随着人工智能（AI）的普及，内存半导体的供应紧张加剧，全球大型科技公司开始将中国内存作为替代方案。三星电子和SK海力士的价格谈判能力增强，主要客户公司则通过多元化供应链来抑制价格上涨。然而，考虑到技术差距和美国对中国的监管，这一过程可能面临相当大的限制。据业内消息，特斯拉首席执行官埃隆·马斯克在15日的社交媒体上表示：“中国将在2028年生产大量内存半导体（RAM）。”他还在13日批评道：“美光在内存价格方面表现出合理的态度，但其他公司却要求不合理的高价。”虽然没有明确指名，但分析认为这番话是针对三星电子和SK海力士。由于AI数据中心投资的增加，尤其是高带宽内存（HBM）的需求激增，供应商在价格谈判中占据了优势。苹果也对引入中国内存的可能性持开放态度。苹果首席执行官约翰·特纳斯在15日接受美国《时代》周刊采访时，将内存供应限制称为“绝对危机”，并表示：“我们必须考虑所有选择。”目前，苹果正在试用中国长鑫存储科技（CXMT）的DRAM。这一举动被解读为应对内存价格飙升带来的成本压力。根据KB证券的预测，今年第四季度通用DRAM价格预计将比上一季度上涨10%至15%，而NAND价格则将上涨15%至20%。对于大规模采购内存的科技巨头来说，必须通过多元化供应来源来增强价格谈判能力。一位业内人士表示：“马斯克的战略举动似乎是利用市场对内存价格下跌的担忧，持续向供应商发出价格过高的信号，以防止价格进一步上涨。”然而，中国内存短期内取代国内产品并不容易。由于三星电子在先进工艺的量产经验、良率稳定性和客户认证等方面具有竞争优势，因此对中国企业技术追赶的担忧被认为是过度的。此外，美国对中国半导体的监管也是一个障碍。苹果考虑在中国销售的产品中使用中国内存的方案，也被解读为考虑到政治负担。不过，从中长期来看，中国的生产能力扩张可能会对国内企业的盈利能力造成压力。市场研究机构TrendForce的数据显示，CXMT的全球DRAM市场份额从今年第一季度的7.6%上升至第二季度的9.5%。预计该公司第三季度的收入将同比激增七倍。预计到2028年底，CXMT的月产DRAM晶圆生产能力将扩大至50万至60万片。如果中国的生产扩张导致智能手机和PC用DRAM的供应竞争加剧，国内企业的价格谈判能力也将不可避免地受到削弱。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子和SK海力士在人工智能（AI）半导体需求扩大推动下，持续创造历史最高业绩。三星电子成为全球大型科技公司中首个季度营业利润突破100万亿的企业，而SK海力士预计将在本月底发布历史最高业绩。由于高带宽内存（HBM）需求增加和通用DRAM价格上涨，半导体的繁荣预计将持续到明年。三星电子于8日公布，第三季度合并销售额为195万亿韩元，营业利润为107.4万亿韩元，分别比去年同期增长126.59%和782.5%。与上一季度相比，销售额增长13.70%，营业利润增长20.01%。这是国内企业首次季度营业利润超过100万亿，也是全球大型科技公司中的首次记录。营业利润率达到55.1%，创下历史最高纪录。负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门的业绩改善被认为是整体盈利能力扩大的主要原因。业绩改善的关键在于内存半导体价格上涨。由于AI数据中心投资的扩大，HBM和服务器用DRAM的需求增加，而供应的扩大受到限制，导致内存价格持续上涨。特别是半导体公司将生产能力优先分配给HBM和高附加值的服务器产品，通用DRAM的供应短缺也在加剧。HBM的生产扩大导致通用DRAM价格上涨，进而改善半导体公司的盈利能力。内存公司在保持高附加值产品生产战略的同时，增强了价格谈判能力。继三星电子之后，SK海力士预计将在27日发布历史最高业绩。