中国存储芯片厂商长鑫存储（CXMT）加快追赶步伐。随着第五代（G5）DRAM技术平台进入量产阶段，其在通用及移动DRAM市场的竞争力受到关注。尽管三星电子、SK海力士在高带宽存储器（HBM）等高附加值领域仍保持优势，但随着中国厂商持续推进技术升级和产能扩张，通用及移动DRAM市场竞争或进一步加剧。 韩国半导体业界22日消息显示，长鑫存储日前宣布第五代DRAM技术平台正式进入量产阶段，其G5 DRAM将存储阵列有源区半间距缩小至11.95纳米。 在难以获得最先进极紫外光刻（EUV）设备的情况下，长鑫存储通过四重图形化技术推进制程微缩。以8Gb芯片计算，第五代平台单片晶圆可生产的裸片数量较第四代增加50%以上。不过，制程升级能否最终转化为成本和市场竞争力，仍取决于量产良率、生产规模及制造成本。 长鑫存储同时加快拓展移动DRAM市场。此次公司还发布两款基于第五代平台生产的24Gb LPDDR5X产品。LPDDR5X主要应用于智能手机等移动设备，显示其产品布局正进一步向移动DRAM领域延伸。 韩国厂商则继续向先进制程和高附加值产品集中。三星电子和SK海力士正在扩大10纳米级第六代1c DRAM应用。由于各企业DRAM工艺代际划分标准不同，代际名称并不能完全反映技术差距。目前，韩国企业在先进制程及高端DRAM领域仍保持优势。 尤其在人工智能（AI）需求快速增长的HBM市场，中韩企业之间仍存在明显差距。三星电子和SK海力士正推进新一代HBM4量产及商业化，而长鑫存储目前在这一高端市场的布局仍相对有限。 相比高端市场，长鑫存储在通用及移动DRAM领域的扩张更受韩国业界关注。近年来，三星电子和SK海力士持续将投资重心向HBM、高容量服务器DRAM等高附加值产品倾斜。如果长鑫存储进一步扩大通用及移动DRAM产能，可能对相关市场供需和价格形成影响。 特别是随着中国智能手机和个人电脑厂商扩大国产DRAM采购，中国存储厂商在本土市场的份额可能进一步提升，韩国企业在中国通用DRAM市场面临的竞争也将随之加剧。 韩国业界还关注，DRAM市场是否会出现类似此前液晶显示（LCD）行业的竞争格局变化。随着中国企业持续扩大LCD产能，韩国显示企业逐步退出大型LCD业务，并转向OLED等高附加值领域。不过，与LCD相比，DRAM在制程微缩、良率控制和资本投入方面门槛更高，HBM和服务器DRAM等先进产品还涉及客户认证、先进封装等多个环节，因此目前尚难判断DRAM市场会复制类似路径。 业内认为，短期来看，长鑫存储与韩国厂商在高端DRAM领域仍存在差距，但随着其通用及移动DRAM产能扩大，中国本土市场的竞争可能率先加剧。未来量产良率、制造成本及大规模生产稳定性，将成为观察长鑫存储市场影响力的关键指标。

苹果首款折叠手机'iPhone Duo'的市场表现将对国内零部件行业下半年的业绩产生重要影响。由于从显示屏到内存、光学模块等核心供应链均被其占据，iPhone Duo的销量越高，相关企业的受益也越大。 苹果于9日（当地时间）在美国加利福尼亚州库比蒂诺的苹果公园发布了折叠智能手机iPhone Duo。决定折叠手机身份的柔性有机发光二极管（OLED）面板由三星显示全量供应，7.8英寸的内部屏幕和5.5英寸的外部屏幕面板均由其独家提供，确保了苹果首代折叠生态系统的主导权。 三星显示采用了上下面板均为超薄强化玻璃（UTG）的“双UTG”结构，大幅改善了屏幕的褶皱。其在2026年国际消费电子展（CES）上展示的无褶皱样机相比于Galaxy Z Fold 7的褶皱深度减少了约20%，证明了技术的成熟度。分析认为，自2019年以来，三星电子在Galaxy Z系列的量产中积累的折叠耐久性和量产良率成为苹果独家供应的决定性因素。 