美光科技宣布与英伟达合作开发“定制高带宽内存（Custom HBM）”，向三星电子和SK海力士发起挑战。超越标准规格和良率的竞争，基础芯片设计能力和代工合作模式成为关键胜负手。 美光于30日（当地时间）发布了2026财年第四季度业绩，并正式确认与英伟达共同开发将用于下一代AI加速器的定制HBM。美光首席执行官山杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）强调：“在下一代规格中，我们正在推动与英伟达从基础芯片阶段开始的定制共同设计合作。” 半导体企业在现有的第五代HBM（HBM3E）中，主要按照国际半导体标准组织（JEDEC）规定的标准规格预先生产产品，然后通过英伟达等主要科技客户的质量测试进行交付，形成了被动供应链。 然而，从第六代HBM（HBM4）开始引入的定制HBM，将根据客户的下一代图形处理器（GPU）或神经网络处理器（NPU）的电路结构和电力设计规格，从最底层的基础芯片开始进行定制设计。 美光的这一声明被解读为其克服HBM市场劣势的战略宣言，旨在从下一代开始实质上获得英伟达的核心供应商地位。 业界认为，HBM的“核心”基础芯片制造方式是关键变量。基础芯片是HBM最底层，负责垂直连接DRAM并控制通信的核心基础芯片。由于HBM4开始数据通道（I/O）宽度加倍，发热和电力效率将无法通过现有内存工艺来处理。 英伟达首席执行官黄仁勋（Jensen Huang）也曾强调：“下一代加速器性能的关键在于内存与逻辑芯片的紧密融合，而基础芯片正是其中的核心。” 三星电子正在应用自有的4纳米和2纳米先进代工工艺直接制造基础芯片。其战略是从HBM4生产开始提供一体化（Turnkey）解决方案，全面展示其作为综合半导体企业（IDM）的差异化优势。通过最小化封装和工艺间的瓶颈，三星计划在2026年HBM4量产时逆转市场格局。 SK海力士正在进一步加强与台积电的合作伙伴关系。SK海力士利用台积电的12纳米和5纳米超微代工工艺共同开发HBM4用基础芯片，并通过与台积电的三维先进封装技术“CoWoS”生态系统的紧密结合，提高产品良率和质量稳定性。 没有自有逻辑工艺的美光，计划通过与台积电的合作，供应与英伟达下一代GPU规格最优匹配的基础芯片，力争到2025年将目前约10%的全球HBM市场份额提升至20%的中期目标。 李钟焕，上明大学系统半导体工程系教授表示：“下一代HBM是内存从通用产品向代工型定制逻辑半导体转变的关键点，关键在于首先确保符合全球大科技公司需求规格的基础芯片设计能力和封装良率。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

中国最大的D램制造商长鑫科技(CXMT)宣布将进行约7万亿韩元规模的大规模投资。CXMT已开始小规模生产HBM3E，意在加快其在HBM领域的竞争力。 CXMT于28日晚通过交易所公告，发布了总额349亿人民币（约7万亿韩元）的新投资计划。其中241亿人民币将用于技术研发项目，108亿人民币将用于后工序测试基地的建设。 特别是在技术研发项目的总投资额241亿人民币中，223亿9800万人民币被分配用于设备采购，占总额的92.94%。项目建设周期为30个月，CXMT计划通过此举加速产品和工艺技术的更新，提高内存密度、能效和性能。 CXMT已经进入HBM3E的开发和生产阶段。HBM是一种通过垂直堆叠多片D램制造的高带宽内存，其微细工艺、良率以及堆叠、封装和测试技术都至关重要。 因此，此次241亿人民币的下一代D램技术投资可能会用于提升HBM所需的高性能D램的工艺技术和生产良率。特别是通过大规模设备投资，预计将增强下一代D램工艺的研发和量产转化能力。 投入108亿人民币的后工序测试基地也与HBM相关。CXMT计划在此建设测试工厂，负责D램测试和模块组装。公司表示，随着生产能力的扩大和产品种类的增加，外部后工序厂商的测试能力可能不足，因此需要建立自有测试能力。自有后工序生产线的建立也是为了应对HBM生产的扩大。 因此，此次投资不仅仅是扩大D램生产能力，更是为了应对HBM3E之后HBM4的高性能内存竞争。 另一方面，美国信息技术专业媒体《信息》在8月31日引用两位知情人士的消息称，CXMT已开始小规模生产HBM3E。生产的HBM3E正在与阿里巴巴旗下的AI半导体设计公司平头哥及中国AI半导体公司Cambricon进行测试。如果测试通过，CXMT的HBM有望在2027年推出的产品中搭载。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