金融信息公司FnGuide统计的SK海力士第三季度营业利润共识为77.2214万亿韩元，比去年同期增长578.37%。将三星电子的暂定营业利润与SK海力士的市场预期相加，达到184.6214万亿韩元。特别是SK海力士凭借在HBM市场上获得的供应竞争力，保持了较高的盈利能力。对主要AI半导体客户的HBM供应扩大，以及服务器用DRAM和企业用固态硬盘（SSD）等高附加值产品的销售增长，支撑了业绩改善。两家公司的业绩增长预计将持续到今年第四季度，甚至到2027年。由于全球大型科技公司持续投资AI数据中心，而内存半导体供应的扩大速度跟不上需求的增长。此外，今年DRAM和NAND的价格急剧上涨，明年HBM价格上涨的影响也可能加大。市场调研机构TrendForce预计，明年HBM的混合平均销售价格（ASP）将比今年上涨121%。证券公司也在上调明年的业绩预期。梅里茨证券最近将三星电子2027年的营业利润预期从562万亿韩元上调至632万亿韩元，增幅为13%。预计服务器用内存需求的增加和生产能力向高附加值产品转型将继续推动明年价格上涨。对SK海力士明年业绩的期待也很高。友信投资证券预计SK海力士今年的年营业利润为263.4万亿韩元，明年为454.1万亿韩元。尽管内存价格上涨幅度可能减缓，但通过高附加值产品比例的扩大，营业利润率预计将从今年的76%改善至明年的80%。下一代HBM，即HBM4的供应扩大也将是明年业绩的关键因素。三星电子正围绕HBM4增强AI内存的供应竞争力，而SK海力士也在全力生产下一代产品并扩大客户供应。根据HBM市场的供应量和客户的获取情况，两家公司的业绩差距可能会有所不同。然而，内存价格上涨带来的历史性半导体繁荣是否能长期维持仍然不确定。半导体公司的生产能力扩大和大型科技公司AI投资的速度可能会影响供需情况。此外，韩元升值带来的汇率影响和内存价格上涨幅度的波动也是不确定因素。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子与SK海力士正在加快高带宽内存（HBM）的扩产速度，但预计明年仍将面临供需不足。业界预测，明年HBM的平均售价将比今年上涨超过两倍。这是因为在新生产线实际投产之前，AI加速器对HBM的需求正在迅速增长。 根据30日的行业消息，市场调研机构TrendForce预计，明年HBM的混合平均售价将比今年上涨121%。这一价格上涨是由于供需不足以及HBM4等高价产品比例增加的共同结果。预计明年下半年将开始出货HBM4E。然而，由于产品构成的变化，这并不意味着同类HBM产品的价格普遍上涨2.2倍。 直接影响业绩的是今年正在进行的价格谈判。与通用DRAM不同，HBM通常与主要客户按年度确定数量和价格。从今年第二季度开始，关于2027年供应的HBM4数量的谈判已正式启动。SK海力士在7月的电话会议中也表示，正在与主要客户协商明年的供应量和价格。业界认为，目前提到的价格上涨部分将反映在今年签订的合同中，并在明年出货。 三星电子与SK海力士同时加快扩产。三星电子正在平泽P4扩大HBM4用1c DRAM（D1c）的生产能力。业界预计，计划在明年第一季度前达到每月10万至12万片的生产规模。P5设备的引入也在讨论提前，但预计真正的供应贡献将在2028年之后。在温阳和天安也在扩充HBM封装设备。 SK海力士则提前了青州M15X的HBM生产扩张计划，并将今年的设备投资规模提高到40万亿韩元的后半部分。用仁集群的第一座工厂Y1将于明年逐步开始生产准备。Y2将投入35.2万亿韩元。青州还在建设负责HBM后工序的19万亿韩元规模的P&T7。 尽管大规模投资持续，但供应不会立即增加。新生产线需要经过设备安装和工艺稳定化的过程。HBM需要比一般DRAM更多的晶圆和先进的封装工艺。TrendForce预计，HBM在整体DRAM晶圆投入量中的比例将从去年底的18%提高到今年的22%，明年将达到30%。