为克服超薄折叠结构的局限，LG Innotek负责相机模块的设计。LG Innotek设计了一种避开铰链部位的独特结构，采用了潜望镜形式的“折叠变焦”。通过棱镜折射光线，即使在薄型设备中也能实现高倍光学变焦和防抖性能。自2023年iPhone 15 Pro Max以来，LG Innotek凭借超精密光学技术维护了苹果的折叠变焦供应链，成功满足了严格的折叠规格。 设备内部的“大脑”和“存储器”由三星电子和SK海力士共同承担。两家公司合计供应了用于设备内AI运算和多任务处理的12GB LPDDR5X DRAM的70%。三星电子以行业最低厚度的0.65mm LPDDR5X降低了21.2%的热阻，改善了25%的功耗。SK海力士则以应用高凯金属栅（HKMG）工艺的24GB LPDDR5X封装，保持了单一封装的全球最大容量记录。两家公司还共同负责约45%的NAND闪存供应。 业界普遍认为，苹果的新产品供应链布局再次证明了国内企业凭借独特的技术实力与中国企业之间的差距。尽管中国BOE为iPhone普通型号提供部分OLED面板，但在折叠及高端旗舰产品线方面仍未能突破。中国内存企业如CXMT等也因LPDDR5X工艺的微缩差距和谈判破裂而未能进入供应链。 上明大学系统半导体工程系教授李钟焕表示：“中国企业虽然在快速提升技术水平，追赶通用部件市场，但在超高速、低功耗内存和折叠面板等尖端领域，仍暴露出量产稳定性和质量的局限。” 随着iPhone Duo在全球移动市场的期待不断升温，国内主要零部件公司的下半年业绩改善也迎来了曙光。预计三星显示因iPhone Duo的OLED出货，中小型面板部门的营业利润将同比增长15%至20%以上。LG Innotek也因高价的超薄折叠变焦相机模块供应效应，光学解决方案部门的第四季度业绩动能将得到极大提升。 一位零部件行业人士表示：“iPhone Duo作为超高价的高端产品，其部件单价（ASP）和盈利能力非常高。由于初期良率和质量可靠性得到了认可，预计下半年业绩增长将显著。”

中国第二大代工厂华虹半导体再次进行扩建投资。 华虹半导体的子公司华虹宏力于1日晚间在交易所公告，计划在江苏省无锡市新建半导体生产线（无锡三期）。新生产线的月产能为5.5万张12英寸晶圆，投资总额达到41亿美元。公司表示，该生产线将专注于特殊工艺代工，预计将生产电力半导体、电力管理半导体、嵌入式和独立型非易失性存储器、模拟、逻辑和射频半导体等产品。这些产品将应用于人工智能数据中心和自动驾驶汽车等领域。 华虹目前正在快速扩大无锡的12英寸生产能力。去年完工的无锡二期项目华虹9厂（FAB9）就是一个例子。去年年底，该厂的月产量为4万张12英寸晶圆。随后，在6月底完成了额外工艺设备的引入，公司表示将在今年第三季度内启动新的生产线。如果新生产线投入运营，月产量将扩大至8.3万张。 华虹9厂在3月再次宣布扩建计划，预计在今年第四季度引入设备，并预计明年开始运营。该生产线的月产能为5.5万张12英寸晶圆。如果该生产线建成，华虹9厂的总生产能力将增加至13.8万张。 华虹半导体上半年的营业收入为13.7846亿美元，同比增长24.5%。特别是毛利率增长了83.2%，使得盈利能力得到改善。净利润为5957万美元，增长了4.1倍。尤其是电力管理平台的销售增长约40%，嵌入式非易失性存储器平台增长超过40%，独立型非易失性存储器平台增长约80%。华虹半导体表示：“与人工智能相关的需求对公司的特殊工艺代工业务产生了明显的积极影响”，并预测“下半年及2027年需求将保持强劲，价格也将继续上涨。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

