口直接相关。根据会谈结果，如果美国出台强有力的对中国的技术盗窃监管，将为韩国半导体出口创造有利环境，提升市场信心。因为在中国的先进半导体和计算能力受到限制的情况下，如果在前沿AI开发竞争中落后于美国，当前的技术差距可能会固化。证券界认为，如果中国政府增加相关投资，掌握AI半导体价值链的韩国将处于有利地位。 NH投资证券研究员表示：“如果中国无法以低成本利用美国的AI模型进行开发，国内对HBM、GPU、AI加速器等的需求将激增，从而在韩国的AI内存、HBM设备和后工序等供应链中创造有利的出口环境。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

◆亚州经济主要新闻 ▷2022年K-股市在美国加息前将何去何从？ - 随着美联储预计将在本周加息，国内股市紧张气氛加剧，市场关注的核心变量是加息本身及未来是否会有进一步的紧缩信号。 - 市场预计加息25个基点，若加息，美国基准利率将从3.50~3.75%上升至3.75~4.00%，而美国10年期国债收益率也在14日突破5%。 - 2022年经历了强烈紧缩的KOSPI全年下跌24.89%，但由于今年经济条件与当时不同，分析认为加息带来的冲击程度可能会有所不同。 - 专家指出，如果此次加息后有进一步加息的可能性，可能会导致长期利率上升和对风险资产的回避；而如果出现紧缩结束的信号，市场冲击将会有限。 - 当日KOSPI下跌0.85%，报6627.26，连续两天表现疲软，外资和机构分别净卖出1.5735万亿韩元和9044亿韩元，导致指数下跌。 ◆主要报告 ▷后工序产业的春风 - 2026年至2028年，内存和非内存半导体企业将同时扩张，随着HBM和AI加速器出货量的增加，后工序投资预计将扩大，包括先进封装和测试等领域。 - TSMC的CoWoS供应短缺再次加剧，除了GPU外，开发自有ASIC的超大规模云计算公司也在增加，导致先进封装的需求超过供应能力。 - 因此，TSMC将2026年资本支出从原定的520亿至560亿美元上调至600亿至640亿美元，先进封装和测试占整体长期资本支出的10%至20%，后工序投资的重要性日益凸显。 - 英特尔也在将EMIB扩展为AI半导体的先进封装替代方案，并在美国新墨西哥州和马来西亚槟城分别进行生产能力扩张投资，同时增强大型封装的应对能力。 - 分析认为，未来随着AI加速器和HBM的搭载量增加，TSMC的CoWoS以及英特尔的EMIB和EMIB-T等先进封装投资也将有望进一步扩大。 ◆市场收盘后（15日）主要公告 ▷Alpha Chips延长卖空过热股票（卖空交易禁令延长） ▷Erem延长卖空过热股票（卖空交易禁令延长） ▷Raon Secure预告指定短期过热股票 ▷Okins Electronics解除投资警告股票指定并预告重新指定 ◆基金动态（截至14日，不包括ETF） ▷国内股票型：+301亿韩元 ▷海外股票型：-10亿韩元 ◆今日（16日）主要日程 ▷美国：8月零售销售环比，8月进出口物价指数同比，9月纽约联储服务业活动指数，9月NAHB房地产市场指数 ▷日本：7月核心机械订单同比，8月进出口同比，8月贸易余额※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

自政府将先进半导体设备大规模列为战略物资并加强出口管制以来，已过去两周，但设备公司的困惑似乎愈发加剧。由于直接出口至海外半导体工厂的供应量可能被纳入管制范围，加之与美国法规标准的不一致，导致企业面临双重许可负担，并对对华销售产生担忧。 14日，业界消息称，三星电子和SK海力士的多家设备合作公司因模糊的战略物资判定标准和日益严格的出口程序而感到困扰。一位半导体设备公司人士表示：“韩美之间的管制规格在蚀刻速度和膜厚等细节规格上存在差异，专业判定至少需要两周时间。”他还提到：“原本几天就能获得的出口许可，现在由于相关机构的审查，延迟至两个月以上，导致海外法人难以按时交货。” 另一家公司的相关人士也表示：“即使获得美国工业安全局(BIS)的许可，国内标准的说明书仍需从头开始重新编写，行政负担加倍。”他补充道：“为了规避监管，进行部件更换的变通设计，开发成本预计将比原来增加10%至20%。” 工业通商部于本月1日实施了修订公告，将光刻、蚀刻、沉积设备等先进半导体制造设备及高性能人工智能(AI)集成电路列为战略物资。