随着HBM生产的增加，通用DRAM的供应能力将减少，整体内存供需可能会变得紧张。 因此，明年三星电子和SK海力士的业绩将不仅取决于出货量，还将受到今年签订的合同条件的影响。SK海力士已与约10家主要客户签订了多年长期供应合同。三星电子也在推动HBM4的供应扩展。然而，平均售价上涨121%的预测不能简单地与两家公司的利润增长率等同。客户的合同价格、HBM4的比例以及新生产线的初期良率等都是变量。 业界注意到，即使在扩产阶段，价格预期仍在上升。在内存产业中，大规模扩产通常会导致供应增加和价格下跌，但目前HBM投资的性质更强烈地是为了跟上不断增长的需求。 一位业内人士表示：“扩产的数量在实际供应上体现之前会有时间差，因此短期内供需紧张的趋势将持续。我们认为，今年签订的合同条件将成为明年业绩的关键变量。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

美光科技（Micron Technology）有望再次实现历史最高业绩，全球内存市场的上升趋势持续。即将公布业绩的三星电子和SK海力士的第三季度表现也被视为积极信号。 据业内消息，美光将于10月1日（韩国时间）正式发布2026财年第四季度（6月至8月）经营业绩。随着半导体超级周期的持续，本季度的销售额预计将达到创纪录的500亿美元（约67万亿韩元）。每股收益（EPS）也有可能大幅超出市场预期。 美光的良好表现主要得益于全球人工智能（AI）数据中心投资的扩大，导致高带宽内存（HBM）和大容量服务器用DRAM需求激增。市场对“AI峰值后下滑”的担忧可能会被消除，证明内存行业的长期繁荣。 这一趋势也增强了对三星电子和SK海力士业绩的期待。作为内存三大厂商中最早公布业绩的美光，其数据证明了全球需求的坚挺，从而提升了国内企业对第三季度的预期。 根据金融信息公司FnGuide的统计，三星电子和SK海力士在2023年第三季度的合计营业利润共识（市场平均预期）预计将达到约190万亿韩元。由于进入下一代HBM4市场的技术竞争加剧，通用DRAM和闪存的价格持续上涨，推动了两家公司的利润改善。 对于三星电子而言，预计其第三季度营业利润将超过110万亿韩元，主要得益于AI数据中心用大容量SSD和服务器用DRAM的供应扩大。 SK海力士也预计将因向全球大型科技公司提供HBM3E和HBM4的供应量稳步增加，营业利润将超过70万亿韩元。 业内人士表示：“美光所提出的生产能力扩展计划和未来内存供应链的展望将成为衡量AI半导体市场整体活力的重要指标。随着全球AI投资热潮的持续，国内半导体企业的业绩改善也将得到一定的推动。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

全球人工智能（AI）基础设施投资热潮持续升温，市场规模预期大幅上调，全球半导体产业正迎来前所未有的高速增长周期。韩国进出口银行海外经济研究所20日发布的报告显示，受人工智能驱动的存储芯片需求爆发拉动，今年全球半导体市场全年规模有望突破1.6万亿美元，较今年5月发布的第二季度展望预测值上调幅度超过60%，市场总规模将达到去年的两倍。 此前，行业普遍预期全球半导体市场要到2030年才会突破1万亿美元大关，这一时间表如今已被大幅提前。报告指出，推动市场预测大幅上调的核心动力，来自美国、中国超大规模数据中心运营商的AI基础设施投资持续加码，AI处理与存储的数据量呈现指数级增长，直接拉动存储芯片需求和价格同步走高。 从细分品类来看，此轮半导体市场增长由存储芯片全面主导。报告预计，今年全球存储芯片市场规模将同比扩大至4倍，达到8865亿美元，在整体半导体市场中的占比将从去年的30%攀升至55%，高于此前第二季度报告预测的50%。 其中，DRAM市场规模预计达到5190亿美元，为去年的3.4倍；NAND闪存市场规模预计达到3600亿美元，为去年的4.9倍。