受SK海力士第二季度业绩不及市场预期拖累，韩国股市继28日“黑色星期二”暴跌后，29日再度重挫，两个交易日接连遭遇“黑色行情”。 据韩国交易所数据，当天KOSPI收于5663.24点，较前一交易日下跌5.98%；创业板指数（KOSDAQ）收于662.68点，下跌6.12%。KOSPI盘中一度冲高至6228.52点，随后急转直下，跌至5262.77点，两度失守6000点关口。 从投资者类型来看，机构投资者净买入3.6092万亿韩元（约合人民币168.7亿元），个人投资者和外国投资者则分别净卖出2.9320万亿韩元和7644亿韩元。 当天，韩国交易所对KOSPI和KOSDAQ市场启动卖方临时停牌（Sidecar）机制后，又相继触发熔断机制（Circuit Breaker），暂停交易20分钟。这也是韩国两大股票市场历史上首次连续两个交易日同步触发熔断机制。 随着SK海力士公布第二季度业绩后股价由涨转跌，市场情绪迅速逆转。SK海力士29日发布业绩公告，第二季度营业利润为60.5426万亿韩元，同比增长557.2%，营业利润率高达76%，均创历史新高。但第二季度业绩仍低于市场预期。 与此同时，在当天举行的业绩说明会上，公司未披露高带宽存储器（HBM）产品价格谈判等市场关注的具体进展，对于股东回报政策也仅表示“正在研究进一步提高股东回报”，令投资者失望情绪迅速蔓延，并引发集中抛售。 受此影响，SK海力士收于140.1万韩元，较前一交易日下跌9.61%；三星电子收于20.85万韩元，较前一交易日下跌5.23%。两家企业同步重挫，拖累KOSPI跌破6000点整数关口，跌至5500点附近，市场此前普遍认为的6000点“底部”支撑位被彻底击穿。 此前，高盛曾指出，将6800点视为KOSPI的关键支撑位，若失守6800点，下一站是可能下探6100至6000点。摩根士丹利此前也曾预计，未来3至6个月KOSPI运行区间为6000点至9000点，韩国证券业界多数分析师同样将6000点视为阶段性底部。 然而，随着KOSPI失守6000点，市场开始重新寻找新的支撑位。分析认为，长鑫科技（CXMT）在上海证券交易所上市表现强劲，韩国股市自身基本面和投资信心持续走弱，也是本轮暴跌的重要原因。 数据显示，截至目前，KOSPI市场7月份累计跌幅已达35.74%，不仅超过1997年亚洲金融危机期间（跌幅27.24%），也创下有记录以来最大单月跌幅。

中国最大DRAM（动态随机存取存储器）制造商长鑫科技本月27日正式在科创板上市，首日刷新A股个股单日成交额历史纪录，在政府的大力支持和雄厚资本助力下，市场认为若长鑫存储持续提升技术水平和产能，或将动摇目前由三星电子、SK海力士和美光主导的全球存储芯片三强格局。 长鑫科技上市首日收盘价较发行价涨幅达465.82%，开盘即登顶A股市值榜首。按照收盘价计算，公司总市值达3.28万亿元人民币，盘中一度超越英特尔。此次IPO中，长鑫科技发行新股66.88亿股，募资约579.2亿元人民币，成为科创板史上最大规模IPO。 长鑫科技2016年成立于安徽省合肥市，是中国内地唯一打通DRAM全链条的本土厂商，产能规模位居中国第一、全球第四 。产品主要覆盖DDR、LPDDR两大主流系列，广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等领域，客户包括阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米等头部厂商 。‌‌ 长鑫科技借助此次融资，将进一步加快追赶三星电子和SK海力士的步伐。公司计划将募集资金重点投入存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。