国内半导体行业在人工智能（AI）投资扩大的推动下，前景乐观。随着AI推理需求的激增，高带宽内存（HBM）等高性能内存市场迅速增长，国内半导体企业也在加速应对中国技术追赶的下一代技术开发竞争。SK海力士开发总裁安贤在14日于首尔江南区COEX举行的第28届半导体展(SEDEX 2026)的主题演讲中表示：“预计到2030年，AI基础设施的性能规模将比今年增长约20倍。”安贤指出，随着AI推理的工作复杂度、处理信息量和请求量同时增加，内存需求也急剧上升。特别是，随着AI处理的信息存储和再利用的“KV缓存”增多，HBM、DRAM和固态硬盘（SSD）之间的数据移动成为新的性能瓶颈。为此，SK海力士将扩大定制化HBM的开发，同时推进高带宽闪存（HBF）的开发，目标是容量超过HBM的10倍，并在运算半导体上直接堆叠DRAM。安贤表示：“标准型HBM和定制型HBM将并行发展，但从长远来看，定制型产品将更为普及。”此外，中国的内存技术追赶也是国内企业竞争的一个变量。中国内存企业长鑫存储科技（CXMT）已预告将在下一代服务器用DRAM中应用“4F²”（四方形）技术。4F²技术可以缩小DRAM单元面积，使同一空间内存储更多数据。当天，三星电子首席技术官宋在赫在活动现场被问及4F²技术的开发进展时回答：“是的。”但对于开发进展情况，他表示：“我们正在努力。”此前，三星电子和SK海力士也一直在研究该技术，但因成本问题尚未应用于量产。随着中国技术开发速度的加快，国内企业也在全力争取下一代内存技术的掌握。在此背景下，双方在展会上分别展示了各自的下一代AI半导体技术和商业战略。三星电子展示了涵盖内存、代工和先进封装的综合半导体实力，介绍了下一代HBM4E、基于4纳米工艺的HBM4E基础芯片以及三维内存技术zHBM等AI半导体综合解决方案。在新设的“半导体集群区”中，公开了包括龙仁国家产业园区等主要生产基地和基础设施扩展计划。三星电子计划在龙仁国家产业园区投资约360万亿韩元，预计于2027年开始土地开发和建设，目标在2029年10月启动首条生产线。SK海力士则重点展示了以HBM为中心的AI内存技术和与英伟达的合作。在展位内最大规模的展台上，展示了HBM、HBF结构模型、高性能DRAM和企业用SSD等产品。特别是，展示了英伟达的“贝拉·鲁宾”超级芯片和首席执行官黄仁勋签名的HBM晶圆，以强调双方的合作关系。同时，还展示了256GB的服务器用3DS RDIMM和移动用LPDDR6等多种内存产品。 ※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

政府将着手开发下一代半导体核心技术，以克服人工智能（AI）半导体的性能和电力消耗限制。科学技术信息通信部于14日宣布，将成立'K-文创'半导体领域运营委员会和技术委员会。 政府推动的'K-文创'项目是通过人工智能（AI）与科学技术的融合，解决国家重大难题并引领技术创新的核心研发（R&D）项目。 在12项任务中，半导体领域的重点是获取超越市场上所有设备性能和电力消耗限制的下一代核心技术。核心任务包括建立显著改善半导体性能的'以存储为中心的计算'结构，以及提升电力对AI运算效率（Token/W）的技术开发。 此外，还将克服工艺微缩的限制，获取超微型半导体、高带宽内存（HBM）等下一代叠层技术，并在实际系统环境中进行验证。 此次成立的K-文创半导体运营委员会由半导体项目主任金智英担任主席。此外，科学技术信息通信部、韩国研究基金会、三星电子、SK海力士、主成工程等20余名产学研专家参与其中。另设的技术委员会将支持半导体技术路线图的制定、具体项目的规划、进度检查及目标管理等工作。 政府通过这两个委员会，将从政策制定到研发规划与实施、产业现场应用紧密结合，并持续反映技术环境变化和产业需求。 科学技术信息通信部研发政策室室长金成洙表示：“在AI时代，单个半导体的性能提升已不足够，半导体元件、内存、集成与封装技术的有机连接将决定系统整体的性能和电力效率，从而影响国家半导体竞争力。” 他进一步强调：“将聚集产学研的力量，提前掌握未来半导体的核心技术，系统性推进K-文创半导体任务，以确保研究成果能够转化为实际产业竞争力，强有力地支持三大mega项目。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