DRAM全年增速预期从此前预测的147%上调至250%，NAND闪存增速则从300%上调至395%。 截至上月底，行业代表性产品通用DRAM现货价格达到25美元，NAND闪存价格达到30.5美元，较去年同期分别上涨至4.4倍和9倍。报告特别指出，NAND闪存市场的增长表现尤为突出，背后核心逻辑是AI产业的发展重心正快速从前期的大模型训练，转向大规模落地的推理应用，除DRAM、高带宽内存（HBM）之外，用于承载海量AI数据存储的NAND闪存，产业重要性正在持续提升。 报告还预计，存储芯片价格将在明年之后逐步趋稳。通用DRAM价格上涨趋势将持续至今年年第四季度，明年上半年保持高位平稳，下半年进入下行通道；NAND闪存价格上涨将持续至明年第一季度，此后全年将基本维持稳定。即便存储芯片价格后续进入持平或小幅调整阶段，在AI带来的结构性刚性需求支撑下，全球半导体市场整体增长态势不会中断，到2030年，全球半导体市场总规模仍有望达到约2万亿美元。 针对近期AI行业部分人士提出的“放慢发展速度”的技术风险讨论，市场普遍判断全球AI开发竞争非但不会降温，反而将进一步加速。报告同时提到，当前全球头部科技巨头已与三星电子、SK海力士等核心存储芯片企业签署为期3至5年的长期供货协议，这将大幅平滑产业供需波动，未来半导体行业传统的强周期特征将明显缓和。 业内人士表示，尽管市场出现“AI减速论”的相关讨论，但全球头部科技企业的数据中心投资、AI服务落地普及进程仍在持续加快，短期内存储芯片行业的高景气度不会出现明显逆转。

中国存储半导体公司长鑫存储科技(CXMT)在第二季度的盈利能力上超越了三星电子和SK海力士。 根据《日本经济新闻》的分析报道，CXMT在4至6月的营业利润率达82%，在主要存储厂商中位居第一，超过了SK海力士的76%和三星电子半导体业务的70%。 CXMT是中国最大的DRAM生产商，客户包括阿里巴巴、字节跳动和腾讯等大型科技企业。4至6月的营业利润约为1.9万亿日元（约合16.5万亿韩元），相比去年同期的约2500亿韩元的亏损，显著改善。 销售额约为20万亿韩元，同比增加十倍，增速在三星电子、SK海力士、美国美光科技、日本东芝控股和美国闪迪等公司中最高。 《日本经济新闻》基于这六家公司的最新季度业绩，比较了以EBIT（息税前利润）为基础的盈利能力。 CXMT盈利能力大幅提升的原因在于通用DRAM DDR5价格的暴涨。由于三星电子、SK海力士和美光等主要存储厂商优先生产用于人工智能(AI)服务器的高带宽内存(HBM)，导致PC和游戏机等使用的通用DRAM供应减少，从而推动了DDR5价格的上涨。 主力产品的差异也影响了业绩。与三星电子、SK海力士和美光专注于HBM不同，CXMT的通用DRAM（如DDR5）占比更高，主要用于数据中心、PC和游戏机等。 HBM和DDR5的合同方式也不同。HBM通常与超大规模客户签订年度供应合同，因此相对不易受到短期市场波动的影响。而DDR5则是市场价格波动迅速反映在交易价格中的结构。 台湾市场调研公司TrendForce分析称：“自1至3月以来，HBM的盈利能力开始低于DDR5。”KPMG FAS的执行董事冈本俊也表示：“在当前形势下，通用DRAM的销售占比越高，越容易受益于市场上升。” 随着业绩改善，CXMT的投资能力也大幅提升。CXMT在2023年1至6月的自由现金流(FCF)约为19.2万亿韩元，较去年同期改善了约24.4万亿韩元。 CXMT正在加速扩大生产能力，依托于7月通过首次公开募股(IPO)获得的资金和中国政府的支持。目前在安徽省合肥市扩大生产能力，并计划在上海建设新工厂。 市场对CXMT的成长潜力给予了高度评价。根据QUICK&FactSet的数据，去除自家股份后，CXMT的市值约为87万亿日元，超过腾讯，成为中国股市上市公司中最大规模的公司。