同时提升现有生产线良率，并加大DDR5、LPDDR5X及高带宽存储器（HBM）等高附加值产品的研发投入。 长鑫科技的上市引发对目前由三星电子和SK海力士主导的DRAM产业格局可能生变的期待。市场调查机构Counterpoint Research提供的数据显示，以今年第一季度销售额计算，全球DRAM市场份额排名依次为三星电子（38%）、SK海力士（29%）和美光（22%）。长鑫科技以8%的份额位居第四位，虽然与前三名仍存在明显差距，但相比去年同期3%的市场份额，近一年内已翻一番，发展势头强劲。 长鑫科技除依靠价格优势扩大市场份额外，近年来还借助全球存储芯片供应趋紧的机会提升价格谈判能力。据悉，公司已开始遴选客户，在部分服务器用DDR5产品上甚至提出高于韩国厂商的报价。另有消息称，苹果为应对存储芯片价格上涨及供应紧张局面，已向美国政府申请批准采购长鑫科技产品。 市场也关注到长鑫科技在HBM（高带宽内存）领域的发展潜力。目前三星电子和SK海力士已实现HBM4商业化，开始提供HBM4E样品，但长鑫科技仍处于HBM3研发阶段，与韩国厂商仍存在约三年的技术差距。但若政府持续提供政策支持，此次募资大规模投入研发和先进产能建设，长鑫存储在高端存储领域的追赶速度有望加快。

三星电子7日公布第二季度财报，初步统计显示营业利润为89.4万亿韩元（约合人民币3970亿元），同比大增1810.3%。这一数值已剔除约17万亿韩元的员工绩效奖金准备金，实际营业利润约为106.5万亿韩元，单季利润首次突破100万亿韩元大关，创下全球科技企业罕见盈利纪录。 英伟达和苹果历史最高单季营业利润分别为535亿美元（约82万亿韩元）和509亿美元（约78万亿韩元），均不及三星电子此次盈利水平。全球范围内，仅沙特阿美曾在2022年第二季度俄乌冲突期间实现865亿美元（约132万亿韩元）的营业利润。 即使按照已剔除奖金后的利润计算，三星电子本季营收超过2023年至2025年三年营业利润总和（82.9万亿韩元），为去年全年营业利润（43.6万亿韩元）的两倍多。 这一历史性业绩主要得益于全球人工智能（AI）基础设施投资持续扩大，推动DRAM、Nand闪存等存储芯片价格水涨船高，预计三星电子半导体部门营业利润率在80%左右。 市场研究机构Counterpoint Research预测，今年第二季度全球内存芯片市场规模有望达到350万亿韩元，环比增长超过60%。三星电子目前在全球存储芯片制造商中产能领先，成为本轮半导体筹超级周期的最大赢家。 尤其是在高带宽存储器（HBM）市场中，三星第六代产品HBM4率先量产，拉动高附加值产品销售额快速增长。 今年2月12日，三星电子全球率先量产HBM4，仅用约4个月的时间累计销售额突破10亿美元。此外，三星电子下一代HBM4E产品研发也取得积极进展，已于5月底向主要客户提供12层样品，内部透露的可靠性测试良率已提高至70%以上，距离80%的量产成熟标准近在咫尺。 受益于AI产业链持续扩张，市场普遍预计三星电子今年营业利润有望达到370万亿韩元，明年有望突破500万亿韩元。 充足的现金流为三星电子扩大半导体产能提供坚实基础，目前三星电子正推进在京畿道龙仁国家产业园区内建设6座系统半导体晶圆厂，同时加快平泽P5工厂建设，并计划在湖南地区投资400万亿韩元新建两座存储芯片工厂。 未来，集团计划在龙仁及现有半导体园区投资约1650万亿韩元，加上湖南地区400万亿韩元投资，总投资规模预计达到2050万亿韩元，以应对全球存储芯片长期供不应求的市场需求。 相比半导体业务的亮眼业绩，终端设备业务表现相对平淡。受半导体等核心零部件价格上涨影响，负责智能手机、电视及家电业务的设备体验（DX）部门盈利持续承压。券商预测移动与网络（MX）业务营业利润约为5000亿至1万亿韩元，电视及家电业务利润不足1000亿韩元，三星显示器营业利润约5000亿韩元，汽车电装子公司哈曼营业利润约为2000亿至3000亿韩元。

