韩美半导体于13日（当地时间）参加在美国旧金山莫斯科尼中心举行的‘2026年半导体西部展（SEMICON West）’，通过人工智能（AI）半导体先进封装设备加强与全球客户的网络联系。 韩美半导体介绍了第六代高带宽内存（HBM4）核心设备‘TC本德4’和计划于明年推出的下一代‘宽幅TC本德’。宽幅TC本德是针对芯片尺寸增大的高规格堆叠与粘接工艺的下一代设备。 同时，韩美半导体还展示了‘微型焊接与视觉定位（MSVP）’。MSVP是一种能够从半导体封装的切割、清洗、干燥、检测、分拣到装载等全过程进行一体化处理的设备，广泛应用于DRAM、闪存、HBM、系统半导体、PCB和玻璃基板等多种工艺中。 在AI系统半导体2.5D封装领域，韩美半导体也发布了多款设备。包括三种2.5D TC本德和两种FC本德在内的五种设备，旨在扩大对全球代工厂及后道工序（OSAT）企业的供应。 韩美半导体相关人士表示：“我们正在扩大对AI系统半导体2.5D封装市场的供应，并将在美国市场上加速AI半导体需求和制造投资的背景下，进一步加强与客户的合作。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子于10月14日在首尔COEX举行的‘SEDEX 2026（半导体大战）’展会上展示了多款AI应用领域的主要半导体产品和技术解决方案。 三星电子半导体（DS）部门以‘架构AI系统’为主题，展示了包括下一代技术、云AI、边缘AI、物理AI、半导体集群和共生合作在内的六个展区。 基于内存、逻辑设计、代工和先进封装的综合能力，三星电子多角度介绍了AI半导体解决方案。 在内存领域，展示了高性能的第七代高带宽内存（HBM4E）和内置运算功能的LPDDR-PIM，以及基于3D内存架构的‘zHBM’和用于边缘AI的‘zNAND-O’（以上为模型）。 在代工和系统LSI部门，展示了应用4纳米工艺的HBM4E基础芯片和移动应用处理器‘Exynos 2600’等产品。 新设立的‘半导体集群区’介绍了主要基地和龙仁国家产业园区的建设计划。三星电子计划在龙仁国家产业园区投资约360万亿韩元，预计于2027年开工，2029年10月实现首条生产线投产。约70家材料、零部件、设备及无厂半导体企业将入驻，构建有机的半导体生态系统。 通过‘共生合作区’，展示了资金、技术、人才和教育等多种合作伙伴支持计划及共同成长的成果。自1981年成立‘协成会’以来，三星电子持续推动共生发展，并在2025年度共生发展指数评估中连续14年获得最高等级。 此外，DS部门还将在本月起的两个月内向主要合作伙伴现场提供‘共生咖啡车’，并于12月举行‘电影日’等‘DS Together’活动。

三星电子于12日（当地时间）作为最高级别的钻石赞助商参加了'OCP全球峰会2026'，发布了提升人工智能（AI）基础设施性能的下一代内存和存储技术战略及全球合作成果。 据业界消息，三星电子在此次活动中提出了三大技术方向：△第8代高带宽内存（HBM5）及定制HBM等高性能内存 △基于CXL的内存扩展技术 △利用下一代SSD的数据存储和管理技术。 心浩俊常务在主题演讲中介绍了以速度、内存扩展性和数据持久性为核心的技术战略。他强调：“为了应对日益庞大的AI模型和推理数据的增加，内存带宽的扩展、容量的保障和数据管理技术至关重要。” 同时，三星电子还展示了与全球企业的技术合作成果。三星电子与AMD共同演示了基于CXL的内存扩展解决方案，提出通过CMM-D基础的内存池技术灵活扩展AI系统的内存容量。 在展会现场，还设有两个专门区域，供参观者体验下一代内存技术。展出内容包括HBM4E、HBM5概念模型、LPDDR5X-PIM等高性能、低功耗内存，以及2纳米GAA晶圆、Grok LPU晶圆、NVIDIA Grok3 LPX系统等，全面展示了三星电子在晶圆代工和封装方面的综合技术实力。 根据市场调研机构的数据，三星电子在2023年第二季度的全球DRAM市场份额为39%（Counterpoint Research），NAND闪存市场份额为29.3%（TrendForce），均位居第一。 另一家市场调研公司Omdia预测：“今年三星电子的DRAM和NAND晶圆生产量将达到行业最高水平。”