与东芝的市值约31万亿日元相比，CXMT的市值几乎是其三倍。 CXMT的预期市盈率(PER)接近20倍。由于存储行业的市场波动性较大，三星电子、SK海力士和东芝等公司的PER仍停留在个位数。 中国存储企业的攻势并不仅限于CXMT。闪存厂商YMTC的母公司长江存储控股(CCSH)也申请了上市。由于存储供应不足，业绩和现金流改善的中国企业纷纷开始扩张。 《日本经济新闻》指出，如果CXMT和YMTC扩大生产能力后采取低价策略，可能会成为全球存储市场的新变量。 中国制造业一直以来通过相对低价的通用产品提升市场份额，逐步增强竞争力。正如电动车电池市场中中国宁德时代成为全球第一一样，存储市场也可能出现类似的变化。 特别是如果中国企业的扩张加速，三星电子、SK海力士和美光等主导的全球存储市场竞争格局可能会发生变化。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

中国半导体企业凭借雄厚的资金实力和庞大的内需市场，正在迅速扩大在DRAM和闪存市场的份额。中国最大的DRAM企业长鑫存储（CXMT）已跻身全球第四，而长江存储（YMTC）则首次进入闪存市场前三名。三星电子和SK海力士则通过高带宽内存（HBM）等高附加值人工智能（AI）内存来应对中国的市场攻势。根据市场调研机构Omdia的数据，YMTC的闪存晶圆产量预计将从今年的201万片增至明年的249万6000片，增长约24%。YMTC在今年第二季度的出货量已跃升至全球闪存市场第三位，并计划在年底启动武汉三厂的运营，目标是到明年年底成为全球闪存市场的第一。相比之下，国内企业的闪存产量预计将基本停滞。三星电子的产量预计将从今年的477万片增至明年的484万5000片，SK海力士的产量则从279万片增至286万5000片，增幅较小。在三星电子和SK海力士集中投资于盈利能力较高的DRAM和HBM的同时，中国企业则通过积极扩张来填补闪存市场的空白。在DRAM市场，CXMT正在迅速追赶。Omdia的数据显示，CXMT的全球DRAM市场份额从去年第四季度的4.7%上升至今年第一季度的7.6%，在短短一个季度内增加了2.9个百分点，现已成为全球第四。CXMT还通过最近的首次公开募股（IPO）筹集了最多达14万亿韩元的资金，计划用于生产线升级和下一代DRAM的研发。预计其目前每月20万至30万片的生产能力将在长期内扩大至60万片以上。如果按计划进行扩张，通用DRAM市场的供应增加将不可避免地对价格造成压力。然而，在HBM等AI内存领域，国内企业与中国企业之间的技术差距仍然相当明显。三星电子和SK海力士已开始量产HBM4，并推动下一代HBM4E的开发和客户供应。相比之下，CXMT目前正处于HBM3系列生产稳定化的阶段。HBM不仅需要良率和堆叠、热管理技术，还要求全球大型科技公司的质量认证和大规模生产经验，因此中国企业在短期内缩小差距并不容易。三星电子和SK海力士正在扩大HBM、服务器用DRAM和企业级固态硬盘（SSD）等高附加值产品的比例，而不是在与中国企业的通用产品上进行价格竞争。随着对AI数据中心投资的增加，高性能、高容量内存的需求急剧上升，三星和SK海力士希望通过AI内存技术和全球大型科技客户基础来确保盈利能力。值得注意的是，中国在通用内存市场的强势地位可能为其追赶高端内存提供了基础。依托庞大的内需市场，获得生产规模和成本竞争力后，积累的资金和量产经验可以再投资于HBM、服务器用DRAM等高附加值产品。例如，最近通过IPO获得大规模资金的CXMT预计到2028年将满足中国DRAM需求的50%和HBM需求的40%。YMTC也在推进规模达6.8万亿韩元的IPO，筹集的资金将用于生产设施的升级和研发。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

