中国大型IT企业字节跳动向台湾的半导体设计公司媒体科技请求供应定制的数据中心人工智能（AI）芯片。由于面临美国的出口管制和中国芯片供应的限制，字节跳动开始转向台湾企业。彭博社于15日（当地时间）援引消息人士报道，字节跳动即将与媒体科技签署定制芯片的采购合同。媒体科技将根据客户的平台需求提供定制的应用特定集成电路（ASIC）。如果合同达成，媒体科技将成为继谷歌之后，第二个向字节跳动提供此类ASIC的客户。ASIC是为特定用途设计的半导体。应用于AI数据中心时，可以通过不同于通用图形处理单元（GPU）的方式优化运算，从而降低成本和电力消耗。对于运营大规模AI服务的字节跳动而言，获得符合自身需求的芯片意味着可以提高运算效率。此次合作的背景是中国AI半导体供应链的限制。字节跳动与阿里巴巴、腾讯等中国大型科技公司一样，难以获得足够的英伟达先进AI芯片。虽然华为等中国企业也在开发AI加速器，但仅靠中国国内的供应很难满足大型科技公司日益增长的需求。由于需要具备先进芯片的制造工艺、高带宽内存（HBM）、封装和软件生态等多方面的能力，难度相当高。因此，字节跳动与媒体科技的合作被解读为中国半导体自给自足的局限性案例。尽管中国企业正在努力开发自己的AI芯片，但在性能、数量和成本竞争力等方面，仍面临着挑战。此外，路透社在6月曾报道，美国高通也与字节跳动讨论提供芯片设计服务的方案。字节跳动最终选择了媒体科技，这一分析得到了确认。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

韩国半导体设计大赛上，延世大学的研究生团队凭借高带宽内存(HBM)相关设计技术获得了总统奖。 韩国工业通商资源部和知识产权局于15日在首尔COEX举行了“第27届韩国半导体设计大赛”颁奖典礼。此次活动由韩国半导体产业协会主办，预计将有100余名获奖学生和半导体行业相关人士出席。 韩国半导体设计大赛每年举办一次，旨在提升全国大学生和研究生的半导体设计能力，挖掘创新创意。今年的比赛共收到73件作品，经过预赛和决赛评审，最终评选出21件获奖作品。总统奖1项、总理奖1项、工业部部长奖4项、知识产权局长奖2项等共计8项政府奖项和13项民间奖项。 总统奖由延世大学的李正炫同学代表的团队获得。该团队开发了可用于HBM的高速数据接收器设计技术，因而获得最高奖项。他们提出了提高内存半导体数据传输性能和能效的技术。 总理奖由首尔科学技术大学的崔多勋学生团队获得，因其设计的基于缓存压缩的加速器，提高了大型语言模型(LLM)的推理性能。 工业部部长奖则由首尔大学、釜山大学、中央大学和蔚山科学技术院等四个大学团队获得。他们展示了高频电路、AI运算加速器、智能眼镜用低功耗半导体等多个领域的设计技术。 参赛者们利用三星电子、SK海力士、LX半导体、Telechips等赞助企业及相关公司的支持，使用半导体设计软件将创意转化为实际成果。在颁奖典礼之前，还将进行主要获奖作品的现场演示及半导体设计技术趋势分享的研讨会。 在去年的第26届设计大赛中，全国21所大学的学生参与，评选出21件获奖作品。当时，首尔大学团队获得了总统奖，随着AI加速器需求的增加，HBM相关设计作品也有多个获奖。今年，HBM数据接收器和AI推理加速器等主要获奖作品的出现，显示出高性能内存和AI半导体领域技术发展的持续趋势。 工业部表示，将继续支持半导体设计领域的青年人才，使其在产业中具备竞争力。工业部先进产业政策局局长崔宇赫表示：“我们将积极支持能够引领韩国半导体设计产业的学生，让他们尽情挑战和成长。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