创信内存（CXMT）正在扩大其在全球通用D램市场的份额，紧追三星电子和SK海力士。国内半导体巨头专注于高带宽内存（HBM）等高附加值产品的同时，CXMT则抓住了通用D램市场的供应空白。 根据市场调研公司TechInsights的报告，CXMT明年的全球D램市场份额预计将飙升至18%。今年第二季度，CXMT首次突破10%的市场份额，显示出强劲的增长势头。2023年，其市场份额仅为1%，在短短三年内增长了18倍，确立了全球第四大D램制造商的地位。在三星电子（38%）、SK海力士（25%）和美光（24%）构建的稳固内存垄断体系中，中国企业能够占据两位数的市场份额实属罕见。 中国政府通过补贴支持和强大的生产能力扩张，成为CXMT快速发展的核心动力。CXMT自成立以来，就得到了合肥地方政府的投资和规模达477亿美元（约合66万亿韩元）的国家半导体产业投资基金的集中资金支持。此外，中国还对购买本国芯片的IT企业提供直接补贴，并在公共采购中给予优先权。 CXMT凭借比全球市场价格低20%至30%的优势，向阿里巴巴、字节跳动、腾讯、小米等公司大规模供应DDR5和移动低功耗D램，建立了稳固的订单基础。HP、宏碁等全球PC制造商推出的入门级笔记本电脑系列也通过了质量验证，逐步进入全球供应链。 三星电子和SK海力士在向先进工艺转型方面的策略变得愈加复杂。由于第五代（HBM3E）和第六代（HBM4）HBM的稳定需求和良好的良率，D램业务的整体营业利润率保持在50%至60%之间。然而，随着高附加值AI内存的主要晶圆生产能力优先分配，通用服务器和消费类D램的供应能力相对减少。 产业研究院的研究员金阳平表示：“CXMT的快速增长不仅仅是数量的增加，更意味着通用内存市场的结构性变化。”他指出，“国内企业在专注于高附加值AI内存的同时，也需要在通用市场保持价格主导权，全面增强盈利能力，以应对市场变化。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

AMD在人工智能（AI）半导体需求扩大的预期下，首次突破了1万亿美元的市值。在NVIDIA主导的AI加速器市场中，AMD作为最大的竞争对手不断壮大，同时三星电子构建的“NVIDIA+AMD”供应链的价值也在提升。三星电子为两家公司提供下一代高带宽内存（HBM），以扩大在AI半导体业务中的接触点。 据外媒和半导体行业消息，AMD的股价在21日（当地时间）上涨了9.6%，达到了613.31美元，市值首次突破1万亿美元。今年以来，AMD的股价上涨了185%。三星电子早在3月18日就宣布将与AMD扩大在下一代AI内存和计算技术领域的战略合作。 推动AMD市值上涨的主要因素是其AI业务的扩展。AMD不仅在Instinct GPU方面有所发展，还扩大了在服务器用EPYC CPU和机架级AI平台的业务。通过与Meta和OpenAI等大型客户的合作，AMD正从单一芯片供应商转型为AI系统供应商。 与三星电子的合作也在加深。三星电子一直为AMD的MI350X和MI355X提供HBM3E，并被选为下一代MI455X的HBM4优先供应商。双方还在第六代EPYC CPU和Helios平台的高性能DDR5方面展开合作。 合作范围不仅限于内存。双方还讨论了AMD下一代产品的代工生产合作。三星电子将内存、代工和先进封装的综合半导体能力与AMD的AI路线图相结合。 对三星而言，AMD的增长可能会带来AI客户的多元化。随着AI用HBM需求集中于NVIDIA，内存厂商的业绩也会受到特定客户产品周期的影响。