中国内存企业创信存储科技（CXMT）已被评估为逼近三星电子、SK海力士和美国美光所构建的全球DRAM三强体系。部分产品的交易价格已接近三星和SK，正在引发全球市场的变动。 据业内消息，苹果正在进行测试，以将CXMT内存应用于海外销售的iPhone和MacBook中。目前正在考虑在中国销售的产品中使用CXMT的产品。HP和宏碁已经在美国以外地区的部分笔记本电脑中搭载了CXMT产品。CXMT的客户基础正在向全球PC制造商如华硕等扩展，这表明其已开始进入全球供应链。 产品性能也在迅速提升。最近，中国PC部件制造商Colorful在AMD X870E平台上成功将CXMT DRAM的DDR5模块运行在8800MT/s以上。CXMT自去年底正式推出DDR5以来，已在中国内存模块企业中扩大了应用范围。 然而，在制造工艺上，CXMT普遍被认为落后于三星和SK。这是因为受到美国先进设备出口限制，CXMT无法使用极紫外（EUV）光刻设备，仍依赖于深紫外（DUV）工艺。 市场上公开分析认为，CXMT已成长为威胁现有DRAM三强的竞争者。TrendForce的分析师埃莉·王最近表示，CXMT是“在大框架下能够威胁内存三大公司的有效挑战者”。她预测，由于内存供应短缺，客户们开始多元化供应来源，CXMT将获得进一步扩展市场的机会。 市场份额也支持了这一观点。市场调查机构的数据显示，CXMT在2026年第二季度的全球DRAM销售市场份额已上升至约7%。在主要厂商专注于高带宽内存（HBM）时，CXMT抓住了市场空白。中国政府的全力支持和广阔的内需市场也成为其优势。 价格竞争的态势也发生了变化。最近，CXMT的部分DDR5产品在中国市场的交易价格已与三星或SK的产品相当，甚至更高。由于供应短缺，CXMT在不大幅降低价格的情况下也能实现销售。 CXMT计划在2028年前将生产能力扩大至目前的两倍以上。业内人士关注到，随着中国企业的新生产能力开始在市场上反映，通用DRAM的价格和客户争夺竞争将更加激烈。 Counterpoint Research副总裁尼尔·沙预测：“如果CXMT能够满足PC等主要全球Tier 1客户的需求并扩大生产能力，明年市场份额将与现在大相径庭。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

由于对人工智能（AI）服务器投资的增加，内存价格急剧上涨，已对公共采购市场产生影响。通过采购厅的多供应商合同（MAS）向公共机构提供防火墙和入侵防御系统（IPS）的国内安全企业，面临着合同签订后内存价格大幅上涨，但无法调整交货单价，导致成本压力加大。 根据8月4日的采购厅国家市场和安全行业的消息，安立、艾克斯盖特和SecureEye等国内安全企业通过采购厅MAS向公共机构供应防火墙和IPS。IPS是一种实时分析网络流量以阻止恶意行为的设备，为处理大容量数据，通常需要比一般信息技术（IT）设备更高性能的内存。 企业注册的IPS产品价格从数百万韩元到接近5000万韩元不等。艾克斯盖特的产品价格在1892万至4015万韩元之间，安立的产品价格在2521万至4950万韩元之间，SecureEye的最高产品价格达到4983万韩元。业内人士表示，价格较高的高规格设备内存占比更大，因此受到最近内存价格急剧上涨的影响更为显著。 问题在于，合同签订后发生的成本上涨难以反映在交货价格中。防火墙设备的MAS合同通常以一年为单位签订，即使中间部件价格急剧上涨，也难以调整交货价格。 根据市场研究公司DRAM Exchange的数据，通用DRAM（DDR4 8Gb 1Gx8）的固定交易价格自去年年底以来持续上涨。7月份的平均固定交易价格为24美元，比上月的21美元上涨了14.3%，创下历史最高水平。自去年年底以来，DRAM价格大幅上涨，导致服务器和安全设备的制造成本也随之上升。 