这一措施反映了瓦森纳协议等四大国际出口管制体系的共识，旨在防止先进技术的军事化和外流，并加强与美国、欧盟等盟国的全球管控合作。 业界原本普遍认为，国内设备公司的内需销售比例较高，因此战略物资的指定影响有限。然而，由于战略物资的指定是以产品的“用途和性能”为绝对标准，即使是一台设备的出口，只要符合管制规格，均需获得政府许可。 随着三星电子和SK海力士在海外生产基地的投资扩张，国内设备公司的出口量也在增加。这是因为在美国或中国工厂交付设备时，按会计和关税、贸易法的规定被归类为“海外出口”，而非内需。 在技术范围方面，影响也在扩大。工业部将光刻、蚀刻、沉积设备整体纳入管制品类。一位熟悉半导体行业的人士表示：“国内设备公司在后工序如封装方面有优势，但在前工序中的沉积领域国产化率相当高。”他指出：“此次指定使得国内前工序设备公司的业务受到不可避免的影响。” 企业们对美国海外直接生产产品规则(FDPR)与国内公告的重复适用表示行政负担。韩国作为美国FDPR非豁免国，在出口含有美国技术和软件的设备时，需获得美国商务部(BIS)的许可，而现在又增加了政府的许可程序。 对对华出口萎缩的担忧也随之而来。根据对外经济政策研究院的数据，2023年韩国半导体设备出口中对中国的比重约为30%，对中国的依赖度较高。如果对华出口受阻，主要设备公司的整体销售额可能会受到三分之一的影响。 专家们强调，为了使制度落地，亟需针对现场的政府支持。韩国产业研究院的研究员金洋平表示：“先进半导体设备与国家经济安全息息相关，因此参与国际合作层面的出口管制是不可避免的。”同时，他也建议：“政府应提供明确的细节指导和支持体系，以避免企业在监管过程中遭遇过度的行政障碍。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

LX半导体于10日宣布，将向现代汽车和起亚供应车辆用微控制器(MCU) 'LX61101'。 此次电机控制装置是LX半导体在显示半导体(DDI)领域基础上，向汽车半导体业务多元化的首个成果。这是首款搭载于现代汽车和起亚车辆的国产电机控制半导体，具有重要意义。 LX61101是汽车车身电气系统的核心系统半导体，能够实时控制电机的速度、位置、旋转方向和扭矩。该产品基于40兆赫(MHz) ARM Cortex-M3核心，具备超小型设计和高效能，将应用于车辆的车窗安全装置和空气动力控制系统等。 现代汽车和起亚计划从今年下半年开始在生产的车辆中逐步应用该技术。 LX半导体自2022年起，基于家电用MCU技术，致力于将车辆用MCU业务发展为未来的增长支柱。2023年4月被现代汽车和起亚选为合作伙伴后，经过约三年的开发，成功满足车辆用半导体的可靠性标准(AEC-Q100)和功能安全标准(ISO 26262)。 从设计到代工、后工序的整个供应链，均由国内企业参与，奠定了国产MCU的供应基础。这是国内无厂半导体、整车企业与半导体生态系统有机协作的成果。 LX半导体相关人士表示：“从中长期来看，我们将超越控制领域，扩展到通信、驱动、传感器和电源等产品线，以确保公司的增长动力，并扩大国内半导体产业的基础。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

彭博社7日（当地时间）报道称，SK海力士正在研究出售其位于中国重庆的半导体封装（后工序）工厂部分股权。 据知情人士透露，SK海力士目前正与顾问公司就重庆工厂的多种处置方案展开讨论。彭博社称，若相关股权出售顺利推进，交易估值可能达到约30亿美元。 潜在买家包括中资基金及当地半导体企业等。即使出售部分股权，SK海力士也可能继续保留重庆工厂的少数股权。 不过，知情人士表示，目前相关讨论仍处于初期阶段，具体方案尚未敲定，最终也存在无法达成交易的可能。对于上述消息，SK海力士方面拒绝予以确认。 SK海力士20多年前进入中国市场，并与江苏省无锡市签署协议，建设集团首座大型海外晶圆制造厂。重庆工厂则是公司大型半导体封装和测试基地，支持公司在全球扩大NAND闪存后端生产业务。 此外，SK海力士日前宣布，计划斥资54万亿韩元（约合人民币2578亿元）扩建韩国国内芯片生产设施，包括在龙仁建设新的DRAM工厂，以及在清州兴建NAND闪存晶圆厂，以满足人工智能时代不断增长的存储器需求。 SK海力士今年7月通过在美国上市筹集265亿美元，创下外国企业在美国交易所上市的最大融资纪录。这宗大型股票发行也带动亚太企业的股权资本市场活动在当月创下新高。