如果AMD增加AI加速器的供应，三星将能够在NVIDIA之外扩大HBM的出货渠道。 与NVIDIA的合作也在同步加强。NVIDIA首席执行官黄仁勋在6月确认，三星电子与SK海力士和美光共同为下一代Vera Rubin平台提供HBM4。三星向NVIDIA供应HBM4，同时也在与AMD扩大HBM4和DDR5的合作，甚至探讨代工的可能性。 AMD市值突破1万亿美元，标志着AI加速器供应链正在逐步从NVIDIA单一主导向多元化发展。随着这一趋势的持续，三星电子在内存和代工领域的商业机会也将增加。然而，与AMD的代工合作仍处于讨论阶段，实际订单的落实将是进一步收益的关键因素。 业内人士表示：“如果AMD的AI加速器出货量增加，HBM的需求将会扩大到NVIDIA之外，从而降低对特定客户的依赖，同时也能同时扩大内存和代工的合作。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

人工智能(AI)半导体的核心部件高带宽内存(HBM)市场的主导权竞争愈发激烈。SK海力士占据市场一半份额，保持领先地位，而三星电子的市场份额迅速扩大，两者之间的差距正在缩小。随着下半年HBM3E向HBM4的世代更替正式启动，预计明年三星电子将在HBM4市场上夺得第一。与此同时，美国美光正在扩大HBM4的生产能力，中国长鑫科技(CXMT)也开始小规模生产HBM3E，HBM市场的竞争格局愈加激烈。根据市场调研机构Counterpoint Research的数据，今年第二季度全球HBM市场中，SK海力士以50%的市场份额保持第一位，但较第一季度的58%下降了8个百分点。三星电子在同一时期的市场份额从21%上升至33%，上涨了12个百分点。因此，SK海力士与三星电子的市场份额差距在一个季度内从37个百分点缩小至17个百分点。美光以18%的市场份额位居第三。随着下半年HBM4的出货量逐步增加，三星电子与SK海力士之间的竞争预计将更加激烈。目前，HBM市场的销售大部分来自第五代HBM3E，但由于英伟达的下一代AI加速器“贝拉·鲁宾”等将搭载第六代HBM4，市场重心也在向HBM4转移。三星电子计划在第三季度将HBM4的销售额扩大至第二季度的三倍以上。SK海力士也完成了HBM4的良率稳定，并开始增产。两家公司还在加快下一代产品HBM4E的开发进度。在HBM3E中，SK海力士所获得的市场优势在HBM4中可能会发生变化。全球投资银行瑞银预计，明年HBM4市场三星电子的市场份额将达到41%，超越SK海力士的39%，成为第一。三星电子的整体HBM出货量预计今年同比增长124%，明年将增长137%。KB证券也预测，三星电子明年将在HBM4市场上以44%的市场份额夺得第一。此外，预计明年三星电子的HBM平均销售价格(ASP)将同比上涨两倍以上。美光也在扩大HBM4的生产能力，以追赶三星电子和SK海力士。业内人士表示，美光预计到今年年底将增加每月最多6万片的HBM生产能力，达到约10万片的规模。与去年每月4万至5万片的水平相比，增加了约两倍。HBM4 12层的生产比例也预计将从年初的20%至30%提高到年底的最大50%。美光在今年第二季度已开始HBM4 12层的量产，HBM4的累计出货销售额已超过10亿美元。中国的追赶也已开始。中国最大的DRAM厂商长鑫科技最近开始小规模生产HBM3E。计划从2027年开始正式量产，最快将在同年向中国的半导体设计公司供货。阿里巴巴的半导体子公司T头和中国AI半导体公司Cambricon已开始评估将CXMT的HBM3E应用于其处理器。长鑫科技原本预计今年将量产HBM3，但其开发速度已加快至更高一级的HBM3E。考虑到三星电子和SK海力士将在2024年开始HBM3E的量产，技术差距大约为三年。然而，长鑫科技的HBM产品在可靠性和速度上被评估低于三星电子、SK海力士和美光的产品。此外，三星电子和SK海力士已经开始扩大HBM4的供应，并着手开发HBM4E，因此在产品世代方面仍然存在差距。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

