韩国半导体产业面临警告信号。中国的内存企业在D램和闪存技术追赶上加速发展。尽管三星电子和SK海力士在先进内存市场保持优势，但中国政府的全力支持和庞大的内需市场使得竞争愈发激烈。预计到2030年，中国的半导体竞争力将超越韩国。15日，业界消息称，韩国经济人协会对去年国内200家主要出口企业进行调查，预测到2030年中国的半导体竞争力将超过韩国。以韩国的竞争力为100，中国的竞争力预计将从去年的99.3提升至2030年的107.1。这意味着在短短五年内，竞争优势可能会发生逆转。不仅是半导体，调查还显示，韩国的显示器、造船、电气电子等十大主要出口行业都将落后于中国。这一预测与中国内存企业的最新动态密切相关。中国D램制造商长鑫科技（CXMT）正在推进下一代服务器用D램的‘4F²’技术，该技术将单元面积减少33%，并计划在今年内实现量产。这项技术能够在同一晶圆上生产更多芯片，从而降低制造成本。三星电子和SK海力士也在研究相关技术，但尚未确定商业化时间。CXMT是否能确保稳定的良率尚不确定。然而，如果成功量产，其对市场的影响将是显著的。随着AI数据中心投资的扩大，内存市场的供应短缺持续，如果中国D램的供应增加，供需失衡可能会比预期更快得到缓解。这也可能导致三星电子和SK海力士的内存繁荣提前结束。CXMT还在扩大与中国大型科技公司的合作。最近与腾讯签订了超过200亿人民币（约合4.1万亿韩元）的服务器用D램长期供应合同。阿里巴巴云、字节跳动、联想、小米等也是其主要客户。CXMT依托庞大的内需市场，稳固了销售渠道，并积累了产品验证经验。其内存业务领域也在逐步扩大。CXMT正在北京新工厂建设闪存研发（R&D）生产线。相反，中国闪存制造商长江存储（YMTC）也在向客户提供低功耗D램样品，考虑进入市场。此前分别负责D램和闪存的中国两大内存企业正在相互渗透各自的领域。在闪存市场，中国的追赶已开始显现。市场研究机构Counterpoint Research的数据显示，YMTC在2023年第二季度的全球闪存出货量市场份额为16.5%，位列三星电子和SK海力士之后，成为全球第三。尽管面临美国的半导体设备出口管制，YMTC依然凭借独特的堆叠技术‘Xtacking’增强了生产竞争力。YMTC不仅在智能手机和PC用闪存方面发力，还在进军AI数据中心企业级固态硬盘（SSD）市场。8月，该公司申请在上海证券市场上市，计划融资约330亿人民币（约合7万亿韩元），以用于生产设备扩充和研发投资。中国追赶的威胁性更在于政府层面的全力支持。中国政府通过巨额补贴和扩大国内半导体采购，支持企业的成长。即使在良率和成本竞争力上暂时落后于韩国企业，依然能够通过持续生产和销售提升技术水平。最近，曾任中国工业和信息化部部长的李乐成访问了CXMT，强调将半导体产业视为与国家安全直接相关的战略产业，并表示将给予全力支持。中国政府计划通过第十五个五年规划（2026-2030年）培育包括高密度内存在内的先进半导体技术及相关产业供应链。然而，目前仍存在至少2至3年的技术差距。CXMT需要证明下一代D램的量产良率，而YMTC则需扩大高附加值产品的比例并确保全球客户。三星电子和SK海力士也在全力开发高带宽内存（HBM）等先进内存技术，以保持技术优势。问题在于，普遍预期中国的追赶将愈加迅速。基于巨额资金和内需市场，如果中国企业扩大通用内存的供应，势必会对韩国企业的市场主导地位和盈利能力造成压力。相较于短期内的技术逆转，更需警惕的是中国持续的生产能力扩张可能改变全球内存市场的格局。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