韩国综合股价指数因外资和机构的抛售而下跌。分析认为，OpenAI引发的人工智能泡沫论以及胡塞武装对沙特的攻击导致中东局势紧张，增加了市场供需压力。根据韩国交易所的数据，截至当天中午12时30分，韩国综合股价指数下跌170.25点（2.57%），报6459.69点。该指数一度跌至6417.27点，较前一交易日下跌208.66点（3.15%），但随后有所回升。在证券市场上，外资和机构分别净卖出1兆3554亿韩元和850亿韩元，而个人投资者则净买入1兆587亿韩元。外资对SK海力士和三星电子分别净卖出9190亿韩元和4617亿韩元。机构则对三星电子和SK海力士分别卖出1兆3648亿韩元和2130亿韩元。市值前列的股票大多呈下跌趋势。三星电子（-2.86%）、SK海力士（-3.15%）、SK广场（-3.90%）、三星电机（-3.10%）、现代汽车（-0.62%）、LG能源解决方案（-0.12%）等均出现下跌。同一时间，韩国创业板指数下跌35.74点（4.02%），报856.41点。在创业板市场上，个人投资者净买入2501亿韩元，而外资和机构分别净卖出1427亿韩元和988亿韩元。外资对EcoPro和EcoProBM分别净卖出269亿韩元和228亿韩元，机构则对Wonik IPS和IoTechnics分别卖出431亿韩元和359亿韩元。创业板市值前列的股票也大多表现疲软。EcoProBM（-8.77%）、Jusung Engineering（-5.79%）、Simtech（-6.77%）、Wonik IPS（-3.66%）、Rino Industrial（-10.92%）等均出现下跌。金石桓，未来资产证券研究员表示：“半导体行业的两大巨头（三星电子、SK海力士）正在消化OpenAI引发的‘泡沫论’，因此表现疲软。”

三星电子和SK海力士在人工智能（AI）半导体需求扩大推动下，持续创造历史最高业绩。三星电子成为全球大型科技公司中首个季度营业利润突破100万亿的企业，而SK海力士预计将在本月底发布历史最高业绩。由于高带宽内存（HBM）需求增加和通用DRAM价格上涨，半导体的繁荣预计将持续到明年。三星电子于8日公布，第三季度合并销售额为195万亿韩元，营业利润为107.4万亿韩元，分别比去年同期增长126.59%和782.5%。与上一季度相比，销售额增长13.70%，营业利润增长20.01%。这是国内企业首次季度营业利润超过100万亿，也是全球大型科技公司中的首次记录。营业利润率达到55.1%，创下历史最高纪录。负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门的业绩改善被认为是整体盈利能力扩大的主要原因。业绩改善的关键在于内存半导体价格上涨。由于AI数据中心投资的扩大，HBM和服务器用DRAM的需求增加，而供应的扩大受到限制，导致内存价格持续上涨。特别是半导体公司将生产能力优先分配给HBM和高附加值的服务器产品，通用DRAM的供应短缺也在加剧。HBM的生产扩大导致通用DRAM价格上涨，进而改善半导体公司的盈利能力。内存公司在保持高附加值产品生产战略的同时，增强了价格谈判能力。继三星电子之后，SK海力士预计将在27日发布历史最高业绩。金融信息公司FnGuide统计的SK海力士第三季度营业利润共识为77.2214万亿韩元，比去年同期增长578.37%。将三星电子的暂定营业利润与SK海力士的市场预期相加，达到184.6214万亿韩元。