韩国政府于29日在青瓦台迎宾馆举行的“大韩民国大飞跃三大超级工程国民报告会”上，公布一项涵盖全国多个地区的超大型产业投资计划。三星与SK集团未来十年计划投资2000万亿韩元（约合人民币8.8万亿元），重点布局半导体、人工智能（AI）数据中心和物理人工智能（Physical AI）等核心领域。 韩国总统李在明在国民报告会上表示，将把执政第二年的今年打造成为“任何国家都无法替代的韩国”的新起点，并强调，建设全球领先的尖端产业强国是当前最核心的国家任务。 李在明提出，将半导体、AI数据中心和物理人工智能作为推动韩国经济发展的“三大轴心”，并强调“唯有抢速度，才能赢得未来”。他表示，为应对全球半导体需求快速增长，韩国将在现有龙仁、平泽半导体产业基地基础上，新建具备电力、供水和土地等基础设施条件的生产基地，同时将在全国布局AI数据中心，构建推动产业创新的良性循环体系。 李在明还指出，国家均衡发展是韩国未来的核心生存战略。政府将依托湖南地区（全罗道）等基础设施较为完善的区域推进大规模产业投资，并通过完善基础设施、提供税收优惠等措施支持企业扩大投资。此外，政府还将设立专门机构，统筹推进三大超级工程建设。 当天，韩国政府正式公布“三大超级工程”投资计划，涵盖半导体、AI数据中心和物理人工智能三大领域。其中，半导体领域计划在西南地区投资800万亿韩元、忠清地区投资81万亿韩元，加快建设新一代半导体产业集群。 三星电子会长李在镕和SK集团会长崔泰源也在国民报告会上分别公布以AI和半导体为核心的中长期投资蓝图。李在镕表示，三星正考虑将光州作为下一座半导体产业园区候选地，原因是当地在电力、供水、人才储备及基础设施等方面具备优势，并有望获得更多政策支持。他指出，继器兴、华城、平泽和龙仁国家产业园之后，三星有必要提前布局新的半导体生产基地。 在高带宽存储器（HBM）领域，三星计划将最先进的封装产能集中布局于忠清地区。李在镕表示，HBM是AI训练和推理不可或缺的关键组件，其生产需要最先进的芯片堆叠和制造工艺，因此将重点投资天安、温阳等地的HBM生产基地。 除半导体外，三星还公布了其他产业投资计划。其中，庆尚北道龟尾将布局人形机器人等物理人工智能项目；三星SDI将继续以蔚山为中心投资全固态电池和电池储能系统（BESS）；三星重工将在庆尚南道巨济扩大下一代造船业务；三星电机将以釜山工厂为核心扩大高端封装基板投资；生物医药业务则将继续集中布局仁川松岛，打造全球最大的生物产业园区。 李在镕强调，只要企业、政府和地方政府共同努力，就一定能够打造“不可替代的韩国”。 崔泰源则公布SK集团未来10年的AI数据中心和半导体投资规划。他表示，未来10年，SK集团每年将在韩国国内投资100万亿韩元以上，加快建设AI数据中心，推动韩国从出口产品向出口“AI”转型，并培育国内AI产业生态。 根据规划，SK电讯（SK Telecom）将建设15GW规模的AI数据中心，首先在全国分阶段建设总规模5GW的数据中心，随后根据电力、土地和供水等条件进一步扩容至15GW。 半导体方面，SK海力士将大幅提前生产线建设计划。崔泰源表示，原计划于2045年完成的龙仁半导体集群建设将提前12年推进，并将提前投入约600万亿韩元扩建龙仁DRAM产能、约100万亿韩元扩大清州NAND闪存产能。

