中国最大的D램制造商长鑫科技(CXMT)宣布将进行约7万亿韩元规模的大规模投资。CXMT已开始小规模生产HBM3E，意在加快其在HBM领域的竞争力。

CXMT于28日晚通过交易所公告，发布了总额349亿人民币（约7万亿韩元）的新投资计划。其中241亿人民币将用于技术研发项目，108亿人民币将用于后工序测试基地的建设。

特别是在技术研发项目的总投资额241亿人民币中，223亿9800万人民币被分配用于设备采购，占总额的92.94%。项目建设周期为30个月，CXMT计划通过此举加速产品和工艺技术的更新，提高内存密度、能效和性能。

CXMT已经进入HBM3E的开发和生产阶段。HBM是一种通过垂直堆叠多片D램制造的高带宽内存，其微细工艺、良率以及堆叠、封装和测试技术都至关重要。

因此，此次241亿人民币的下一代D램技术投资可能会用于提升HBM所需的高性能D램的工艺技术和生产良率。特别是通过大规模设备投资，预计将增强下一代D램工艺的研发和量产转化能力。

投入108亿人民币的后工序测试基地也与HBM相关。CXMT计划在此建设测试工厂，负责D램测试和模块组装。公司表示，随着生产能力的扩大和产品种类的增加，外部后工序厂商的测试能力可能不足，因此需要建立自有测试能力。自有后工序生产线的建立也是为了应对HBM生产的扩大。

因此，此次投资不仅仅是扩大D램生产能力，更是为了应对HBM3E之后HBM4的高性能内存竞争。

另一方面，美国信息技术专业媒体《信息》在8月31日引用两位知情人士的消息称，CXMT已开始小规模生产HBM3E。生产的HBM3E正在与阿里巴巴旗下的AI半导体设计公司平头哥及中国AI半导体公司Cambricon进行测试。如果测试通过，CXMT的HBM有望在2027年推出的产品中搭载。



※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

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