中国最大的DRAM公司CXMT（长鑫科技）开始生产高带宽内存（HBM）产品HBM3E，相关消息引发全球关注。几个月前，CXMT还被评估为无法稳定生产上一代产品HBM3。 美国信息技术（IT）专业媒体《The Information》在8月31日引用两名知情人士的消息称，CXMT已开始小规模生产HBM3E，并计划在明年扩大产量。生产的HBM3E目前正在两家客户公司进行质量测试，分别是阿里巴巴旗下的AI半导体设计公司平头哥和中国AI半导体公司Cambricon。如果测试通过，CXMT的HBM有望在2027年推出的产品中搭载。 截至今年4月，CXMT的HBM3商业化进度仍不明朗。台湾媒体《Digitimes》曾报道，CXMT在2026年实现HBM3量产的可能性也不大，业内分析认为发热和低良率问题阻碍了稳定生产。HBM经历了HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E和HBM4等多个世代的发展，HBM3E是对HBM3性能的提升版。CXMT能够在未经过HBM3大规模量产阶段的情况下，直接利用积累的技术进入HBM3E的小规模生产阶段。 关注点自然转向设备。HBM生产需要将DRAM垂直堆叠并结合的热压合本德（TC本德）。TC本德市场几乎被韩美半导体垄断。美国在2024年12月加强了对中国半导体设备的出口管制，禁止中国企业进口先进半导体设备。随后在2025年5月，韩美半导体通知中国客户将停止TC本德的出货。 IT专业博主NomadSemi在2025年6月的文章中分析，CXMT可能提前购买并储备了韩美半导体的TC本德。半导体专业分析公司Semiconductor Analysis在2026年6月分析CXMT的HBM供应链时确认，韩美半导体在2024年向CXMT交付了多台TC本德。 综合两份资料，CXMT在2024年已提前获得韩美半导体的TC本德，可能在出口管制和出货停止之前就已储备，并用于此次HBM3E的小规模生产。然而，目前尚未正式确认HBM3E生产线是否实际使用了韩美半导体的设备。CXMT和韩美半导体均拒绝对此进行评论。 此外，CXMT于27日在上海证券交易所科创板上市，通过上市筹集了666亿人民币（约合13,570亿韩元）。CXMT表示，筹集的资金将用于扩大生产能力和研发，预计其中相当一部分将投入HBM的开发。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士于29日发布了历史上最大的第二季度业绩，重申了其在高带宽内存（HBM）市场的主导地位。公司计划在今年下半年扩大第六代HBM——HBM4的供应，同时加快下一代HBM技术的开发。尽管近期三星电子的激烈追赶，SK海力士仍然坚定地维持HBM市场的独占地位。在第二季度业绩发布会上，SK海力士表示：“HBM的市场推出时机、产品性能、量产良率、质量和客户信任度等方面的竞争力是短期内难以获得的。”并指出：“HBM4从第二季度开始量产供应，目前的量产良率和质量已接近前一代产品（HBM3E）的成熟阶段。”HBM4是今年下半年将搭载在英伟达新型芯片“贝拉·鲁宾”上的最新一代产品。三星电子在今年2月率先实现HBM4的量产出货，而SK海力士则在第二季度开始量产，显示出稍显滞后的态势。预计SK海力士的HBM4在英伟达贝拉·鲁宾中的占比将达到70%，而AMD的AI服务器架构“赫利俄斯”将由三星提供HBM4，双方竞争愈发激烈。从销售额来看，SK海力士仍然占据明显优势。市场调研机构Counterpoint的数据显示，SK海力士、三星电子和美光的HBM市场份额在2025年第一季度分别为69%、13%和18%，而到2025年第四季度，这一差距缩小至57%、22%和21%。在2026年第一季度，SK海力士以58%的市场份额继续保持第一，三星电子和美光则以21%的份额并列第二。然而，从年度趋势来看，三星电子的激烈追赶势头预计将持续。