“在我的指示下，日本将投资210亿美元。” 美国总统唐纳德·特朗普在14日（当地时间）社交媒体Truth Social上发表了这一言论。他将利用关税减免从日本获得的资金用于在美国建设半导体工厂的计划视为自己的成就。分析认为，这是在11月中期选举前展示经济成果的举措。然而，实际出资的日本方面却对这一计划充满期待与担忧的复杂心态。 美国半导体代工企业全球晶圆（GF）当天宣布将在纽约州建设两座工厂。这是去年美日关税谈判中达成的总额5500亿美元对美投资的第三个项目。总投资额最高可达210亿美元（约28300亿人民币）。计划首先投入约100亿美元建设第一座工厂，预计在2029年投产后再建设第二座工厂。特朗普总统声称，此项目将创造超过27000个建筑和供应链领域的就业机会，以及1000个制造业岗位。 该项目由日本出资，美国企业运营。根据《日本经济新闻》的报道，美日两国政府将成立特殊目的公司（SPV）进行资金筹集和建设、生产管理，而GF则负责人员和材料的运营。工厂的股份将由美日共同持有。新工厂将生产用于汽车、工业设备和通信基础设施的逻辑半导体，日本的瑞萨电子和美国的苹果将作为初期客户参与其中。 日本企业希望通过此次投资实现稳定的半导体供应和设备订单的扩大。瑞萨的社长柴田英俊在GF的声明中评价新工厂的生产能力为“公司生产基础的延续”，并表示此次合作将加强长期供应基础。提供制造设备的东京电子社长河合俊树也表示，欢迎为美国半导体生产能力的扩大做出贡献。 《共同社》指出，此项目还将有助于日本半导体供应链的多元化。在先进半导体生产集中于台湾和韩国的背景下，增加美国国内生产以应对台湾等地的地缘政治风险。此外，由于今年7月熊本地震导致九州地区部分半导体工厂停产，日本也希望分散因灾害造成的供应中断风险。 然而，针对对美投资的期待并非没有顾虑。《日本经济新闻》报道，日本三大银行——三菱UFJ、三井住友和瑞穗因需长期筹集巨额美元而未参与第二阶段的资金供给。参与第一阶段的这些银行被美国的花旗集团和摩根大通取代，后者拥有充足的美元资金。 日本银行此前曾向政府请求支持。《共同社》报道，7月大型银行向财政部请求美元筹集支持，政府正在考虑相关支持方案。提到利用政府外汇特别账户持有的美元的方案。显然，仅依靠民间金融机构的资金筹集难以履行大规模投资承诺的担忧浮出水面。 除了资金筹集，投资决策权和收益分配结构也引发争议。美日投资协议规定，美国总统拥有决定投资项目的权力。日本不仅通过出资，还通过贷款和担保等方式提供资金支持，但项目产生的收益如何分配则取决于投资条件。根据协议，直到日本收回相应的资金后，美日各自分配一半，之后则为美国90%、日本10%。 野村综合研究所的经济学家木内孝之在7月的专栏中评价，接受关税减免作为条件的对美投资计划本身是“相当不平等的协议”。日本政府相关金融机构承担贷款、担保和出资，但收益却由特朗普政府获取，若项目失败，负担将落在日本国民身上。 在已选定的项目中也出现了问题。根据《时事通讯社》的报道，美国联邦上诉法院于8月取消了包括德克萨斯州海上原油出口港项目（运营商德克萨斯海湾链接）在内的第一阶段项目的许可，理由是程序存在缺陷，要求重新审查。这是日本国际协力银行（JBIC）和日本贸易保险（NEXI）已签署贷款和保险合同的项目。日本环境组织FoE Japan要求这两家机构停止资金执行和保险承保。报道指出，此案例揭示了大规模投资项目所面临的许可审查和诉讼风险。 在此次半导体工厂项目中，日本金融机构的角色和负担仍然是悬而未决的问题。《读卖新闻》报道，JBIC以及三大银行可能会参与贷款，但具体的贷款条件尚未披露。未参与第二阶段并向政府请求美元筹集支持的银行将以何种条件重新提供资金，以及政府将承担何种负担以支持这一点，仍然是待解的关键问题。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

中国公开了用于先进半导体生产的极紫外线（EUV）光刻设备的核心部件光源系统样品。 半导体光源开发公司朗道燧岩于10月12日在上海举行的第26届中国国际工业博览会上首次展示了EUV光源系统样品，中国官方媒体《解放日报》于15日报道。现场相关人士表示，该系统的国产化率达到90%，大部分核心部件为自主开发。 EUV光源是制造7纳米（nm）以下先进半导体所需的核心技术。它通过高功率激光照射锡滴形成等离子体，并利用在此过程中产生的波长为13.5nm的极紫外线。光源是EUV光刻设备的核心组成部分。除了光源系统外，聚光的精密反射光学系统、掩模、晶圆传输与对准系统等也是EUV光刻设备的关键部件。 