特别是SK海力士凭借在HBM市场上获得的供应竞争力，保持了较高的盈利能力。对主要AI半导体客户的HBM供应扩大，以及服务器用DRAM和企业用固态硬盘（SSD）等高附加值产品的销售增长，支撑了业绩改善。两家公司的业绩增长预计将持续到今年第四季度，甚至到2027年。由于全球大型科技公司持续投资AI数据中心，而内存半导体供应的扩大速度跟不上需求的增长。此外，今年DRAM和NAND的价格急剧上涨，明年HBM价格上涨的影响也可能加大。市场调研机构TrendForce预计，明年HBM的混合平均销售价格（ASP）将比今年上涨121%。证券公司也在上调明年的业绩预期。梅里茨证券最近将三星电子2027年的营业利润预期从562万亿韩元上调至632万亿韩元，增幅为13%。预计服务器用内存需求的增加和生产能力向高附加值产品转型将继续推动明年价格上涨。对SK海力士明年业绩的期待也很高。友信投资证券预计SK海力士今年的年营业利润为263.4万亿韩元，明年为454.1万亿韩元。尽管内存价格上涨幅度可能减缓，但通过高附加值产品比例的扩大，营业利润率预计将从今年的76%改善至明年的80%。下一代HBM，即HBM4的供应扩大也将是明年业绩的关键因素。三星电子正围绕HBM4增强AI内存的供应竞争力，而SK海力士也在全力生产下一代产品并扩大客户供应。根据HBM市场的供应量和客户的获取情况，两家公司的业绩差距可能会有所不同。然而，内存价格上涨带来的历史性半导体繁荣是否能长期维持仍然不确定。半导体公司的生产能力扩大和大型科技公司AI投资的速度可能会影响供需情况。此外，韩元升值带来的汇率影响和内存价格上涨幅度的波动也是不确定因素。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

美国国会近日表示，三星电子和SK海力士在中国的半导体生产设施可能成为美国供应链的风险因素。对此，中国方面认为，美国可能会施压盟国企业减少在华生产。 10月1日，中国媒体观察者网报道，美国众议院中美战略竞争特别委员会主席约翰·穆伦纳（共和党·密歇根州）最近向国务卿马克·鲁比奥发出信函，指出“美国对半导体盟国的要求正在发生变化”。 穆伦纳在信中表示，他对韩中关系的改善表示担忧，认为韩国企业在中国的半导体生产设施可能使美国供应链受到中国的压力而变得脆弱。 他特别提到三星电子在陕西省西安的工厂和SK海力士在江苏省无锡及辽宁省大连的工厂。这些工厂是两家公司主要的内存生产基地。市场调研机构TrendForce估计，去年三星电子在中国的NAND闪存生产量约占其总产量的30%至35%。SK海力士的DRAM生产中约有35%至40%以及NAND生产中40%至45%来自中国。 观察者网分析认为，三星电子和SK海力士作为美国人工智能（AI）和数据中心供应链的核心企业，其在中国的显著内存生产能力开始引起美国的关注。 此前，美国对中国的半导体政策主要集中在阻止中国获取先进的半导体制造设备。然而，未来可能会将盟国企业在中国的生产设施本身视为供应链风险，并要求降低对中国的依赖。 美国对三星电子和SK海力士在中国工厂的设备进口政策已经收紧。美国政府在2023年将这两家公司的中国工厂指定为出口管制例外的“验证最终用户”（VEU），允许在不需特别许可的情况下进口除极紫外（EUV）光刻设备外的大部分美国设备。 然而，去年VEU地位被取消，转而采用每年审查和批准所需设备进口数量的方式。观察者网指出，这使得两家公司必须每年获得美国的批准，无法再享受长期的出口管制例外。 观察者网预测，如果这一趋势持续，未来美国的压力可能不仅限于阻止中国获取先进设备，还可能逐步减少三星电子和SK海力士在中国的生产能力。 不过，由于这两家公司在中国建立了数十年的大规模生产设施，短期内迁移生产基地并不容易。此外，美国对韩国制造的内存半导体在人工智能和数据中心等领域的依赖程度也较高，这也是一个变数。 