市场调研机构TrendForce预测，2026年三星电子的HBM市场份额将从去年的20%上升至28%，美光将从20%上升至22%，而SK海力士则将从59%下降至50%。预计三星电子2026年的HBM销售额将比去年增长三倍以上。全球投资银行（IB）瑞银（UBS）也预测，明年三星电子的HBM比特（容量）市场份额将首次超过SK海力士，达到41%对39%。在这种情况下，SK海力士将持续致力于下一代HBM市场的主导权。公司表示：“HBM4E的客户样品供应已完成，预计2027年将正式量产，开发进展顺利。”同时还提到：“我们正在开发iHBM技术，以控制HBM5等下一代产品的发热问题。”并强调：“基于与客户的早期共同开发经验和长期合作，我们有信心在HBM市场继续保持领导地位。”公司还在扩大长期供应合同（LTA），以降低市场不确定性。SK海力士表示：“正在协商的LTA以五年为基本期限，同时讨论应对价格波动的多种价格结构。”并补充道：“包括购买协议和保证金等履约保障措施，以确保中长期需求的可见性。2027年的HBM数量和价格谈判也在顺利进行中。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

SK海力士驳斥了关于人工智能（AI）投资放缓的担忧，认为高带宽内存（HBM）等AI内存需求，以及普通DRAM和NAND都已进入结构性增长阶段。预计AI内存超级周期将比预期更为长期。为此，SK海力士计划扩大HBM4的量产，并推进5年期长期供应合同（LTA），同时扩大生产能力，以巩固其在AI内存领域的领导地位。在29日举行的2026年第二季度业绩发布电话会议上，SK海力士表示：“AI基础设施投资依然稳健，主要客户甚至要求更多的内存供应。”并指出：“不仅是AI内存，普通内存也在一起经历结构性变化。”公司还表示：“由于主要云服务提供商（CSP）之间的AI竞争和服务扩展持续进行，因此预计明年以后AI基础设施投资将保持稳健。”公司预计，今年DRAM需求将增长20%中段，NAND需求将增长10%后段。考虑到先进工艺的难度和生产设施的建设周期，预计供应短缺将持续相当长一段时间。中长期供应合同也在扩大。SK海力士表示，目前已与包括核心客户在内的10多家企业完成LTA谈判。合同期限通常为5年，涵盖简单的数量供应以及客户的采购协议和预付款等结构。SK海力士强调：“目前推进的生产能力扩张是基于与客户建立的长期合作伙伴关系所确保的需求。”并指出：“投资和生产扩张将根据客户需求和投资效率逐步进行，因此供应过剩的可能性有限。”公司重申了对HBM竞争力的信心。SK海力士表示，已从第二季度开始量产HBM4，并计划在下半年大幅扩大生产。下一代产品HBM4E也已向主要客户供应样品，正在以2027年量产为目标进行开发。SK海力士表示：“HBM的竞争力不仅体现在性能上，还包括良率、质量和稳定的量产能力。”并指出：“HBM4已经具备与上一代产品（HBM3E）相似的量产稳定性，同时也在积极开发解决下一代产品发热问题的iHBM技术。”针对近期竞争对手的技术追赶，SK海力士表示：“在市场推出时机、产品性能、量产良率、质量和客户信任度等方面，积累的竞争力短期内难以获得。”并强调：“基于与客户的早期共同开发经验和长期合作基础，未来仍能在HBM市场保持领导地位。”公司还将继续进行符合AI时代的积极投资。SK海力士计划提前M15X的量产时间，并在2027年初启用龙仁1期厂后迅速扩大生产能力。公司预计今年的设备投资（CAPEX）将在40万亿韩元后半段。这一投资将用于最近宣布的清州先进封装工厂（P&T7）和新的NAND生产基地（M17），以及龙仁之后的新半导体集群建设，以确保中长期增长基础。关于7月在美国纳斯达克上市的美国存托股票（ADR），SK海力士表示：“这不仅是简单的资金筹集，而是全球市场对我们技术实力和成长性的认可。”并表示：“将以此为契机，发掘新的商业机会。”目前，公司的净现金已增至69万亿韩元，并预告了额外的股东回报政策。SK海力士表示：“我们将AI时代的增长投资、财务稳健和股东回报作为资本配置的原则。”并承诺：“在ADR相关的监管程序完成后，将在年内与市场分享额外的股东回报方案。”