国内半导体行业在人工智能（AI）投资扩大的推动下，前景乐观。随着AI推理需求的激增，高带宽内存（HBM）等高性能内存市场迅速增长，国内半导体企业也在加速应对中国技术追赶的下一代技术开发竞争。SK海力士开发总裁安贤在14日于首尔江南区COEX举行的第28届半导体展(SEDEX 2026)的主题演讲中表示：“预计到2030年，AI基础设施的性能规模将比今年增长约20倍。”安贤指出，随着AI推理的工作复杂度、处理信息量和请求量同时增加，内存需求也急剧上升。特别是，随着AI处理的信息存储和再利用的“KV缓存”增多，HBM、DRAM和固态硬盘（SSD）之间的数据移动成为新的性能瓶颈。为此，SK海力士将扩大定制化HBM的开发，同时推进高带宽闪存（HBF）的开发，目标是容量超过HBM的10倍，并在运算半导体上直接堆叠DRAM。安贤表示：“标准型HBM和定制型HBM将并行发展，但从长远来看，定制型产品将更为普及。”此外，中国的内存技术追赶也是国内企业竞争的一个变量。中国内存企业长鑫存储科技（CXMT）已预告将在下一代服务器用DRAM中应用“4F²”（四方形）技术。4F²技术可以缩小DRAM单元面积，使同一空间内存储更多数据。当天，三星电子首席技术官宋在赫在活动现场被问及4F²技术的开发进展时回答：“是的。”但对于开发进展情况，他表示：“我们正在努力。”此前，三星电子和SK海力士也一直在研究该技术，但因成本问题尚未应用于量产。随着中国技术开发速度的加快，国内企业也在全力争取下一代内存技术的掌握。在此背景下，双方在展会上分别展示了各自的下一代AI半导体技术和商业战略。三星电子展示了涵盖内存、代工和先进封装的综合半导体实力，介绍了下一代HBM4E、基于4纳米工艺的HBM4E基础芯片以及三维内存技术zHBM等AI半导体综合解决方案。在新设的“半导体集群区”中，公开了包括龙仁国家产业园区等主要生产基地和基础设施扩展计划。三星电子计划在龙仁国家产业园区投资约360万亿韩元，预计于2027年开始土地开发和建设，目标在2029年10月启动首条生产线。SK海力士则重点展示了以HBM为中心的AI内存技术和与英伟达的合作。在展位内最大规模的展台上，展示了HBM、HBF结构模型、高性能DRAM和企业用SSD等产品。特别是，展示了英伟达的“贝拉·鲁宾”超级芯片和首席执行官黄仁勋签名的HBM晶圆，以强调双方的合作关系。同时，还展示了256GB的服务器用3DS RDIMM和移动用LPDDR6等多种内存产品。 ※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

政府将着手开发下一代半导体核心技术，以克服人工智能（AI）半导体的性能和电力消耗限制。科学技术信息通信部于14日宣布，将成立'K-文创'半导体领域运营委员会和技术委员会。 政府推动的'K-文创'项目是通过人工智能（AI）与科学技术的融合，解决国家重大难题并引领技术创新的核心研发（R&D）项目。 在12项任务中，半导体领域的重点是获取超越市场上所有设备性能和电力消耗限制的下一代核心技术。核心任务包括建立显著改善半导体性能的'以存储为中心的计算'结构，以及提升电力对AI运算效率（Token/W）的技术开发。 此外，还将克服工艺微缩的限制，获取超微型半导体、高带宽内存（HBM）等下一代叠层技术，并在实际系统环境中进行验证。 此次成立的K-文创半导体运营委员会由半导体项目主任金智英担任主席。此外，科学技术信息通信部、韩国研究基金会、三星电子、SK海力士、主成工程等20余名产学研专家参与其中。另设的技术委员会将支持半导体技术路线图的制定、具体项目的规划、进度检查及目标管理等工作。 政府通过这两个委员会，将从政策制定到研发规划与实施、产业现场应用紧密结合，并持续反映技术环境变化和产业需求。 科学技术信息通信部研发政策室室长金成洙表示：“在AI时代，单个半导体的性能提升已不足够，半导体元件、内存、集成与封装技术的有机连接将决定系统整体的性能和电力效率，从而影响国家半导体竞争力。” 他进一步强调：“将聚集产学研的力量，提前掌握未来半导体的核心技术，系统性推进K-文创半导体任务，以确保研究成果能够转化为实际产业竞争力，强有力地支持三大mega项目。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