日本陆上自卫队被发现近一年使用了一款感染恶意代码的USB存储设备。该设备曾连接到处理极秘信息的军事系统，但内部安全检查未能发现问题。类似的中国伪装USB在网上购物平台上也有销售，可能导致民间受害。 《日本经济新闻》在26日报道中指出，陆上自卫队中部方面总监部在2025年2月调查一台运行缓慢的电脑时，确认了USB存储设备的恶意代码感染情况。中部方面总监部位于兵库县伊丹市，是陆上自卫队的地方指挥组织。 内部调查结果显示，共有6个USB感染了相同的恶意代码。这些USB在总监部内约480台电脑中使用了超过50台，其中近一半连接到了与外部网络隔离的极秘信息处理系统。 陆上自卫队的计算机网络分为与外部互联网隔离的闭环网络和可以外部接入的工作网络。虽然这两个网络之间没有连接，但由于工作中经常需要转移资料，USB存储设备被日常使用。《日本经济新闻》指出，外部隔离的安全结构反而成为感染USB进入内部的通道。 陆上自卫队网络安全部对回收的USB进行了分析，确认该产品为中国伪装品。存储设备内部装有低价的microSD卡，并植入了恶意代码。虽然在电脑上显示容量为1TB，但实际存储容量仅为240GB。 自卫队内部文件记录显示，问题USB是在2024年1月诺托半岛地震灾害派遣期间，从石川县传递到中部方面总监部的物品。然而，采购经过尚未确认。石川县方面对《日本经济新闻》表示：“无法确认USB的采购事实或支付记录。” 陆上自卫队在引入USB或连接电脑时要求进行病毒检测。然而，由于PC安全软件的检测范围不包括USB，导致近一年未能发现感染情况。陆上自卫队的一位高层对《日本经济新闻》表示：“为何USB被排除在检测范围之外的详细经过尚未查明。” 问题恶意代码在美国安全公司报告中被指出为与中国相关的黑客组织曾使用的类型。《日本经济新闻》报道，感染的电脑可能被用作网络攻击的跳板，或被用于窃取信息。 类似USB在自卫队外部也在流通，这也是一个问题。陆上自卫队网络安全部在内部文件中指出，同类中国伪装品“似乎在国内外的电子商务网站上广泛流通。”《日本经济新闻》调查日本和美国亚马逊的购买评论后发现，自2017年以来至少有25起感染疑似报告。有消费者在评论中提到购买了与自卫队发现的相同品牌的中国制造产品，称其为“伪装存储器，里面有病毒，最糟糕。” 民间部门也面临风险 感染USB的风险并不仅限于军方。工厂、研究所、医院等使用与互联网隔离系统的设施，往往需要通过USB转移外部资料或软件。日本一家大型电子设备制造公司的高层对《日本经济新闻》表示：“工厂或研究所内部设备较旧，未应用最新的安全对策，USB作为媒介的病毒感染时有发生。” 《日本经济新闻》指出，感染USB流通的背景在于中国境内生产外包的安全管理松懈。一家工厂用嵌入式硬件制造公司的高管表示：“生产外包的中国企业往往是感染源，不能排除人为混入的可能性。” 陆上幕僚监部宣传室承认使用感染USB的事实，但表示“对系统没有影响”。不过，他们也指出“未遵循进行病毒检测的规定是个问题，目前正在严格进行检测。” 日本政府正在加强“主动网络防御”，以提前阻止网络攻击。然而，《日本经济新闻》报道，自卫队在意识到问题USB在社会上广泛流通的情况下，仍未公开此事。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子首次开发了优化设备内人工智能（AI）的下一代移动存储器。 据三星电子23日透露，该公司开发了可在智能手机等各种移动设备中作为数据存储装置使用的业界最高性能的“UFS 5.0”存储器，计划于今年第四季度开始大规模生产。 UFS是一种高性能的内置闪存，不仅作为数据存储装置，还能快速将AI模型和大容量数据传送至RAM，以帮助应用处理器（AP）进行AI运算。 对于需要在设备内处理大量数据的设备内AI设备来说，像UFS这样的半导体是必不可少的。 此次开发的三星电子UFS 5.0存储器具有快速数据传输和电力效率的双重特点。 