穆伦纳不仅对半导体问题表示担忧，还对近期韩中关系的改善表示关注。他提到，去年中国国家主席习近平时隔11年访问韩国，以及今年初韩国总统李在明时隔6年访问中国，认为韩中领导人的交流正在迅速扩大。 他还提到阿里巴巴和Temu等中国电子商务企业在个人信息保护、消费者保护、网络安全和产品安全等问题上的表现，认为韩国当局对中国企业的监管相对宽松。 穆伦纳要求国务院在本月底前就韩中关系的整体情况进行简报。 韩国外交部在回应对此信的询问时表示，无法具体评论，但强调韩美同盟是韩国外交政策的基础，双方在多个领域不断发展同盟关系，韩国监管机构对在国内经营的所有企业都给予公平对待。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

美国美光公司预告其毛利率将达到86%，这标志着内存半导体行业的繁荣再度确认。三星电子和SK海力士也因DRAM和NAND价格上涨，预计第三季度业绩将有所改善。然而，由于韩元升值，美元收入的韩元换算额减少，市场预期可能会受到影响。这表明行业状况与业绩并不完全一致，汇率在一定程度上削弱了繁荣的效果。 根据半导体行业的消息，美光将在30日（当地时间）发布2026财年第四季度的业绩。此前，美光已表示预计营收将达到500亿美元，毛利率约为86%。由于上个季度DRAM和高带宽内存（HBM）需求增加，创下历史最高业绩，因此此次发布被认为将成为即将于10月发布业绩的三星电子和SK海力士的先行指标。 内存价格走势也较为乐观。市场调研机构TrendForce在23日基于供应短缺和云服务提供商（CSP）稳定需求的基础上，上调了第四季度DRAM合同价格的预期。NAND方面，AI代理对大数据处理的需求推动了企业级SSD订单的增加。预计第四季度企业级SSD价格将比上季度上涨23%至28%。有分析认为，AI服务器投资的影响大于PC和智能手机需求的疲软。 国内企业也预计在第三季度将实现大幅盈利增长。金融信息公司FnGuide的数据显示，三星电子第三季度的营业利润共识为111兆3772亿韩元，SK海力士为78兆1291亿韩元。两家公司合计的营业利润将超过189兆韩元。 变数在于汇率。DS投资证券当天预计三星电子和SK海力士的第三季度营业利润分别为104兆韩元和70兆1000亿韩元，均低于市场共识约7兆韩元和8兆韩元。与第二季度末相比，韩元对美元汇率下降了约11%，这是主要原因。SK海力士的第三季度汇率假设也从1430韩元下调至1370韩元。 这并不意味着行业本身已经转弱。三星电子的移动和家电部门成本增加被纳入考量，SK海力士在下一代HBM转换过程中出货结构和收入确认时点有所变化。 市场的目光集中在30日美光的电话会议上。公司将就第四季度内存价格和明年供应短缺的预期进行说明，这可能会影响国内企业的第四季度预期。如果确认价格上涨趋势持续，三星电子和SK海力士也有可能在克服汇率压力后，重新上调盈利预期。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子和SK海力士在开盘初期的急剧下跌后，迅速恢复了跌幅。尽管三星电子面临除息日，仍然实现了上涨，而SK海力士则因低价买入的资金流入而减少了跌幅。 根据29日韩国交易所的数据，截至下午2时9分，三星电子的股价较前一交易日上涨0.37%，报271,000韩元。 三星电子开盘时股价较前一交易日下跌1.48%，报266,000韩元，但在开盘后迅速恢复跌幅并转为上涨。考虑到今天是三星电子第三季度的除息日，这一表现相当稳健。除息日通常会因失去分红权而出现卖盘。 同一时间，SK海力士的股价较前一交易日下跌1.13%，报1,748,000韩元。经过开盘初的急剧下跌后，股价波动并逐渐缩小跌幅。卖出前列的券商中包括摩根士丹利和高盛等外资证券公司。 尽管美国股市的半导体股表现疲软，但市场普遍认为前一天国内半导体股的急剧下跌过度，因此出现了反弹买入的资金流入。