三星电子今年第3季度营业利润历史首次突破100万亿韩元，书写韩国企业历史新纪录。 据三星电子8日发布数据显示，初步统计第三季度营业利润为107.4万亿韩元（约合人民币5368亿元），同比大增782.5%，销售额为195亿韩元，同比增长126.6%。 这是韩国企业历史首次单季利润突破100万亿韩元，放眼全球科技巨头来看，包括英伟达、苹果等也尚未达到这一水平。此前仅有沙特国营企业沙特阿拉伯国家石油公司（沙特阿美）曾在2022年第二季度创下约865亿美元的营业利润外，当时正值俄乌冲突导致国际能源价格大幅上涨。 三星电子业绩屡创新高，主要得益于人工智能（AI）热潮推动的半导体需求持续旺盛，以及公司在存储器领域的技术竞争力恢复。 自去年第四季度销售额达到93.8万亿韩元、营业利润达到20.1万亿韩元，双双创下历史最高纪录以来，三星电子已经连续四个季度刷新销售额和营业利润纪录。 仅第三季度单季营业利润已逼近去年全年营业利润的2.5倍，接近2022年至2025年四年间营业利润总和（126.3万亿韩元）。 截至第三季度，今年三星电子累计营业利润已达254.1万亿韩元，全年营业利润有望进一步冲刺350万亿韩元。 虽然三星电子当天尚未公布各业务部门的具体业绩，但市场普遍认为，半导体业务（DS）尤其是存储器业务仍是本季度业绩增长的核心驱动力。 随着全球主要科技企业围绕通用人工智能（AGI）展开竞争，AI服务器和数据中心建设持续扩大，高带宽存储器（HBM）、DRAM以及NAND闪存等存储器产品的需求居高不下。 业界预计，三星电子DS部门第三季度营业利润可能与集团整体营业利润相当，甚至略高于整体水平。 市场研究机构TrendForce预计，今年第四季度通用DRAM价格将环比上涨10%至15%，NAND闪存价格则可能上涨15%至20%。随着存储器价格持续上涨，三星电子半导体业务的盈利能力有望进一步改善。 此外，三星电子已开始全球率先量产HBM4。市场预计，HBM4从明年开始将对三星电子的业绩增长发挥更加明显的推动作用。 已有券商将三星电子明年营业利润预测值从562万亿韩元上调至632万亿韩元，显示市场对AI半导体周期的乐观程度正在进一步升温。 但半导体业务内部仍存在明显分化。业内预计，系统LSI和晶圆代工业务第三季度仍可能出现约1万亿韩元规模的亏损。尽管随着产能利用率提升，非存储器业务正在逐步恢复，但美国得州泰勒晶圆厂投产相关成本仍将令盈利能力承压。 负责智能手机、电视及家电等业务的DX部门也继续面临较大的成本压力。受零部件价格上涨影响，该部门继第二季度出现公司成立以来首次亏损后，第三季度可能延续亏损势头。 其中，移动体验及网络业务的营业亏损预计可能超过1.5万亿韩元，电视及生活家电业务预计也可能亏损约5000亿韩元。 相比之下，三星显示器预计实现约1万亿韩元营业利润，哈曼营业利润预计在2000亿至4000亿韩元之间。

到访的AMD首席执行官丽莎·苏与三星电子和SK海力士的半导体高层进行了接连会晤。随着人工智能（AI）加速器市场的快速扩展，业界关注AMD与韩国半导体企业在高带宽内存（HBM）及代工领域的合作是否会进一步加深。据业界消息，苏会长于7日下午在首尔江南区三星电子西大门大厦与三星电子代表董事兼设备解决方案（DS）部门副会长全英贤及其他高层管理人员进行了会晤。这是苏会长与全副会长时隔约7个月的再次会面。苏会长在今年3月访问韩国时曾与全副会长、三星电子代工事业部总裁韩振满等人参观了平泽校园的生产线，并与三星电子会长李在镕在首尔龙山区汉南洞的胜基园进行了晚餐。此次会晤的主要议题是包括HBM在内的AI半导体领域的合作方案。三星电子正在向AMD的AI加速器提供HBM3E（第五代）和HBM4（第六代），双方的合作关系持续。AMD已指定三星电子为其下一代AI加速器“Instinct MI455X”所搭载的HBM4的优先供应商。在代工领域的合作扩展也引起了关注。AMD在AI加速器市场上追赶英伟达，推动相关产品供应的扩展，同时对先进工艺生产能力的需求也在增加。若三星电子能够将AMD作为代工客户，将有助于提升先进工艺的开工率和业绩改善。苏会长当天还与SK海力士代表董事长郭弼正进行了会晤。据悉，这是两人在国内的首次正式会面。此次会晤可能促成AMD与SK海力士在HBM4等下一代高性能内存领域的新合作。