SK海力士正在考虑出售其在中国重庆半导体封装（后工序）工厂的股份。 据8日的联合通讯社报道，彭博社透露，SK海力士正在与咨询公司讨论有关重庆工厂的多个选项。如果股份出售成功，预计其价值将达到约30亿美元（约4万亿韩元）。 潜在的收购候选人包括中国基金和当地半导体企业，SK海力士也可能保留少数股份。 不过，消息人士指出，讨论仍处于初步阶段，实际交易可能不会达成。 彭博社还报道称，SK海力士拒绝对此事进行确认。 SK海力士重庆工厂于2014年7月开始量产，是负责中国境内NAND闪存封装和测试等后工序的关键基地。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子与SK海力士在高带宽内存（HBM）领域的竞争日益激烈，随着下一代HBM4进入量产阶段，半导体设备行业成为最大的受益者。此外，除了美光， 中国最大的DRAM厂商长鑫存储科技（CXMT）也开始全面推进HBM的开发与生产，预计相关设备的需求将大幅增加。根据瑞士投资银行瑞银（UBS）31日的报告，预计明年HBM市场中，三星电子的出货量占比将达到41%，首次超越SK海力士的39%成为市场第一。今年，SK海力士以48%的市场份额保持领先，但随着三星电子在HBM4量产和积极扩产方面的努力，明年市场格局将发生变化。这种变化的背景是积极的生产能力扩张。三星电子通过大规模的设备投资，积极扩大HBM4的生产能力，而SK海力士则因应高附加值通用DRAM的需求，部分生产线进行了转型，导致HBM出货量出现相对差异。因此，下一代HBM的主导权争夺战愈发激烈，相关设备投资也在扩大。三星电子在平泽积极增加HBM生产能力，而SK海力士也计划将今年的设备投资扩大至40万亿韩元的后期，以增强HBM4的生产能力。美光也计划投资14万亿韩元在日本广岛新建HBM工厂，而中国的CXMT则通过最近的首次公开募股（IPO）进行大规模资金筹集，推动HBM开发和DRAM扩产。HBM4相比于现有的HBM3E，要求更精细的封装和高精度的后工序，相关设备的投入规模也在扩大。随着HBM世代的演进，后工序设备如TC本压机和检测设备的需求增加，设备投资额也随之上升。国内设备企业已经开始感受到这一波红利。热压本压机市场的领导者韩美半导体，因HBM设备需求的增加，第二季度创下历史最高业绩。韩华半导体则加强了对TC本压机和下一代混合键合市场的攻势，而半导体检测设备公司Techwing最近与美光签订了价值100亿韩元的供货合同。HBM竞争的氛围正在从技术竞争向生产能力争夺扩展。随着英伟达和AMD等AI半导体客户的需求迅速增加，内存厂商为了提前实现量产，积极采购设备。上个月，SK海力士向韩美半导体追加了422亿韩元的HBM4用TC本压机设备订单，而三星电子也在推进扩大TC本压机供应商，包括其子公司SEMEMS和ASMPT等。半导体行业相关人士表示：“明年三星电子与SK海力士的HBM4竞争将正式展开，中国也将加入扩产行列，设备订单有望同步增加。HBM周期将成为设备行业的新超级周期。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士正在将清州生产基地打造成人工智能（AI）内存前后工序的核心。曾以NAND为主的清州，正逐步转型为以M15X和P&T7为支撑的高带宽内存（HBM）基地。这项投资被解读为SK海力士生产基地战略更加明确的举措。 据业界消息，SK海力士于23日召开董事会，批准了清州P&T7建设的设施投资额为7兆931亿韩元，占自有资本的5.88%。P&T7是负责封装和测试的后工序设施，是公司第七座封装与测试工厂，已于今年4月开工。 值得关注的是，投资规模的时机引发了评估。公司表示：“此次公告是由于投资时间提前，董事会决议金额增加而重新决议的。”并强调“之前公布的总投资额19兆韩元没有变化”。这意味着为了应对生产增长并缩短洁净室的运营时间，提前了建设资金的支出。这一决定被解读为并非增加总投资额，而是提前了完工时间。 分析认为，此次投资使SK海力士的生产布局更加清晰。利川成为DRAM生产和技术开发的中心，清州则崛起为同时承担M15X前工序和P&T7后工序的AI内存基地。