朗道燧岩的光源系统采用激光产生等离子体（LPP）方式，这与荷兰ASML在其商业EUV光刻设备中使用的方式相同。公司公开的低功率光源系统‘FlintNano LPP-OXXO’的EUV输出超过15W，连续工作时间超过100小时。而ASML的商业EUV光刻设备通常要求数百瓦的光源输出。必须提高输出、长期稳定性和运行率，才能在工业现场应用。 博览会现场相关人士表示，“该光源系统达到量产阶段还需3至5年。”此次公开被认为具有重要意义，标志着中国在EUV光源技术上从理论研究阶段迈向样品验证阶段。 另一方面，朗道燧岩成立于2024年，由王豪博士研究团队基于清华大学气体放电等离子体研究成果创办。该公司获得了张江高科技园区下属投资公司和中芯聚源等的投资。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

唐纳德·特朗普总统宣布，日本在美国的新投资项目将包括在纽约州建设的半导体工厂，预计将生产用于人工智能（AI）运算和汽车控制的逻辑半导体。 据《读卖新闻》等媒体报道，美国半导体代工企业全球晶圆（GlobalFoundries）计划与日本企业合作，在纽约州建设两座半导体工厂。 这些工厂将生产用于通信和汽车的逻辑半导体，并预计将供应给在美国设有生产基地的日本汽车制造商。 逻辑半导体是一种系统半导体，负责信息处理功能，如运算、判断和控制，与存储数据的内存半导体不同。 特朗普总统在14日（当地时间）通过社交媒体Truth Social表示：“在我的领导下，全球晶圆与由哈沃德·鲁特尼克部长领导的商务部宣布将在纽约州莫尔塔建设两座巨大的新半导体制造设施，投资规模达到210亿美元（约合28.2万亿韩元）。” 特朗普还表示，此次投资预计将在纽约州创造27,000个高薪工作岗位和1,000个高技能制造业岗位。他指出：“在我的指挥下，日本将为这210亿美元的投资筹集资金。” 预计投资资金将通过日本国际协力银行（JBIC）及其他主要日本银行以贷款形式筹集。 新建的两座工厂中，第一座工厂计划在年内开工，目标是2029年开始生产。 参与工厂建设的还有日本主要半导体制造设备公司东京电子和半导体企业瑞萨电子。 瑞萨在今年2月曾宣布与全球晶圆共同生产下一代汽车用半导体的计划。 此次项目是日本与美国达成的最大规模5500亿美元（约738万亿韩元）对美投资和金融支持计划的一部分。 此前，美日两国还宣布了包括下一代反应堆和天然气发电厂建设在内的六个项目。除了此次半导体工厂建设计划外，两国达成的投资和金融支持规模总计为1090亿美元（约146万亿韩元），占整体计划的约20%。 《读卖新闻》报道，美国方面还提出了多项额外投资项目，正在与日本政府进行协商以达成共识。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

国内半导体行业在人工智能（AI）投资扩大的推动下，前景乐观。随着AI推理需求的激增，高带宽内存（HBM）等高性能内存市场迅速增长，国内半导体企业也在加速应对中国技术追赶的下一代技术开发竞争。SK海力士开发总裁安贤在14日于首尔江南区COEX举行的第28届半导体展(SEDEX 2026)的主题演讲中表示：“预计到2030年，AI基础设施的性能规模将比今年增长约20倍。”安贤指出，随着AI推理的工作复杂度、处理信息量和请求量同时增加，内存需求也急剧上升。特别是，随着AI处理的信息存储和再利用的“KV缓存”增多，HBM、DRAM和固态硬盘（SSD）之间的数据移动成为新的性能瓶颈。为此，SK海力士将扩大定制化HBM的开发，同时推进高带宽闪存（HBF）的开发，目标是容量超过HBM的10倍，并在运算半导体上直接堆叠DRAM。安贤表示：“标准型HBM和定制型HBM将并行发展，但从长远来看，定制型产品将更为普及。”此外，中国的内存技术追赶也是国内企业竞争的一个变量。中国内存企业长鑫存储科技（CXMT）已预告将在下一代服务器用DRAM中应用“4F²”（四方形）技术。4F²技术可以缩小DRAM单元面积，使同一空间内存储更多数据。当天，三星电子首席技术官宋在赫在活动现场被问及4F²技术的开发进展时回答：“是的。”