随着HBM的竞争愈发激烈，AMD也需要加强与内存厂商的合作，以建立稳定的供应链。AMD正在加速进军AI加速器市场。因此，除了HBM外，预计在先进封装和代工等半导体供应链的各个环节与韩国企业的接触也将进一步扩大。苏会长在此次访问期间还扩大了与国内AI生态系统的接触。当天上午，她参加了在首尔钟路区四季酒店举行的由科学技术信息通信部与国内AI半导体企业共同参与的圆桌会议。下午，她还出席了在首尔龙山区龙城举行的“AMD游戏日”活动。※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子有望成为韩国首家单季度营业利润突破100万亿韩元（约合人民币4990亿元）的企业。在人工智能（AI）热潮带动存储芯片需求激增的背景下，三星电子继今年第二季度后，有望再次刷新历史最佳业绩。 据金融信息机构FnGuide于5日发布的数据，三星电子今年第三季度销售额和营业利润将分别达200.7657万亿韩元和106.9435万亿韩元，均有望超过第二季度销售额（171.4995万亿韩元）和营业利润（89.4924万亿韩元）。三星电子将于8日公布第三季度初步业绩。尽管近期韩元兑美元汇率上升，促使部分券商下调业绩预期，但市场仍普遍认为营业利润突破100万亿韩元的可能性较高。 本轮业绩增长的主要推动力是半导体（DS）部门旗下存储业务。随着大型科技企业扩大AI数据中心投资，不仅HBM需求旺盛，DDR5等服务器用DRAM以及企业级固态硬盘（eSSD）需求也保持强劲，在供给不足的情况下，存储芯片价格维持高位。分析认为，存储业务的高盈利能力有望抵消晶圆代工、系统LSI以及电视和家电等其他业务的疲软表现。 尤其从第三季度开始，HBM4对业绩的贡献预计将进一步扩大。三星电子今年上半年全面启动HBM4量产后，正在迅速提高产量。公司此前在第二季度业绩电话会议上预计，第三季度HBM4销售额将较上一季度增长三倍以上。三星证券预计，第三季度整体HBM销售额将环比增长60%。高附加值HBM4占比提升，不仅有助于扩大销量，也将改善盈利能力。 市场关注的重点是第四季度及以后走势。HBM产量扩大正在影响通用DRAM供应。三星电子预计，明年HBM将占整个行业DRAM晶圆产能的30%，高于目前的水平（20%）。在整体产能有限的情况下，更多产能分配给HBM，意味着用于服务器、个人电脑和移动设备等领域的通用DRAM供应空间可能进一步收窄。 存储芯片价格也有望延续强势。市场研究机构TrendForce预计，第四季度通用DRAM合约价格将环比上涨10%至15%，NAND闪存价格将上涨15%至20%。由于存储芯片企业优先将先进制程产能分配给利润率较高的HBM和服务器产品，以服务器DRAM为中心的供应短缺仍在持续。对三星电子而言，HBM4销量扩大与通用存储芯片价格上涨有望形成双重推动。 美国美光近期公布的强劲业绩也进一步强化了市场对存储芯片行业景气的预期。随着AI应用从模型训练进一步扩展至推理和AI智能体等领域，存储需求不断增加，而短期内供应难以大幅扩张，市场预计供方占据优势的格局仍将持续。 IBK投资证券研究员金云浩（音）表示，预计当前的存储芯片供应短缺将持续，在此背景下，行业盈利能力有望维持当前水平，利润规模也将保持稳定增长。

在三星电子即将发布第三季度初步业绩之际，外界对其半导体代工及系统LSI等非内存部门的扭亏前景充满关注。随着高带宽内存（HBM）繁荣与代工（半导体委托加工）工艺利用率的提升，三星有望打破长期亏损的局面，成为半导体（DS）部门体质改善的转折点。 根据业内和证券界的消息，三星电子预计2023年第三季度的初步营收将突破200万亿韩元，营业利润将达到108万亿韩元。如果三星电子在本季度营业利润达到100万亿韩元，将成为韩国企业首次进入“季度营业利润100万亿韩元时代”。 尤其值得关注的是，曾陷入亏损泥潭的非内存部门能否实现反弹。市场调研机构TrendForce和证券分析师预测，以代工为主的非内存营业亏损将大幅减少至约7770亿韩元，亏损幅度将缩小近一半。预计全年非内存合计营业亏损将从去年（6万7400亿韩元）减少41.8%，控制在约3万9200亿韩元左右，预计将消除约3万亿韩元的亏损。 