基于三星电子先进的第九代V NAND（V9）开发，具备业界最高的每秒10.8吉比特（GB/s）数据传输带宽，速度比现有的UFS 4.1提高了约两倍。这意味着可以更快地存储和处理超过4K、8K等高清电影的大容量数据。 电力效率也得到了显著提升。UFS 5.0采用了阻断未使用电路的“时钟门控”和为每个电路应用最佳电压的“多电压技术”，使得电力效率比前作提高了40%以上。在传输相同数据量时，显著降低了能耗，从而延长了移动设备的电池使用时间。 产品尺寸也有所缩小。三星电子实现了宽7.5毫米，长13毫米，高0.9毫米的封装，面积比前作缩小约16.7%。这提高了智能手机、智能手表、AI可穿戴设备、扩展现实（XR）设备等多种形态设计的灵活性，计划提供最大1TB的存储容量。 此外，该产品采用了国际半导体标准组织（JEDEC）最新的内置闪存标准UFS 5.0接口。 三星电子存储事业部产品规划团队长最长石表示：“在设备内AI时代，存储装置不仅是简单的数据存储空间，更是决定AI体验的核心要素。三星电子通过首次完成UFS 5.0的开发，将为下一代移动存储设定新的标准，并继续引领AI移动创新。”

受人工智能（AI）热潮推动，韩国存储芯片巨头SK海力士股价持续上涨，市值超过三星电子，登上韩国综合股价指数（KOSPI）市值冠军宝座，这是韩国股市市值冠军时隔25年7个月易主。 据韩国交易所22日消息，以当天股市收盘为准，SK海力士市值达2079.6655万亿韩元（约合人民币9.1万亿元），领先三星电子（2060.8132万亿韩元）18.8523万亿韩元。三星电子将保持长达25年7个月的韩国股市市值冠军宝座拱手让与SK海力士。 三星电子自1999年7月29日首次登顶韩国股市后，排名曾短暂波动。但自2000年11月21日，长达25年始终稳居韩国股市市值榜首。 此次排名变化主要得益于AI产业快速发展带来的全球半导体需求激增。在韩国股市“双雄”三星电子和SK海力士均成为本轮AI大潮的赢家，SK海力士凭借更高的股价涨幅实现反超。 截至22日收盘，SK海力士股价大涨5.61%，而三星电子股价较前一交易日下跌0.14%。 不过，若将三星电子优先股一并计算在内，双方的市值差距仍然存在。目前三星电子普通股和优先股合计市值约为2241.5473万亿韩元，SK海力士市值已达到92.61%。 从年内表现来看，三星电子股价累计上涨197.7%，而SK海力士同期涨幅高达341.9%，涨势更为迅猛。 造成两家公司股价涨幅差距的主要原因在于全球资本持续向AI产业链和半导体板块集中。SK海力士业务高度聚焦于半导体领域，尤其是在高带宽存储器（HBM）市场占据领先优势，因此充分享受AI服务器和高性能计算需求爆发带来的红利。而三星电子业务除半导体外，还覆盖智能手机、家电、显示器等多个领域。多元化业务结构在增强企业抗风险能力的同时，也稀释了近期半导体板块强势上涨带来的估值提升效应。 根据全球市值统计网站CompaniesMarketCap的数据，按照包含优先股的企业总市值计算，三星电子目前市值约为1.51万亿美元，在全球上市公司中排名第10位，SK海力士市值约为1.348万亿美元，位列全球第13位。 尽管SK海力士在韩国股市普通股市值排名上实现突破，但在全球资本市场层面，三星电子仍保持一定领先优势。 此外，市场对于SK海力士即将于下半年赴美上市的预期也成为推动股价上涨的重要因素之一。SK海力士今年3月向美国证券交易委员会（SEC）提交了美国存托凭证（ADR）上市注册申请文件（Form F-1）。ADR是外国企业在美国资本市场发行并交易本公司股票的金融工具，有助于扩大国际投资者参与度并提升企业全球资本市场影响力。 若SK海力士成功在美上市，有望进一步吸引全球资金流入，并巩固其在全球AI存储芯片市场的领先地位。