但对于开发进展情况，他表示：“我们正在努力。”此前，三星电子和SK海力士也一直在研究该技术，但因成本问题尚未应用于量产。随着中国技术开发速度的加快，国内企业也在全力争取下一代内存技术的掌握。在此背景下，双方在展会上分别展示了各自的下一代AI半导体技术和商业战略。三星电子展示了涵盖内存、代工和先进封装的综合半导体实力，介绍了下一代HBM4E、基于4纳米工艺的HBM4E基础芯片以及三维内存技术zHBM等AI半导体综合解决方案。在新设的“半导体集群区”中，公开了包括龙仁国家产业园区等主要生产基地和基础设施扩展计划。三星电子计划在龙仁国家产业园区投资约360万亿韩元，预计于2027年开始土地开发和建设，目标在2029年10月启动首条生产线。SK海力士则重点展示了以HBM为中心的AI内存技术和与英伟达的合作。在展位内最大规模的展台上，展示了HBM、HBF结构模型、高性能DRAM和企业用SSD等产品。特别是，展示了英伟达的“贝拉·鲁宾”超级芯片和首席执行官黄仁勋签名的HBM晶圆，以强调双方的合作关系。同时，还展示了256GB的服务器用3DS RDIMM和移动用LPDDR6等多种内存产品。 ※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

中国内存企业长鑫存储科技(CXMT)的技术追赶已延伸至三星电子和SK海力士的高附加值DRAM领域。尽管在量产良率和先进产品方面仍存在差距，但CXMT从消费类DRAM起步，正逐步扩展到服务器用DDR5和高带宽内存(HBM)，市场警惕性随之上升。 13日，韩国股市中，三星电子和SK海力士的股价分别下跌超过7%和8%。此前，美国费城半导体指数下跌2.67%，美光科技股价下跌3.88%。SK海力士的美国存托股票(ADR)也下跌了4.02%。 市场对此敏感反应的原因在于CXMT已明确了进入服务器市场的时间点。CXMT总裁赵汉宇在10日于中国上海表示，计划在年底前推出自家开发的4F²单元结构的服务器用“DDR5 RDIMM”。4F²结构相比当前主流的6F²，减少了单元面积，使得同一晶圆上可以放置更多内存。虽然实际的大规模生产和客户认证仍待确认，但中国企业从专注消费类DRAM转向服务器用高附加值产品，意义非凡。 增长速度也非常快。根据Counterpoint Research的数据显示，CXMT在2026年第二季度的DRAM销售额同比暴增716%。其全球市场份额为7%，位列三星电子39%、SK海力士26%和美光25%之后，排名第四。 三星电子和SK海力士需要关注的是CXMT所瞄准的市场。国内企业已逐步提高服务器用DDR5和HBM的比重，这些产品的盈利能力高于通用DRAM。 问题在于从现在开始。CXMT正在开发和客户验证的服务器用DRAM和HBM是三星电子和SK海力士的主要业务。虽然目前普遍认为在HBM3E或HBM4领域，CXMT尚未达到与国内企业直接竞争的水平，但其从通用产品向高附加值产品的转型速度过快。 在美国AI市场，作为内存最大需求方，围绕巨额投资的争议也在加剧。谷歌、亚马逊、微软和Meta等四大科技巨头的设备投资规模预计比去年增长77%。虽然并未减少对AI的投资，但随着内存和电力等成本的急剧上升，市场开始关注投资的盈利性和回收期等投资效率。 华尔街对全球内存市场的看法趋于悲观。花旗在12日将CXMT评估为“中期价格威胁”，认为三星电子和SK海力士的通用DRAM比重较大，暴露程度高于美光。8月时，花旗将美光的目标股价从1400美元下调至1150美元，并提出明年第二季度可能达到顶峰的观点，同时指出中国企业的DRAM和NAND扩产也是主要风险因素。 金阳平，产业研究院专业研究员表示：“很难确定与中国的技术差距究竟还有多少年”，并指出“如果美国允许向中国出口先进半导体制造设备，差距可能会迅速缩小”。他强调：“国内企业最终需要继续保持超越差距的战略，不断创造出中国企业难以追赶的新产品和市场。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子于12日（当地时间）作为最高级别的钻石赞助商参加了'OCP全球峰会2026'，发布了提升人工智能（AI）基础设施性能的下一代内存和存储技术战略及全球合作成果。 