有观点认为，若排除上半年业绩施压的奖金准备金等一次性会计费用，代工部门单独实现自2022年以来四年来的实际季度扭亏为盈也是有可能的。 代工部门因大规模投资后，面临利用率下降和良率保障困难，长期处于亏损状态。以代工为主的非内存年度营业亏损从2023年的2万5000亿韩元急剧增加至2024年的5万3000亿韩元，拖累了DS部门的整体业绩。去年，亏损幅度也扩大至约6万亿韩元，全球市场份额甚至降至个位数。 然而，随着下半年第六代HBM4（HBM4）4纳米级基础芯片的量产正式启动，局面开始逆转。HBM4标准要求在最底层的信号控制基础芯片上必须使用最先进的逻辑工艺。预计下半年HBM4的出货量将超过整体HBM的60%，代工部门将完全吸收这些量，从而提升生产线的利用率。此外，4纳米工艺的单价提升效果最高可达15%，也加速了盈利能力的改善。 全球代工市场的格局也因台积电的独占地位而出现裂痕。随着台积电的生产能力达到饱和，寻找替代方案的大型科技公司纷纷转向三星。三星不仅获得了特斯拉、苹果、谷歌等主要全球科技公司的订单，最近还与博通签署了到2030年合作2000亿美元（约292万亿韩元）的谅解备忘录（MOU），显示出大型外包订单的成果。 以高性能计算（HPC）为中心的体质改善也在加速。独立事业部成立时，HPC的营收占比仅为5%，而现在已提升至28%，并计划到2029年达到66%，同时客户数量也将扩大四倍。 三星电子代工事业部常务理事诺美正表示：“目前客户数量与2017年代工事业部首次成立时相比增加了约三倍，预计到2029年将比2017年增长约四倍。” 不过，下一代先进微细工艺2纳米的实际量产速度将成为代工事业能否稳固的最终分水岭。 业内人士表示：“缩小与台积电的差距，确保代工的独立生存能力，必须证明下一代2纳米工艺的良率和性能，快速占领该先进工艺的量产份额将决定可持续盈利结构。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

美光科技宣布与英伟达合作开发“定制高带宽内存（Custom HBM）”，向三星电子和SK海力士发起挑战。超越标准规格和良率的竞争，基础芯片设计能力和代工合作模式成为关键胜负手。 美光于30日（当地时间）发布了2026财年第四季度业绩，并正式确认与英伟达共同开发将用于下一代AI加速器的定制HBM。美光首席执行官山杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）强调：“在下一代规格中，我们正在推动与英伟达从基础芯片阶段开始的定制共同设计合作。” 半导体企业在现有的第五代HBM（HBM3E）中，主要按照国际半导体标准组织（JEDEC）规定的标准规格预先生产产品，然后通过英伟达等主要科技客户的质量测试进行交付，形成了被动供应链。 然而，从第六代HBM（HBM4）开始引入的定制HBM，将根据客户的下一代图形处理器（GPU）或神经网络处理器（NPU）的电路结构和电力设计规格，从最底层的基础芯片开始进行定制设计。 美光的这一声明被解读为其克服HBM市场劣势的战略宣言，旨在从下一代开始实质上获得英伟达的核心供应商地位。 业界认为，HBM的“核心”基础芯片制造方式是关键变量。基础芯片是HBM最底层，负责垂直连接DRAM并控制通信的核心基础芯片。由于HBM4开始数据通道（I/O）宽度加倍，发热和电力效率将无法通过现有内存工艺来处理。 英伟达首席执行官黄仁勋（Jensen Huang）也曾强调：“下一代加速器性能的关键在于内存与逻辑芯片的紧密融合，而基础芯片正是其中的核心。” 三星电子正在应用自有的4纳米和2纳米先进代工工艺直接制造基础芯片。其战略是从HBM4生产开始提供一体化（Turnkey）解决方案，全面展示其作为综合半导体企业（IDM）的差异化优势。通过最小化封装和工艺间的瓶颈，三星计划在2026年HBM4量产时逆转市场格局。 SK海力士正在进一步加强与台积电的合作伙伴关系。SK海力士利用台积电的12纳米和5纳米超微代工工艺共同开发HBM4用基础芯片，并通过与台积电的三维先进封装技术“CoWoS”生态系统的紧密结合，提高产品良率和质量稳定性。 没有自有逻辑工艺的美光，计划通过与台积电的合作，供应与英伟达下一代GPU规格最优匹配的基础芯片，力争到2025年将目前约10%的全球HBM市场份额提升至20%的中期目标。 李钟焕，上明大学系统半导体工程系教授表示：“下一代HBM是内存从通用产品向代工型定制逻辑半导体转变的关键点，关键在于首先确保符合全球大科技公司需求规格的基础芯片设计能力和封装良率。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