前一天，三星电子和SK海力士的股价分别下跌了5.43%和5.05%。 美国股市因美伊冲突导致的油价和国债利率上升压力而普遍下跌。道琼斯工业平均指数下跌0.67%，标准普尔500指数下跌0.77%，纳斯达克综合指数下跌0.92%。费城半导体指数也下跌了1.61%。 美国10年期国债利率在盘中飙升至5.241%，创下2007年6月以来的最高水平。高利率的压力对半导体股的投资情绪造成了影响，但由于前一天的急剧下跌使得价格吸引力凸显，国内大型半导体股在盘中出现了低价买入的趋势。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

因国庆假期闭市三天的国内股市将于28日重新开盘，市场对三星电子和SK海力士等大型股的股价波动格外关注。假期前股市强劲上涨，因此假期期间海外半导体市场的动态将成为首个交易日股价的重要变量。 在假期前的23日，三星电子的股价较前一交易日上涨3.25%，收于28万5500韩元，SK海力士上涨1.20%，收于186万韩元。当日，KOSPI指数上涨1.21%，达到7080.92点，主要受美国科技股和半导体股强劲表现的影响。 海外市场对半导体股的氛围也表现出友好的趋势。美国费城半导体指数（SOX）在25日上涨1.41%，达到12668.93点。同日，纽约市场对人工智能（AI）相关股的投资情绪持续，纳斯达克及主要科技股表现强劲。英伟达在盘中也表现出上涨趋势，高通股价上涨超过5%。 对三星电子和SK海力士而言，最重要的因素是AI用内存的需求。近期市场上，HBM4和DRAM价格持续上涨，市场对两家公司第三季度业绩的预期也在上升。根据25日的市场预期，三星电子第三季度的营业利润预期约为105.6万亿韩元，SK海力士约为74.1万亿韩元。然而，需注意的是，最近一个月的预期有所下调。 因此，28日开盘初期，三星电子和SK海力士可能会延续假期前的上涨趋势。然而，国内股市需同时反映假期期间美国利率、油价、中东局势等新变量，可能导致AI和半导体股的上涨幅度受到限制。 三星电子和SK海力士的走势不一定相同。三星电子不仅涉及内存，还包括代工和智能手机等业务，而SK海力士对内存和HBM的股价敏感度相对较高。近期市场上，HBM4供应扩大的可能性被视为两家公司面临的重要变量。 最终，28日最重要的是“假期期间美国半导体股的表现如何”和“外国投资者对国内半导体股的再投资情况”。 如果海外半导体市场的上涨趋势持续，三星电子和SK海力士在开盘初可能会表现强劲，但由于假期前股价已大幅上涨，获利了结的卖盘也不可排除。确切的涨跌方向需待28日上午外国资金流入情况及美国市场的进一步动态确认后才能判断。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

随着SK海力士对大规模用地的需求与三星电子的早期投资战略相结合，霍南地区的半导体国家产业园建设工作正在加速推进。 据26日业内人士和浙江省光州市的消息，SK海力士已向地方政府请求在光州军用机场的迁移地块内建设大型制造工厂所需的大规模土地。浙江省光州市表示，自7月以来，已与SK海力士的管理层和实务团队进行了9次具体协商，公开了半导体集群企业的协商现状。 SK海力士的主要高管于7月多次访问军用机场地块，检查了选址条件和现场情况。 在1日，光州市市长闵亨培访问了SK海力士的伊川园区，并与SK海力士社长郭弼正等人讨论了国家产业园的建设方向、晶圆厂选址条件及长期合作体系的建立，奠定了实质性的投资合作基础。 三星电子则强调快速推进项目，表达了早期启动的意愿。三星电子DS部门经营战略总监金勇官在上个月的主要会议上表示：“国家产业园的建设速度需要加快”，并请求提供积极支持。 在随后的霍南地区电力供应协议签署仪式上，三星电子还表示将大幅提前霍南地区的投资准备时间。 