据业界消息，三星电子在此次活动中提出了三大技术方向：△第8代高带宽内存（HBM5）及定制HBM等高性能内存 △基于CXL的内存扩展技术 △利用下一代SSD的数据存储和管理技术。 心浩俊常务在主题演讲中介绍了以速度、内存扩展性和数据持久性为核心的技术战略。他强调：“为了应对日益庞大的AI模型和推理数据的增加，内存带宽的扩展、容量的保障和数据管理技术至关重要。” 同时，三星电子还展示了与全球企业的技术合作成果。三星电子与AMD共同演示了基于CXL的内存扩展解决方案，提出通过CMM-D基础的内存池技术灵活扩展AI系统的内存容量。 在展会现场，还设有两个专门区域，供参观者体验下一代内存技术。展出内容包括HBM4E、HBM5概念模型、LPDDR5X-PIM等高性能、低功耗内存，以及2纳米GAA晶圆、Grok LPU晶圆、NVIDIA Grok3 LPX系统等，全面展示了三星电子在晶圆代工和封装方面的综合技术实力。 根据市场调研机构的数据，三星电子在2023年第二季度的全球DRAM市场份额为39%（Counterpoint Research），NAND闪存市场份额为29.3%（TrendForce），均位居第一。 另一家市场调研公司Omdia预测：“今年三星电子的DRAM和NAND晶圆生产量将达到行业最高水平。”

全球最大半导体代工厂台积电预计将在人工智能基础设施需求的推动下，连续六个季度创下历史新高的净利润。 根据路透社在当地时间12日引用LSEG对16位分析师的预测，台积电第三季度的净利润预计将同比增长65%，达到7463亿新台币（约合31.2万亿韩元）。 台积电在第二季度也创下了7065.6亿新台币的净利润，刷新了季度最高纪录。 分析师们指出，台积电在人工智能半导体生产能力和先进封装技术CoWoS（芯片在晶圆上的封装）方面的需求依然强劲，认为这将推动业绩增长。作为英伟达和苹果的核心供应商，台积电被视为人工智能热潮的主要受益者。 台积电早前在8日宣布，第三季度营收为1兆4943亿4300万新台币，同比增长约50%。 台积电计划于15日下午3点（韩国时间）公布包括净利润在内的详细业绩以及第四季度和年度业绩展望。 市场也在密切关注台积电是否会在此次业绩发布中具体提及最近报道的美国生产设施扩张计划。 台积电正在美国亚利桑那州投资2650亿美元（约合353.4万亿韩元）建设半导体工厂，其中包括7月公布的1000亿美元的追加投资计划。 此外，上个月有报道称，台积电正在考虑在亚利桑那州以外的德克萨斯州进行追加投资。本月初，埃隆·马斯克的SpaceX和特斯拉首席执行官表示，正在讨论台积电参与其大型人工智能半导体工厂项目“特拉法布”的建设运营计划。 然而，分析师们对台积电在德克萨斯州追加投资的必要性看法不一。陈分析师最近表示，随着客户需求的增加，未来五年内亚利桑那工厂的用地可能会不足，因此可能需要在德克萨斯州进行追加投资。 相反，晨星的费利克斯·李分析师指出，亚利桑那州计划中的工厂中仍有尚未建设的设施，因此不急于扩展德克萨斯州。但他认为，德克萨斯州的半导体产业生态系统和人力资源基础扎实，适合未来2030至2040年的长期扩展。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子有望成为韩国首家单季度营业利润突破100万亿韩元（约合人民币4990亿元）的企业。在人工智能（AI）热潮带动存储芯片需求激增的背景下，三星电子继今年第二季度后，有望再次刷新历史最佳业绩。 据金融信息机构FnGuide于5日发布的数据，三星电子今年第三季度销售额和营业利润将分别达200.7657万亿韩元和106.9435万亿韩元，均有望超过第二季度销售额（171.4995万亿韩元）和营业利润（89.4924万亿韩元）。三星电子将于8日公布第三季度初步业绩。尽管近期韩元兑美元汇率上升，促使部分券商下调业绩预期，但市场仍普遍认为营业利润突破100万亿韩元的可能性较高。 本轮业绩增长的主要推动力是半导体（DS）部门旗下存储业务。