大信证券在7日表示，随着SK海力士美国存托凭证（ADR）即将上市，预计其与全球竞争对手之间的估值差距将迅速缩小。因此，将目标股价从234万3000韩元上调至390万韩元，投资评级维持“买入”。 SK海力士ADR预计将在10日于纳斯达克上市。大信证券研究员柳亨根表示：“这将是与竞争对手在相同条件下进行企业价值评估的机会。”他分析称：“由于在业务竞争力和规模上占据优势，之前的估值折扣将会消除。” 因此，大信证券将SK海力士2026年和2027年的营业利润预期分别上调至291万亿韩元和432万亿韩元。柳研究员指出：“在内存半导体供应短缺加剧的背景下，下半年的价格上涨幅度将超过市场预期。”他预测：“到2027年，2023年至2025年期间出现的以HBM为主导的DRAM平均销售价格（ASP）上涨将会重现。” 他特别提到，SK海力士在高带宽内存（HBM）方面的高曝光度将带来积极影响。柳研究员表示：“HBM3E的高价后续合同销售将开始确认收入，而HBM4将从今年第三季度开始正式销售。”他还提到：“到第四季度，新工厂的初期生产量将被纳入，能够灵活应对以服务器为中心的需求强劲。” 此外，柳研究员还指出，股东回报的扩大可能成为投资的一个亮点。他表示：“考虑到部分出售Kioxia股份带来的现金流入、ADR发行以及内存市场的超高景气，达到100万亿韩元的净现金只是时间问题。”他补充道：“从第三季度开始流入的现金可以用于股东回报。” 他还表示：“在ADR比例扩大之前，将进行股份回购和注销，以防止股权价值稀释。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

生成型人工智能（AI）正在改变半导体行业的格局。几年前，存储半导体市场的表现主要受DRAM和NAND价格的影响。然而，随着AI服务的普及和数据中心的建设，高带宽内存（HBM）、先进封装和定制半导体（ASIC）等成为决定半导体企业未来价值的关键因素。三星电子与SK海力士在AI半导体领域的竞争日益激烈。根据业内消息，目前AI时代的最大受益者是SK海力士。SK海力士通过提前向英伟达供应HBM，实际上掌握了AI内存市场的主导权。高附加值的HBM已成为影响AI加速器性能的核心部件，其盈利能力远超传统内存。实际上，SK海力士的HBM在DRAM业务中占据了相当大的比例，成为其核心收益来源。特别是，SK海力士正在围绕其最大客户英伟达提升HBM市场的控制力。该公司在HBM3E中已获得英伟达的订单优势，预计在HBM4中也将向英伟达提供最多的产品。最近，英伟达首席执行官黄仁勋在访韩期间与SK集团会长崔泰源多次会晤，重申SK海力士是“英伟达最大的内存合作伙伴”，进一步巩固了双方的合作关系。相对而言，三星电子在HBM市场的反应较慢。由于HBM3E市场中英伟达的供应链进入延迟，导致与SK海力士的差距加大。然而，最近局势有所改变。三星电子已率先进入HBM4的量产阶段，并开始供应HBM4E样品，加快了在下一代市场的布局。最近，HBM4的销售在量产出货4个月内突破10亿美元，预计到年底将超过100亿美元的销售额。三星电子副会长李在镕最近亲自前往天安的HBM封装生产线，检查生产竞争力和质量现状，这也反映了三星在HBM市场反击的决心。天安工厂是三星电子负责HBM后工序和先进封装的核心基地。李在镕亲自关注生产能力，以应对AI半导体需求的扩大。未来，设备端AI市场的争夺也是一个关注点。三星电子最近首发了针对设备端AI优化的通用闪存存储（UFS）5.0，数据传输速度比现有产品提高了两倍以上，电力效率提升超过40%。这旨在满足AI智能手机、XR设备和AI可穿戴设备市场的扩展需求。此前，SK海力士开发了全球最高层的321层NAND，并应用于UFS 4.1。该产品提高了电力效率并减少了厚度，今年第一季度已开始大规模生产。目前，SK海力士正在开发下一代产品，计划不仅满足AI服务器的内存需求，还积极应对设备端AI的需求。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。