美国印第安纳则负责北美大型科技客户的应对及下一代HBM封装的研发。 清州过去主要是NAND生产基地，M11、M12和M15均设于此。随着M15X的加入，清州将承担下一代DRAM和HBM的生产能力。P&T7投入运营后，清州将转变为具备前后工序的综合生产基地。 这种重组被解读为HBM竞争性质的变化。以往DRAM竞争主要在于微细工艺和晶圆生产能力，而HBM则需要将前工序生产的DRAM多层堆叠并进行连接和验证。业内人士指出，封装良率和测试处理能力直接影响实际供应量。 因此，P&T7被解读为针对这一瓶颈的投资。即使前工序生产能力提升，如果后工序无法跟上，客户的交付量也不会增加。为了按照AI半导体客户的路线图供应HBM，必须同时具备封装和测试能力。 一位半导体行业人士表示：“HBM并不是简单地多生产晶圆就能增加供应的产品。”他指出，后工序的堆叠、连接和验证能力必须跟上，才能让客户感受到供应能力的提升。 分析人士认为，SK海力士在清州加大投入的背景正是基于此。M15X和P&T7如果位于同一清州区域，将提升前后工序之间的连接速度。预计在量产过程中，良率提升和质量验证反馈也会加快。 SK海力士的代表郭弼正也曾正式确认清州角色的扩大。郭代表在本月宣布的忠清地区投资计划中表示：“计划在清州投资100兆韩元，其中80兆韩元用于生产NAND的M17，20兆韩元用于强化先进封装的P&T7。”他表示：“将使清州重新成为推动韩国内存半导体产业竞争力的核心基地。” 业界对此次决定的反应是，HBM的主导权竞争正从产品技术转向生产体系竞争。客户不仅关注HBM的性能，更加重视能否在约定时间内稳定交付。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士正在推动美国存托凭证（ADR）上市，同时美国首个半导体封装工厂建设项目也在加速推进。这一战略旨在提高对美国资本市场的接触，同时确保当地生产基础，直接融入人工智能（AI）半导体供应链。据业内消息，印第安纳州韦斯特拉菲特市的主要官员本月初访问韩国，与SK海力士的主要管理层会面，并参观了伊川和清州校园。此次访问的官员包括韦斯特拉菲特市市长艾琳·伊斯特、消防局局长杰夫·尼德和消防检查副局长托尼·舒特等。他们亲自查看了SK海力士的内存生产线和先进的封装设施，重点检查了未来将在美国建设的工厂的运营体系、安全管理系统和应急响应程序。这是为了消除居民对韦斯特拉菲特后工序工厂的担忧，确认韩国现有业务的实际运营案例是必要的。韦斯特拉菲特市目前正在进行SK海力士工厂的许可程序。SK海力士在2024年宣布将投资约387亿美元（约合5.9万亿韩元）在印第安纳州韦斯特拉菲特建设内存封装生产基地。去年已确定了工厂用地，目标投产时间为2028年下半年。该工厂将是SK海力士在美国的首个半导体封装生产基地，将进行AI半导体核心部件HBM的先进封装工艺。这意味着在美国建立直接进行HBM生产后工序的设施，从而增强美国的AI半导体供应链。尤其是通过缩短与英伟达等核心客户的物理距离，预计将进一步巩固其在全球AI半导体市场的独占地位。然而，项目推进并不顺利。一些居民对工厂附近居住区的安全性和健康权利受到侵害表示担忧，反对工厂建设。当地市民团体因担心工业设施事故时有害物质扩散的可能性而举行了集会，并已提起相关诉讼。韦斯特拉菲特市的官员计划借此次访问韩国的机会展开居民说服工作。他们将强调SK海力士工厂的安全运营，以及将为当地经济带来显著就业效益。艾琳·伊斯特市长在最近接受当地媒体采访时表示：“我们一直收到居民的反馈，认为亲自查看韩国设施后会感到安心。”她表示：“为了与SK海力士建立长期关系，理解其系统和流程，我们进行了实地访问，并将在2028年工厂投产之前保持沟通，建立长期合作关系。”近期，SK海力士的ADR上市推进与印第安纳州工厂建设工作相结合，预计将最大化在美国的业务协同效应。通过ADR扩大美国投资者基础，提高当地企业知名度，将有助于将生产、投资和融资重心转向美国。一位业内人士表示：“ADR不仅是简单的资本筹集工具，更意味着在美国市场扩大存在感。”他指出：“如果与HBM封装工厂建设结合，SK海力士的美国业务将进入涵盖生产、投资和采购的本地化阶段。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。