韩美半导体于10月7日宣布，郭东信会长在2023年后累计完成702亿韩元的自家股票收购，执行了其在9月9日公告的收购计划。根据公告，郭会长于10月7日额外购买了价值7亿韩元的自家股票（2549股，购入单价为27万4235韩元）。至此，郭会长自2023年起共计收购自家股票总额达到702亿韩元（74万7940股），其持股比例上升至33.63%。作为韩美半导体的最大股东，郭会长持续以个人资金购买自家股票，以提升股东价值和履行责任管理。今年以来，他分别在4月购买了30亿韩元、6月80亿韩元、7月50亿韩元，并此次再购入7亿韩元，总计收购金额达到167亿韩元。分析认为，郭会长的自家股票购买反映了他对韩美半导体在全球AI半导体设备市场中领先地位的信心，基于其独特的高规格半导体封装技术。目前，韩美半导体在AI半导体核心部件HBM（高带宽内存）生产所需的“TC本德”设备市场中占据全球第一，同时在微型贴片（MSVP）设备市场也跃升至第一。此外，韩美半导体独家供应给全球智能设备制造商和航空航天企业的“EMI屏蔽”设备，持续推动销售增长。韩美半导体正在提供多种设备，以应对AI半导体的高性能化和先进封装技术的变化，进一步巩固市场地位。特别是自2028年起，美国本土新封装生产设施的启用，预计将扩大对美国半导体市场的设备出口机会。为此，韩美半导体计划在本月于美国加利福尼亚州圣荷西设立法人“韩美USA”，为当地客户提供紧密的技术支持。韩美半导体相关人士表示：“此次郭东信会长的自家股票追加购买是对9月公告计划的顺利执行，随着AI半导体需求的扩大，我们将增加先进封装设备的供应，进一步增强全球领导地位。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

美光科技宣布与英伟达合作开发“定制高带宽内存（Custom HBM）”，向三星电子和SK海力士发起挑战。超越标准规格和良率的竞争，基础芯片设计能力和代工合作模式成为关键胜负手。 美光于30日（当地时间）发布了2026财年第四季度业绩，并正式确认与英伟达共同开发将用于下一代AI加速器的定制HBM。美光首席执行官山杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）强调：“在下一代规格中，我们正在推动与英伟达从基础芯片阶段开始的定制共同设计合作。” 半导体企业在现有的第五代HBM（HBM3E）中，主要按照国际半导体标准组织（JEDEC）规定的标准规格预先生产产品，然后通过英伟达等主要科技客户的质量测试进行交付，形成了被动供应链。 然而，从第六代HBM（HBM4）开始引入的定制HBM，将根据客户的下一代图形处理器（GPU）或神经网络处理器（NPU）的电路结构和电力设计规格，从最底层的基础芯片开始进行定制设计。 美光的这一声明被解读为其克服HBM市场劣势的战略宣言，旨在从下一代开始实质上获得英伟达的核心供应商地位。 业界认为，HBM的“核心”基础芯片制造方式是关键变量。基础芯片是HBM最底层，负责垂直连接DRAM并控制通信的核心基础芯片。由于HBM4开始数据通道（I/O）宽度加倍，发热和电力效率将无法通过现有内存工艺来处理。 英伟达首席执行官黄仁勋（Jensen Huang）也曾强调：“下一代加速器性能的关键在于内存与逻辑芯片的紧密融合，而基础芯片正是其中的核心。” 三星电子正在应用自有的4纳米和2纳米先进代工工艺直接制造基础芯片。其战略是从HBM4生产开始提供一体化（Turnkey）解决方案，全面展示其作为综合半导体企业（IDM）的差异化优势。通过最小化封装和工艺间的瓶颈，三星计划在2026年HBM4量产时逆转市场格局。 SK海力士正在进一步加强与台积电的合作伙伴关系。SK海力士利用台积电的12纳米和5纳米超微代工工艺共同开发HBM4用基础芯片，并通过与台积电的三维先进封装技术“CoWoS”生态系统的紧密结合，提高产品良率和质量稳定性。 没有自有逻辑工艺的美光，计划通过与台积电的合作，供应与英伟达下一代GPU规格最优匹配的基础芯片，力争到2025年将目前约10%的全球HBM市场份额提升至20%的中期目标。 李钟焕，上明大学系统半导体工程系教授表示：“下一代HBM是内存从通用产品向代工型定制逻辑半导体转变的关键点，关键在于首先确保符合全球大科技公司需求规格的基础芯片设计能力和封装良率。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