三星电子与SK海力士正在加快高带宽内存（HBM）的扩产速度，但预计明年仍将面临供需不足。业界预测，明年HBM的平均售价将比今年上涨超过两倍。这是因为在新生产线实际投产之前，AI加速器对HBM的需求正在迅速增长。 根据30日的行业消息，市场调研机构TrendForce预计，明年HBM的混合平均售价将比今年上涨121%。这一价格上涨是由于供需不足以及HBM4等高价产品比例增加的共同结果。预计明年下半年将开始出货HBM4E。然而，由于产品构成的变化，这并不意味着同类HBM产品的价格普遍上涨2.2倍。 直接影响业绩的是今年正在进行的价格谈判。与通用DRAM不同，HBM通常与主要客户按年度确定数量和价格。从今年第二季度开始，关于2027年供应的HBM4数量的谈判已正式启动。SK海力士在7月的电话会议中也表示，正在与主要客户协商明年的供应量和价格。业界认为，目前提到的价格上涨部分将反映在今年签订的合同中，并在明年出货。 三星电子与SK海力士同时加快扩产。三星电子正在平泽P4扩大HBM4用1c DRAM（D1c）的生产能力。业界预计，计划在明年第一季度前达到每月10万至12万片的生产规模。P5设备的引入也在讨论提前，但预计真正的供应贡献将在2028年之后。在温阳和天安也在扩充HBM封装设备。 SK海力士则提前了青州M15X的HBM生产扩张计划，并将今年的设备投资规模提高到40万亿韩元的后半部分。用仁集群的第一座工厂Y1将于明年逐步开始生产准备。Y2将投入35.2万亿韩元。青州还在建设负责HBM后工序的19万亿韩元规模的P&T7。 尽管大规模投资持续，但供应不会立即增加。新生产线需要经过设备安装和工艺稳定化的过程。HBM需要比一般DRAM更多的晶圆和先进的封装工艺。TrendForce预计，HBM在整体DRAM晶圆投入量中的比例将从去年底的18%提高到今年的22%，明年将达到30%。随着HBM生产的增加，通用DRAM的供应能力将减少，整体内存供需可能会变得紧张。 因此，明年三星电子和SK海力士的业绩将不仅取决于出货量，还将受到今年签订的合同条件的影响。SK海力士已与约10家主要客户签订了多年长期供应合同。三星电子也在推动HBM4的供应扩展。然而，平均售价上涨121%的预测不能简单地与两家公司的利润增长率等同。客户的合同价格、HBM4的比例以及新生产线的初期良率等都是变量。 业界注意到，即使在扩产阶段，价格预期仍在上升。在内存产业中，大规模扩产通常会导致供应增加和价格下跌，但目前HBM投资的性质更强烈地是为了跟上不断增长的需求。 一位业内人士表示：“扩产的数量在实际供应上体现之前会有时间差，因此短期内供需紧张的趋势将持续。我们认为，今年签订的合同条件将成为明年业绩的关键变量。”※ 本报道经人工智能（AI）系统翻译与编辑。

NH投资证券在30日表示，预计三星电子将因内存市场的良好表现和高带宽内存（HBM）价格上涨而持续实现稳定的业绩。该公司维持对三星电子的“买入”评级，目标价为53万元。 NH投资证券预计三星电子第三季度的营业收入将达到200兆9410亿元，营业利润为105兆1650亿元，分别较去年同期增长133.5%和764.4%。预计营业利润将首次突破100兆元。 内存价格的上涨也将支撑业绩。预计第三季度DRAM和NAND的平均销售价格（ASP）将分别比上季度上涨18%和20%。随着HBM4的正式推出，内存价格也将受到积极影响。 NH投资证券特别提高了对HBM的预期。分析指出，三星电子在HBM市场中主导着高于市场平均水平的价格，考虑到近期的需求，原本假设的2027年HBM ASP上涨率45%也需要上调。 NH投资证券研究员柳永浩表示：“推理和人工智能代理的普及加速了CPU需求的增长，这最终将导致内存需求的增加。”他还表示：“在第三季度业绩发布后，期待根据股东回报政策进行重新评估。”