三星电子早在7月就派出高管团队检查了光州军用机场的现场，市政府相关人员也前往平泽园区，精确协商了电力、用水供应及物流、交通网络等基础设施建设要求。 为了反映两家公司的不同需求，光州市决定优先供应826万平方米（约250万坪）国家产业园预定地中的63万坪可立即开工的弹药库迁移地块。 计划于2027年开始土地开发，并在2028年底前确保基本电力和用水供应，目标是2030年6月实现首次量产。 光州市计划于10月与SK海力士签署入驻协议，并与三星电子的高管进行会谈，持续进行后续讨论。 市政府相关人士表示：“鉴于两家公司的生产基础设施扩充需求较高，我们将启动专门窗口，从土地获取到工厂完工提供定制化支持。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

北美人工智能（AI）市场正在从AI模型的学习与推理扩展到应用程序，企业级固态硬盘（eSSD）的需求显著增加。预计在半导体超级周期中，存储设备的比重将大幅提升。 根据台湾市场调研公司趋势科技的报告，美国主要云服务提供商（CSP）在过去两周内普遍上调了eSSD的需求预期。 此次需求上调的最大特点是，除了推动市场增长的高性能TLC产品外，具备成本效益和大容量优势的QLC（四层单元）产品也成为新的增长动力。 这表明，云服务商不仅将SSD用于AI学习和推理等高性能任务，还在不断扩展其在各种AI应用中的使用范围。 因此，预计今年第四季度eSSD的总订单量将超过今年第三季度创下的历史最高水平。趋势科技分析指出，需求的增加也影响了NAND厂商与云服务商之间的供应谈判。三星电子、SK海力士、美光、东芝和长江存储等主要NAND厂商在企业市场上加强了对容量分配和定价的控制，这可能导致eSSD价格的进一步上涨。 趋势科技指出，今年第二季度，eSSD市场由三星电子主导，销售额达到143.54亿美元（市场份额35.1%），SK海力士和Solidaim以86.31亿美元（21.1%）紧随其后，美光则以69.83亿美元（17.1%）排名第三。 专家分析认为，AI市场在初期大量采购eSSD用于大规模语言模型（LLM）的学习，而从今年下半年开始，北美的代理AI和中国的KV缓存卸载需求将推动eSSD的需求增长。 KV缓存卸载是指在LLM推理时，为了解决GPU高性能内存（HBM、GDDR）过度使用的问题，将相对低优先级的数据转移到系统内存或存储设备中以便重新使用的技术。美国的AI模型专注于充分利用高性能内存以实现最佳性能，而中国的精细化AI模型则转向降低高性能内存的使用量，同时实现最佳结果的研发方向。 趋势科技分析指出，随着代理AI的普及，对大规模实时数据搜索和缓存的需求急剧增加。代理AI需要快速调用和存储大量上下文和数据，这一过程中高性能eSSD的作用将更加重要。 在这种情况下，云服务商预计将积极利用QLC，以同时具备大容量和成本效益。QLC预计将在AI搜索和推荐系统的核心组件——向量数据库的构建中得到广泛应用。这不仅仅是少数超大规模云服务商的采购模式变化，AI基础设施的设计本身也可能向QLC中心重新调整。 eSSD需求扩大的另一个支柱是中国。中国在DeepSeek等公司的推动下，积极推动高容量QLC企业级SSD的使用，以实现KV缓存卸载。这种方式的核心在于将缓存数据从系统内存选择性地转移到高速、高容量的QLC中，从而提高模型推理效率并降低成本。 在美国的半导体出口管制下，中国AI企业在获取高性能内存方面面临困难，因此这种系统优化将成为必然，预计将进一步推动中国QLC的普及。在这一点上，过去被认为难以与三星电子、SK海力士等竞争的长江存储，预计将受益于中国市场份额的扩大。 一位半导体行业人士表示：“未来，eSSD市场将在美国和中国企业独立推动需求的背景下，NAND厂商的价格控制将使价格上涨趋势持续到今年第四季度。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。