NH投资证券在30日表示，预计三星电子将因内存市场的良好表现和高带宽内存（HBM）价格上涨而持续实现稳定的业绩。该公司维持对三星电子的“买入”评级，目标价为53万元。 NH投资证券预计三星电子第三季度的营业收入将达到200兆9410亿元，营业利润为105兆1650亿元，分别较去年同期增长133.5%和764.4%。预计营业利润将首次突破100兆元。 内存价格的上涨也将支撑业绩。预计第三季度DRAM和NAND的平均销售价格（ASP）将分别比上季度上涨18%和20%。随着HBM4的正式推出，内存价格也将受到积极影响。 NH投资证券特别提高了对HBM的预期。分析指出，三星电子在HBM市场中主导着高于市场平均水平的价格，考虑到近期的需求，原本假设的2027年HBM ASP上涨率45%也需要上调。 NH投资证券研究员柳永浩表示：“推理和人工智能代理的普及加速了CPU需求的增长，这最终将导致内存需求的增加。”他还表示：“在第三季度业绩发布后，期待根据股东回报政策进行重新评估。”

三星电子近日公布了下一代人工智能（AI）内存——高带宽内存（HBM）的核心工艺路线图。计划在下一代HBM5中采用基于D1c工艺的核心芯片和基于2纳米的基础芯片，而HBM5E则将应用D1d工艺和2纳米工艺。 在美国加利福尼亚州圣荷西举行的“GTC 2026”大会上，三星电子内存事业部开发负责人黄相俊副总裁与记者交流时表示：“HBM5和HBM5E都采用核心芯片和基础芯片结构。” 黄副总裁进一步解释道：“HBM5的核心芯片采用D1c工艺，基础芯片则使用2纳米工艺。”他还表示：“HBM5E将应用基于D1d工艺的核心芯片和2纳米工艺的基础芯片。” HBM是通过将多个内存芯片垂直堆叠以实现高带宽的AI半导体核心部件。自最近几代起，内存核心芯片与负责运算和接口功能的基础芯片分离的结构已被采用。值得一提的是，HBM4E与HBM4一样，采用D1c工艺和4纳米工艺。 核心芯片负责存储数据的内存单元，而基础芯片则执行与GPU连接的接口和控制功能。基础芯片因需高性能逻辑而采用了先进的工艺。 此次计划显示了三星电子在下一代HBM中不仅结合内存工艺，还结合了代工技术的战略。特别是HBM5中应用2纳米代工工艺的方案确认，预计三星的先进工艺应用范围将进一步扩大。 三星电子目前正向全球AI半导体企业如英伟达等供应HBM，以增强其在AI内存市场的竞争力。业界普遍认为，下一代HBM的竞争将不仅限于内存工艺，还将扩展到代工技术和封装技术的综合技术竞争。 黄副总裁在GTC现场介绍了三星电子的AI内存战略。他表示：“在AI时代，内存不仅是简单的部件，而是决定系统性能的核心基础设施。” 业界普遍认为，此次路线图的公布是三星电子下一代AI内存战略的重要信号。尤其是同时拥有内存和代工能力的综合半导体（IDM）结构将在HBM竞争力的提升中发挥重要作用。 随着AI数据中心市场的快速增长，HBM的需求也在急剧上升。包括下一代HBM5在内的技术竞争将正式展开，全球内存企业之间的竞争也将更加激烈。