一位安全企业的相关人士表示：“与去年签约时相比，内存价格大幅上涨，目前成本压力相当大。公共项目的合同单价难以轻易调整，因此我们在承受盈利能力下降的情况下继续交货。” 另一位业内人士表示：“虽然成本压力令人担忧，但及时获取所需内存也很困难，有时为了履行合同还需要支付额外费用。” 业内人士认为，随着AI的普及，内存价格波动性加大，因此在公共采购合同中需要有制度性补充，以反映急剧的成本上涨。采购厅也意识到近期原材料价格上涨给企业带来的压力，正在多方考虑改善合同制度，包括向部分企业请求交货成本表等应对半导体价格飙升的方案。

中国创信内存科技（CXMT）已成为全球DRAM市场的第四大企业，市场份额约为8%。该公司在2023年第一季度的收入较去年增长了719%。2025年，创信内存科技实现了自成立以来的首次盈利，目前正计划通过在上海证券市场上市筹集数百亿资金。公司表示，已开始量产服务器用的DDR5和移动设备用的LPDDR5X，同时以市场价的一半出售旧款DDR4。几年前，该公司还被称为“差距五年”。半导体行业是一个难以追赶的领域，因为微细工艺的成功往往依赖于失败的经验积累。要掌握在哪个步骤上出现缺陷、在什么条件下良率曲线下滑，必须经过数千次的试验和错误。虽然可以购买设备，但无法购买操作这些设备的条件。韩国内存产业在过去30年中所建立的进入壁垒，正是这种时间的积累。因此，当后发企业的进度突然加快时，技术泄露往往被视为根本原因。当然，不能仅仅将中国的追赶归因于一次泄露。国家补贴、庞大的内需市场以及能够承受亏损的资本共同作用。然而，如果学习曲线异常缩短，自然会让人怀疑是否有人提供了跳过这一曲线的资料。实际上，这种事件屡见不鲜。曾因涉嫌将三星电子18纳米DRAM工艺信息泄露给CXMT而被判处6年4个月监禁和200万元罚款的前高管，最近在重审中被判刑。另一名曾在SK海力士工作并转至华为子公司的前员工，因涉嫌打印工艺资料而在上诉中被判处5年监禁和30万元罚款。业界普遍认为，5至6年的刑期无法有效遏制诱因。中国企业向核心人才提供数倍于现有薪水的待遇。完成合同后，即使在国内工作20年也难以获得的资产将留给他们。即使被韩国法律制裁，他们也可能会计算出服刑后仍能获利的可能性。值得注意的是，以上两起案件都因《产业技术保护法》和《反不正当竞争法》的修订而使得一审的刑罚加重。对罪行的界定标准也不够明确。虽然根据泄露文件的数量、资料的市场价值以及泄露者所获得的报酬来计算损失，但真正重要的并不是文件的数量，而是缩小技术差距所需的时间。产业技术泄露并不是个人因背叛公司而引发的离职争议，而是国家花费数十年时间、税收和人力积累的资产被转移到竞争国，个人从中获利的行为。因此，惩罚机制也应与此性质相符。在量刑标准中，应将国家核心技术的海外泄露作为独立的加重因素，并将损失计算标准从泄露者所获得的报酬转移到重新获取技术所需的时间和成本上。只有真正执行犯罪收益的没收和追缴，才能避免“服刑后仍有利可图”的计算。对中介人和介绍组织的单独惩罚，以及对通过海外法人和合作伙伴进行的间接泄露的监控也应同步进行。技术泄露的代价是致命的。已有评估认为，通用DRAM市场的份额已相当大程度上被让出。在中国企业以半价出售DDR4并进入DDR5量产阶段的市场中，韩国企业不得不面临市场份额下降的局面。剩下的防线是高带宽内存（HBM）及其后的先进AI半导体。即使是CXMT也承认在HBM领域与韩国企业存在2至4年的差距。这种差距可能会因几份资料而消失。HBM技术涉及DRAM核心、基底芯片、堆叠和封装、热设计等多个方面。虽然可以推测出各个工艺，但同时掌握这些条件只能通过经验获得。目前正处于向定制HBM和先进封装过渡的阶段，正是泄露最为脆弱的时刻。已经泄露的技术无法通过任何判决恢复。半导体的超越差距在于如何快速生产，而不是如何保持现有的2至4年优势。