随着大型科技企业扩大AI数据中心投资，不仅HBM需求旺盛，DDR5等服务器用DRAM以及企业级固态硬盘（eSSD）需求也保持强劲，在供给不足的情况下，存储芯片价格维持高位。分析认为，存储业务的高盈利能力有望抵消晶圆代工、系统LSI以及电视和家电等其他业务的疲软表现。 尤其从第三季度开始，HBM4对业绩的贡献预计将进一步扩大。三星电子今年上半年全面启动HBM4量产后，正在迅速提高产量。公司此前在第二季度业绩电话会议上预计，第三季度HBM4销售额将较上一季度增长三倍以上。三星证券预计，第三季度整体HBM销售额将环比增长60%。高附加值HBM4占比提升，不仅有助于扩大销量，也将改善盈利能力。 市场关注的重点是第四季度及以后走势。HBM产量扩大正在影响通用DRAM供应。三星电子预计，明年HBM将占整个行业DRAM晶圆产能的30%，高于目前的水平（20%）。在整体产能有限的情况下，更多产能分配给HBM，意味着用于服务器、个人电脑和移动设备等领域的通用DRAM供应空间可能进一步收窄。 存储芯片价格也有望延续强势。市场研究机构TrendForce预计，第四季度通用DRAM合约价格将环比上涨10%至15%，NAND闪存价格将上涨15%至20%。由于存储芯片企业优先将先进制程产能分配给利润率较高的HBM和服务器产品，以服务器DRAM为中心的供应短缺仍在持续。对三星电子而言，HBM4销量扩大与通用存储芯片价格上涨有望形成双重推动。 美国美光近期公布的强劲业绩也进一步强化了市场对存储芯片行业景气的预期。随着AI应用从模型训练进一步扩展至推理和AI智能体等领域，存储需求不断增加，而短期内供应难以大幅扩张，市场预计供方占据优势的格局仍将持续。 IBK投资证券研究员金云浩（音）表示，预计当前的存储芯片供应短缺将持续，在此背景下，行业盈利能力有望维持当前水平，利润规模也将保持稳定增长。

根据调查，至少27名在三星电子和SK海力士工作超过15年的半导体技术人才已转职至中国长鑫存储（CXMT）。这些员工涵盖了从电路设计到工艺整合和良率管理等量产各个环节。有人指出，中国的存储企业正在获取韩国积累的生产经验和设备。 10月6日，国会科学技术信息广播通信委员会的国民力量议员崔秀珍公布的调查显示，确认了23名三星电子出身和8名SK海力士出身的CXMT员工履历。去除重复的4名员工，总共为27人。该调查基于LinkedIn等公开履历进行。两家国内企业的平均工作年限为15.4年，其中包括6名拥有20年以上经验的高级和管理人员。 按职务分类，电路设计和布局8人，工艺整合7人，单元工艺、设备技术和良率、缺陷分析各4人。还确认了先进封装和晶圆厂规划的人才。议员办公室将此解读为“交钥匙式猎头”，即为工厂建设和量产稳定化所需的人才流动。然而，仅凭公开履历尚无法确认是否存在系统性招聘或实际技术转移。 在27名员工中，有15人曾在设备、材料公司或大学及其他半导体企业工作后加入CXMT。在调查对象中，26人已离开CXMT，平均在职时间为2.9年。其中7人转至华为香港研究所和中芯国际等中国及香港企业。返回韩国的员工为6人。议员办公室提出了对前职禁令规避和短期技术吸收的可能性，但未确认个别协议的违反情况和离职原因。 议员办公室获得的猎头信息显示，CXMT正在寻找具有HBM封装经验的高级人才，并提供了薪资提升、3至5年保障及住房、子女教育费用支持的建议。工业通商资源部对此回应称：“对于海外企业的合法人才招聘和猎头活动，没有法律依据进行查处或限制。” 议员办公室引用美国对CXMT相关企业名单的指定，要求加强应对。美国自2023年6月30日起限制与该名单上企业的国防采购直接合同，而包括这些企业的产品和服务在内的间接采购限制将于2024年6月30日生效。 崔秀珍议员表示：“半导体技术不仅包括设计，还包括20年、30年积累的人才经验和知识。”她强调，政府需要建立一个系统，以掌握和管理核心人才流向竞争对手的情况，同时应制定激励措施，让人才能够在国内发挥能力。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。