三星电子预计在2026年第三季度首次实现单季度营业利润超过100万亿韩元。这不仅是韩国企业历史上的首次，也是全球范围内的重大纪录。根据27日行业和证券界的消息，三星电子将在下月初公布的第三季度合并营业利润共识（市场平均预期）约为106万亿至110万亿韩元。如果这一业绩得以实现，第三季度一个多月内的利润将接近去年全年总营业利润（43万6000亿韩元）的2.5倍。加上今年上半年累计营业利润（146万亿韩元），第三季度的累计营业利润将突破250万亿韩元。这一业绩在全球大型科技公司中也显示出压倒性的盈利能力。三星电子的第三季度营业利润将迅速超越全球科技企业中曾创下最高季度营业利润的美国英伟达（约87万6600亿韩元）、字母表（约60万亿韩元）和苹果（约51万4400亿韩元），稳居全球营业利润第二位。第一位是由于原油价格飙升，预计营业利润在120万亿至150万亿韩元之间的沙特阿拉伯国有石油公司阿美。业绩新纪录的坚实支撑无疑是其核心业务——内存。由于人工智能（AI）数据中心投资的激增，高带宽内存（HBM）和服务器用DRAM等高附加值AI内存的供应大幅增加。此外，通用内存的销售单价上涨，进一步提升了整体盈利能力。凭借强大的生产能力，三星电子吸收了全球内存需求，推动了前所未有的业绩增长。史上最大规模的股东回报政策也将正式推进。三星电子在上月21日的董事会上表示，今年股东回报的剩余资金将达到约90万亿至110万亿韩元，正式预告了史上最大规模的回报政策。这一规模接近2020年（20万3000亿韩元）时的五倍，前所未有。三星电子将在第三季度业绩发布时，确定并公布具体的执行方案。业界预计，仅在第三季度就将实施约30万亿韩元的现金分红和特别分红，包括常规分红。基于爆炸性增长的现金流动性，三星电子同时可能会动用大规模的自购股票和注销股票的方案。自购股票和注销将减少流通股数量，提高每股收益（EPS），预计将成为推动股价上涨的重要动力。考虑到上半年三星电子的现金资产已超过100万亿韩元，以及第三季度自由现金流（FCF）的急剧增长，预计到年底将顺利实施数万亿韩元的自购股票和分红扩展。

在恢复至7000点的KOSPI能否在国庆假期后继续上涨备受关注。美国的物价、就业数据以及国债利率和美光的业绩等重要事件将在假期后接连发布，市场对利率和半导体行业的判断将决定国内股市的走向。 根据27日韩国交易所的数据，在前一个交易日23日，KOSPI收盘上涨63.01点（0.90%），报7080.92点。此前在21日，KOSPI以7007.72点收盘，成功恢复至“7000点”上方，随后连续三个交易日保持在7000点以上。假期后的首个交易日，这一上涨趋势是否会继续引发关注。 在过去10年中，国庆假期后的首个交易日，KOSPI有8次上涨和2次下跌。上涨的年份大多在1%左右，尤其是在2022年上涨了2.74%，创下10年来的最高涨幅。去年也上涨了1.73%。而在2021年和2023年则分别下跌了0.41%和2.41%。 国庆假期后股市的首个变数是美国的物价和就业数据。29日将发布职位空缺和离职报告（JOLTS），30日将发布8月个人消费支出（PCE）物价指数和自动数据处理（ADP）民间就业数据，接下来在下月2日将发布9月就业报告。根据这些数据的结果，联邦储备系统（Fed）的未来加息路径可能会有所变化，因此市场也将关注美国国债利率的动向。 徐相荣，未来资产证券研究员表示：“本周股市最重要的变化因素是美国的物价和就业数据如何影响联邦公开市场委员会（FOMC）之后的加息路径。”他分析称：“如果就业报告表现稳健，可能会增加市场对联邦储备系统进一步紧缩的预期，同时也不能排除国债利率进一步上升的可能性。” 季度末再平衡带来的供需变化也是一个变数。由于近期股票和债券之间的表现差距显著，养老基金和保险公司等可能会在季度末进行资产配置的调整。再平衡的规模和执行时点并未事先确定，因此在28日至30日之间，可能会出现股票抛售和债券购买同时发生的情况。如果在此期间利率下降而股市表现疲软，则需要区分基本面和季度末供需的影响。 美光的业绩将是检验半导体行业状况的关键事件。美光计划在30日收盘后发布业绩。高带宽内存（HBM4）的需求、DRAM和NAND的价格、下季度的指导和设备投资前景等都是主要关注点。李京敏，代信证券研究员认为：“这可能是确认韩国半导体业绩预期下限的事件。”此外，28日至30日在美国拉斯维加斯举行的“Yotta 2026”也被视为与人工智能基础设施相关的重要日程。 在主要变数即将到来之际，KOSPI的估值也被认为有进一步上涨的空间。这位研究员表示：“12个月前瞻市盈率（PER）为5.49倍，处于历史低点，因此在估值正常化的背景下有充足的上行空间。”他指出：“前瞻PER达到6倍的7600点是首次反弹的目标。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。